等离子体处理装置和等离子体处理方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种等离子体处理装置和等离子体处理方法，在批量式的等离子体处理装置中更精密地对基板进行等离子体处理。所述等离子体处理装置具备：基板保持部，其能够将多张基板在高度方向上分多层地载置；以及处理容器，其收容所述基板保持部，具有对所述基板进行加热的加热部，其中，所述基板保持部具有由电介体形成的多个载置台、以及埋设于多个所述载置台内的第一电极层和第二电极层。台内的第一电极层和第二电极层。台内的第一电极层和第二电极层。

【技术实现步骤摘要】
等离子体处理装置和等离子体处理方法


[0001]本公开涉及一种等离子体处理装置和等离子体处理方法。

技术介绍

[0002]例如，专利文献1公开了一种批量式的装置，该批量式的装置向反应管内供给气体并且利用通过天线产生的磁场成分使该气体活性化来产生等离子体，并一次性地对多张基板进行处理。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2014
‑
93226号公报

技术实现思路

[0006]专利技术要解决的问题
[0007]本公开提供一种能够在批量式的等离子体处理装置中更精密地对基板进行等离子体处理的技术。
[0008]用于解决问题的方案
[0009]根据本公开的一个方式，提供一种等离子体处理装置，该等离子体处理装置具备：基板保持部，其能够将多张基板在高度方向上分多层地载置；以及处理容器，其收容所述基板保持部，具有对所述基板进行加热的加热部，其中，所述基板保持部具有由电介体形成的多个载置台、以及埋设于多个所述载置台内的第一电极层和第二电本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种等离子体处理装置，具备：基板保持部，其能够将多张基板在高度方向上分多层地载置；以及处理容器，其收容所述基板保持部，具有对所述基板进行加热的加热部，其中，所述基板保持部具有由电介体形成的多个载置台、以及埋设于多个所述载置台内的第一电极层和第二电极层。2.一种等离子体处理装置，具备：基板保持部，其能够将多张基板在高度方向上分多层地载置；处理容器，其收容所述基板保持部，具有对所述基板进行加热的加热部；以及等离子体生成机构，其配置于所述处理容器的外部侧壁，具有被供给射频电力即RF电力的相向电极，所述等离子体生成机构生成等离子体，其中，所述基板保持部具有由电介体形成的多个载置台、以及埋设于多个所述载置台内的第一电极层和第二电极层。3.根据权利要求1或2所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述第一电极层和/或所述第二电极层是网格状或膜状的电极。4.根据权利要求3所述的等离子体处理装置，其特征在于，在所述第一电极层和/或所述第二电极层为网格状的情况下，贯通所述网格状的空隙地配置电介体的柱部。5.根据权利要求1至4中的任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述第一电极层被供给RF电力，所述第二电极层与地连接。6.根据权利要求5所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述第二电极层经由阻抗调整器来与地连接。7.根据权利要求5或6所述的等离子体处理装置，其特征在于，多个所述载置台中的第一载置台内的所述第一电极层与同所述第一载置台相邻的第二载置台内的所述第二电极层隔着等离子体处理空间相向，所述第一载置台内的所述第二电极层与同所述第一载置台相邻的第三载置台内的所述第一电极层隔着等离子体处理空间相向，所述基板保持部构成为：当所述第一载置台内和所述第三载置台内的所述第一电极层被供给RF电力时，在所述第一载置台与所述第二载置台之间以及所述第一载置台与所述第三载置台之间的所述等离子体处理空间中生成等离子体，来对多张所述基板进行等离子体处理。8.根据权利要求1至7中的任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述基板保持部在多个所述载置台分别具有用于所述基板的交接的升降销机构。9.根据权利要求1至8中的任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述基板保持部在多个所述载置台分别具有用于载置所述基板的载置面。10...

【专利技术属性】
技术研发人员：池田太郎，松浦广行，川上聪，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：