基片处理系统和颗粒除去方法技术方案

本发明专利技术提供能够高效率地除去颗粒的基片处理系统和颗粒除去方法。颗粒除去动作具有下述工序：在将带电的至少一个带电部件载置在至少一个末端执行器上的状态下，在真空输送模块、基片处理模块、负载锁定模块和大气输送模块中的任一者的内部输送至少一个末端执行器。块中的任一者的内部输送至少一个末端执行器。块中的任一者的内部输送至少一个末端执行器。

【技术实现步骤摘要】
基片处理系统和颗粒除去方法


[0001]本专利技术涉及基片处理系统和颗粒除去方法。

技术介绍

[0002]专利文献1公开了将内置有珀耳帖元件等冷却吸附部的保护部件以覆盖腔室内的载置台的上表面的方式配置，在利用冷却吸附部对保护部件进行冷却的同时进行抽真空来捕集颗粒的技术。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开第2010
‑
103443号公报

技术实现思路

[0006]专利技术要解决的技术问题
[0007]本专利技术提供能够高效率地除去颗粒的技术。
[0008]用于解决技术问题的手段
[0009]本专利技术的一个方面的基片处理系统包括真空输送模块、基片处理模块、大气输送模块、负载锁定模块、至少一个基片输送机器人、和控制部。基片处理模块与真空输送模块连接，能够在减压环境下对基片进行处理。负载锁定模块与真空输送模块和大气输送模块连接，能够在真空输送模块与大气输送模块之间对基片进行中继，负载锁定模块的内部能够切换为减压环境和大气压环境。至少一个基片输送机器人配置在真空输送模块和大气输送模块的内部，包括至少一个末端执行器。控制部能够对颗粒除去动作进行控制。颗粒除去动作具有下述工序：在将带电的至少一个带电部件载置在至少一个末端执行器上的状态下，在真空输送模块、基片处理模块、负载锁定模块和大气输送模块中的任一者的内部输送至少一个末端执行器。
[0010]专利技术效果
[0011]采用本专利技术，能得到能够高效率地除去颗粒的效果。
附图说明
[0012]图1是表示实施方式的基片处理系统的概略结构的一个例子的图。
[0013]图2A是表示实施方式的带电部件的一个例子的图。
[0014]图2B是表示实施方式的带电部件的一个例子的图。
[0015]图3A是表示使实施方式的带电部件带电的带电方法的一个例子的图。
[0016]图3B是表示使实施方式的带电部件带电的带电方法的一个例子的图。
[0017]图3C是表示使实施方式的带电部件带电的带电方法的一个例子的图。
[0018]图3D是表示使实施方式的带电部件带电的带电方法的一个例子的图。
[0019]图3E是表示使实施方式的带电部件带电的带电方法的一个例子的图。
[0020]图3F是表示使实施方式的带电部件带电的带电方法的一个例子的图。
[0021]图4是表示实施方式的基片处理系统的概略结构的一个例子的图。
[0022]图5是表示实施方式的基片处理系统的概略结构的一个例子的图。
[0023]图6A是表示实施方式的清洁晶片的移动路径的一个例子的图。
[0024]图6B是表示实施方式的清洁晶片的移动路径的一个例子的图。
[0025]图7A是表示实施方式的带电部件的一个例子的图。
[0026]图7B是表示实施方式的带电部件的一个例子的图。
[0027]图8是表示实施方式的基片处理系统的概略结构的一个例子的图。
[0028]图9是表示实施方式的颗粒除去方法的流程的流程图。
[0029]图10A是表示颗粒的除去结果的一个例子的图。
[0030]图10B是表示颗粒的除去结果的一个例子的图。
[0031]图11A是表示改变施加电压的情况下的颗粒的捕集效率的变化的一个例子的图。
[0032]图11B是表示改变施加电压的情况下的颗粒的捕集效率的变化的一个例子的图。
[0033]附图标记说明
[0034]1…
基片处理系统，10
…
真空输送室，15
…
第一输送机构，15a
…
第一臂，15a1
…
电源部，15b
