本发明提供基片处理方法和基片处理装置，能够抑制生产率的恶化，并且除去在蚀刻基片表面的钼膜时产生的反应生成物。对多个基片按每个上述基片依次进行处理的基片处理方法中，上述基片在表面具有钼膜，上述基片处理方法包括：(A)将上述基片送入处理容器...

本发明提供一种基板处理装置、基板处理方法以及存储介质。该基板处理装置是与对基板进行涂布液的涂布有关的便利性高的基板处理装置。抗蚀剂涂布装置具备：旋转保持盘，其保持基板来使基板旋转；杯，其以包围被保持于旋转保持盘的基板的方式配置；以及涂布...

本发明提供一种基板处理装置和基板处理方法。该基板处理装置具备：处理容器、将第一气体和第二气体相独立地供给的喷淋头；以及控制部，其中，喷淋头具有用于使第一气体扩散的第一气体扩散室、用于使第二气体扩散的第二气体扩散室、用于喷出第一气体的第一...

本发明提供一种等离子体处理装置和等离子体处理方法，在批量式的等离子体处理装置中更精密地对基板进行等离子体处理。所述等离子体处理装置具备：基板保持部，其能够将多张基板在高度方向上分多层地载置；以及处理容器，其收容所述基板保持部，具有对所述...

本发明提供能够使偏置功率的低频侧的效率提高的基片支承部和等离子体处理装置。基片支承部是能够配置在处理容器内的基片支承部，其包括：由电介质形成的静电吸盘，其具有支承基片的第一支承面，并且从第一支承面侧起依次在内部具有第一电极和第二电极；以...

本发明提供能够高效率地除去颗粒的基片处理系统和颗粒除去方法。颗粒除去动作具有下述工序：在将带电的至少一个带电部件载置在至少一个末端执行器上的状态下，在真空输送模块、基片处理模块、负载锁定模块和大气输送模块中的任一者的内部输送至少一个末端...

本发明提供一种用于运送基板的机器人，该机器人包括臂部、手部、基板姿势取得部、手姿势调整部和控制部。所述手部被设置在所述臂部，保持且运送所述基板。所述基板姿势取得部取得与预定运送的所述基板即运送预定基板的姿势相关的信息。所述手姿势调整部能...

本发明在对形成在基板的正面的含有金属的抗蚀剂膜进行显影时、在基板涂敷含有金属的抗蚀剂而形成抗蚀剂膜且对曝光后的该抗蚀剂膜进行显影时，抑制金属附着到基板的周端面和背面侧周缘部。本发明的涂敷、显影方法包括：在基板(W)的正面涂敷含有金属的抗...

本发明对能够抑制基片处理的成本并且抑制水印的产生的基片处理方法、基片处理装置和计算机可读取的存储介质进行说明。基片处理方法的一例包括：第一步骤，一边使基片旋转一边向基片供给清洗液，在基片形成清洗液的液膜；第二步骤，在第一步骤之后，一边使...

利用能够在基片处理装置的承载器块的承载器送入端口、承载器送出端口、基片接收端口、基片送出端口、第一承载器临时放置部和第二承载器临时放置部之间移载承载器的承载器移载机构，将承载器从移载出发地经由第一承载器临时放置部或第二承载器临时放置部移...

本申请提供一种提高相对于掩膜的选择比的技术。提供在具有腔室的等离子体处理装置中执行的等离子体处理方法以及等离子体处理系统。该方法具备：(a)向腔室内提供具有有机膜和在有机膜上形成的掩膜的基板的工序，掩膜包含含硅膜和在含硅膜上形成的含碳膜...

是对第一基板与第二基板接合而成的重合基板进行处理的基板处理系统，所述基板处理系统具备：加工装置，其对所述第一基板进行磨削；第一厚度测定装置，其测定由所述加工装置进行磨削前的所述第一基板的厚度和包括该第一基板的所述重合基板的整体厚度；以及...

本发明提供能够削减工艺的运行成本的蚀刻控制方法和蚀刻控制系统。蚀刻控制方法包括步骤a、步骤b和步骤c。在步骤a中，收集形状数据，形状数据包含在环组件的表面的多个位置测量出的环组件的高度的信息，环组件以包围用于载置基片的载置台上的区域的方...

本发明提供一种蚀刻方法和等离子体处理装置，能够形成具有良好形状的凹部。蚀刻方法包括以下工序：工序(a)，准备基板，基板具有含硅膜以及含硅膜上的掩模，含硅膜包括第一区域和第二区域，在基板的沿与面方向正交的方向延伸的截面中，第一区域与第二区...

磨削装置具备多个保持盘、工具驱动部、台和台罩。所述保持盘保持基板。所述工具驱动部驱动按压于所述基板的磨削工具。所述台绕旋转中心线保持多个所述保持盘，并以所述旋转中心线为中心旋转。所述台罩与所述台一起旋转。所述台罩包括越远离所述旋转中心线...

本发明提供一种蚀刻方法和等离子体处理装置，能够形成具有良好形状的凹部。蚀刻方法包括以下工序：工序(a)，准备基板，基板具有含硅膜以及含硅膜上的掩模；工序(b)，在工序(a)之后，利用从第一处理气体生成的第一等离子体对含硅膜进行蚀刻来形成...

本公开提供一种模型管理系统、模型管理方法和模型管理程序，用于对应用于基板制造工艺的模型高效地进行管理。该模型管理系统将应用于基板制造工艺的模型分为三层以上的层级进行管理，包括：第一管理单元，用于在规定的层级对模型进行管理；以及一个以上的...

本发明涉及基于模型的控制方法、基于模型的控制系统和程序，可使温度控制部件的温度分布更迅速地接近作为目标的温度分布。基于模型的控制方法包括：步骤a，获取设置于处理装置的、具有能够单独地进行温度控制的多个区域的温度控制部件的包含各个区域的温...

本发明提供一种等离子体处理装置，能够在构成等离子体处理装置所具有的处理容器的顶壁的顶板内抑制电磁波的传播。所述等离子体处理装置具有：处理容器；顶板，其构成所述处理容器的顶壁，所述顶板由第一电介体形成，在所述第一电介体具有开口；透过窗，其...

本发明涉及一种气体供给系统、等离子体处理装置及气体供给方法。气体供给系统具备的控制部执行以下控制：计算在多个气体供给流路的各气体供给流路中流动的主气体的流量；获取在添加气体流路中流动且与在各个气体供给流路中流动的主气体进行混合的添加气体...