基片载置台、基片处理装置和基片载置台的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供基片载置台、基片处理装置和基片载置台的制造方法，该基片载置台具有用于吸附基片的吸附电极，并且使在形成有气体供给孔的基片载台的表面形成的电场均匀化。在利用静电吸附力保持基片的基片载置台中，电介质层层叠在基座的上部侧，其上表面成为上述基片的载置面，使静电吸附力产生的吸附电极埋设在该电介质层中。用于向基片供给气体的气体供给孔贯通基座、吸附电极和电介质层并在载置面开口，形成于上述吸附电极的贯通孔以经由隔离部隔离地包围上述气体供给孔的方式设置，由导体构成的屏蔽层与上述吸附电极电隔离地配置，以俯视时覆盖上述隔离部的至少一部分且包围上述气体供给孔的方式形成。气体供给孔的方式形成。气体供给孔的方式形成。

【技术实现步骤摘要】
基片载置台、基片处理装置和基片载置台的制造方法


[0001]本专利技术涉及基片载置台、基片处理装置和基片载置台的制造方法。

技术介绍

[0002]在FPD(Flat Panel Display)或半导体装置的制造步骤中，存在在利用静电吸附力将基片(玻璃基片或半导体晶片)固定于基片载置台的状态下，实施蚀刻处理等基片处理的情况。
[0003]在专利文献1中记载有静电吸附装置，其在以贯通静电吸附用的电极层的方式形成传热气体的通孔时，以使电极层不露出于通孔的内壁面的方式形成有掏空部。
[0004]现有技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1：日本特开2005
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136350号公报

技术实现思路

[0007]专利技术要解决的技术问题
[0008]本专利技术提供一种技术，其具有用于吸附基片的吸附电极，并且使在形成有气体供给孔的基片载置台的表面形成的电场均匀化。
[0009]用于解决技术问题的技术方案
[0010]本专利技术是一种利用静电吸附力保持基片的基本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种利用静电吸附力保持基片的基片载置台，其特征在于，包括：基座：层叠在该基座的上部侧的电介质层，其上表面成为所述基片的载置面；埋设在该电介质层中的产生所述静电吸附力的吸附电极；气体供给孔，其贯通所述基座、所述吸附电极和所述电介质层并在所述载置面开口，用于向载置于所述载置面的所述基片供给气体；贯通孔，其作为用于使所述气体供给孔贯通的区域形成在所述吸附电极，以经由隔离部隔离地包围所述气体供给孔的方式设置；以及由导体构成的屏蔽层，其与所述吸附电极电隔离地配置在所述电介质层的内部或者上表面，以从与所述载置面正交的方向俯视时，覆盖所述隔离部的至少一部分，并且包围所述气体供给孔的方式形成。2.如权利要求1所述的基片载置台，其特征在于：在所述屏蔽层配置于所述电介质层的内部的情况下，在沿着与所述载置面正交的方向上，该屏蔽层配置于与所述吸附电极层不同的位置。3.如权利要求2所述的基片载置台，其特征在于：所述屏蔽层以覆盖整个所述隔离部的方式形成。4.如权利要求1～3中任一项所述的基片载置台，其特征在于：所述气体供给孔在贯通所述电介质层的部分中的直径小于1mm。5.如权利要求1～4中任一项所述的基片载置台，其特征在于：包括经由所述载置面进行所述基片的温度调节的温度调节机构，能够对所述气体供给孔供给用...

【专利技术属性】
技术研发人员：深泽润一，边见笃，大上胜行，山科井作，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：