等离子体处理方法和等离子体处理装置制造方法及图纸

本公开提供一种等离子体处理方法和等离子体处理装置。等离子体处理方法是在等离子体处理装置中执行的方法，等离子体处理装置具有腔室、基板支承部以及等离子体生成部，等离子体处理方法包括：准备的工序，在基板支承部准备具有含硅膜和掩模膜的基板，掩模膜包含开口图案；以及蚀刻的工序，在腔室内生成等离子体，将掩模膜作为掩模来对含硅膜进行蚀刻，蚀刻的工序包括：向腔室内供给含有碳、氢及氟的包含1种以上的气体的处理气体；向等离子体生成部供给源RF信号，来从处理气体生成等离子体；以及向基板支承部供给偏压RF信号，在蚀刻的工序中，一边在掩模膜的表面的至少一部分形成含碳膜，一边至少通过从处理气体生成的氟化氢来蚀刻含硅膜。刻含硅膜。刻含硅膜。

【技术实现步骤摘要】
等离子体处理方法和等离子体处理装置


[0001]本公开的例示性的实施方式涉及一种等离子体处理方法和等离子体处理装置。

技术介绍

[0002]在电子器件的制造中，进行基板的含硅膜的等离子体蚀刻。例如，在专利文献1中公开了一种通过等离子体蚀刻来蚀刻电介质膜的方法。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2016
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39309号公报

技术实现思路

[0006]专利技术要解决的问题
[0007]本公开提供一种能够进行垂直性高的蚀刻的等离子体处理方法和等离子体处理装置。
[0008]用于解决问题的方案
[0009]在本公开的一个例示性的实施方式中，是在等离子体处理装置中执行的等离子体处理方法，等离子体处理装置具有腔室、配置于腔室内的基板支承部以及与基板支承部相向地配置的等离子体生成部，等离子体处理方法包括以下工序：准备的工序，在基板支承部准备具有含硅膜和掩模膜的基板，掩模膜包含开口图案；以及蚀刻的工序，在腔室内生成等离子体，将掩模膜本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种等离子体处理方法，在等离子体处理装置中执行，所述等离子体处理方法的特征在于，所述等离子体处理装置具有腔室、配置于所述腔室内的基板支承部以及与所述基板支承部相向地配置的等离子体生成部，所述等离子体处理方法包括以下工序：准备的工序，在所述基板支承部准备具有含硅膜和掩模膜的基板，所述掩模膜包含开口图案；以及蚀刻的工序，在所述腔室内生成等离子体，将所述掩模膜作为掩模来对所述含硅膜进行蚀刻，所述蚀刻的工序包括以下工序：向所述腔室内供给含有碳、氢及氟的包含1种以上的气体的处理气体；向所述等离子体生成部供给源射频信号，来从所述处理气体生成等离子体；以及向所述基板支承部供给偏压信号，在所述蚀刻的工序中，一边在所述掩模膜的表面的至少一部分形成含碳膜，一边至少通过从所述处理气体生成的氟化氢来蚀刻所述含硅膜。2.根据权利要求1所述的等离子体处理方法，其特征在于，所述等离子体处理装置是将所述等离子体生成部和所述基板支承部作为电极的电容耦合型的等离子体处理装置。3.根据权利要求1所述的等离子体处理方法，其特征在于，所述等离子体处理装置是电感耦合型的等离子体处理装置。4.根据权利要求3所述的等离子体处理方法，其特征在于，所述等离子体生成部具备与所述基板支承部相向地配置的天线，所述腔室具有侧壁以及配置于所述基板支承部与所述天线之间的电介质窗，所述等离子体处理装置具有配置于所述电介质窗的第一气体注入部以及配置于所述侧壁的第二气体注入部，在所述蚀刻的工序中，所述处理气体从所述第一气体注入部和所述第二气体注入部供给到所述腔室内。5.根据权利要求1所述的等离子体处理方法，其特征在于，所述处理气体包含含氮气体。6.根据权利要求5所述的等离子体处理方法，其特征在于，所述含氮气体是氮气体或三氟化氮。7.根据权利要求1所述的等离子体处理方法，其特征在于，在所述处理气体中，氢原子的数量相对于氟原子的数量之比为0.2以上。8.根据权利要求1所述的等离子体处理方法，其特征在于，在所述蚀刻的工序中，所述腔室内的压力为50mTorr以下。9.根据权利要求1所述的等离子体处理方法，其特征在于，所述源射频信号的功率比所述偏压信号的功率大。10.根据权利要求1所述的等离子体处理方法，...

【专利技术属性】
技术研发人员：米泽隆宏，胜沼隆幸，石川慎也，田中康基，熊仓翔，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：