…
第二臂，20
…
常压输送室，25
…
第二输送机构，25a
…
臂，25d
…
基座，27a
…
第一拾取器，27b
…
第二拾取器，30
…
控制装置，31
…
存储部，32
…
处理部，33
…
输入输出接口，34
…
显示部，51
…
绝缘膜，53
…
电源，54a、54b
…
带电区域，60、60a、60b
…
颗粒，70
…
带电机构，71
…
物体，80
…
照射部，CW
…
清洁晶片，GV
…
闸阀，LLM、LLM1、LLM2
…
负载锁定模块，LP、LP1～LP5
…
负载端口，PM、PM1～PM8
…
处理模块，ST
…
载置台，W
…
基片。
具体实施方式
[0035]下面，参照附图对本专利技术的基片处理系统和颗粒除去方法的实施方式进行详细说明。此外，本专利技术的基片处理系统和颗粒除去方法不受下面的实施方式限定。
[0036]基片处理系统当在启动时或维护时，将内部向大气开放来实施作业时，存在会因异物的侵入而产生颗粒的情况。例如，基片处理系统当将内部向大气开放来实施作业时，存在大气中的水分附着在内壁上，水分残留，产生作为二次生成物的水合物，从而产生颗粒的情况。另外，基片处理系统当使用时长变长时，存在因生成的沉积物、附着气体等的影响而产生颗粒的情况。
[0037]以往，在基片处理系统中，实施在内部反复输送伪硅晶片(下面，也称为伪晶片)，使颗粒附着在伪晶片上而将颗粒除去的方法。虽然采用这样的以往的方法也能够获得一定的清洁效果，但是自由落下的物质仅是偶尔落在伪晶片上，颗粒的除去效率低。
[0038]因此，期待高效率地除去颗粒的技术。
[0039](实施方式)
[0040](基片处理系统1)
[0041]接着，对实施方式进行说明。图1是表示实施方式的基片处理系统1的概略结构的一个例子的图。基片处理系统1包括多个真空处理室(下面，也称为处理模块)PM1～PM8、真空输送室10和常压输送室20。另外，基片处理系统1还包括多个负载锁定模块LLM1～LLM2、多个负载端口LP1～LP5、和控制装置30。
[0042]此外，在图1的例子中，示出8个处理模块PM1～PM8、2个负载锁定模块LLM1～LLM2和5个负载端口LP1～LP5。但是，基片处理系统1所包括的处理模块PM、负载锁定模块LLM和负载端口LP的数量并不限于图示的数量。下面，在不需要特别区分的情况下，将8个处理模块PM1～PM8统称为处理模块PM。同样地，将2个负载锁定模块LLM1～LLM2统称为负载锁定模块LLM。另外，同样地，将5个负载端口LP1～LP5统称为负载端口LP。此外，本实施方式的基片处理系统1包括至少2本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基片处理系统，其特征在于，包括：真空输送模块；与所述真空输送模块连接的基片处理模块，其能够在减压环境下对基片进行处理；大气输送模块；与所述真空输送模块和所述大气输送模块连接的、能够在所述真空输送模块与所述大气输送模块之间对所述基片进行中继的负载锁定模块，该负载锁定模块的内部能够切换为减压环境和大气压环境；配置在所述真空输送模块和所述大气输送模块的内部的至少一个基片输送机器人，其包括至少一个末端执行器；和能够对颗粒除去动作进行控制的控制部，所述颗粒除去动作具有下述工序：在将带电的至少一个带电部件载置在所述至少一个末端执行器上的状态下，在所述真空输送模块、所述基片处理模块、所述负载锁定模块和所述大气输送模块中的任一者的内部输送所述至少一个末端执行器。2.根据权利要求1所述的基片处理系统，其特征在于：所述颗粒除去动作中，在所述真空输送模块的内部进行输送。3.根据权利要求2所述的基片处理系统，其特征在于：所述颗粒除去动作中，使带电的所述带电部件沿着所述真空输送模块的内部的与所述基片处理模块连接的内侧面移动。4.根据权利要求3所述的基片处理系统，其特征在于：所述至少一个末端执行器包括第一末端执行器和第二末端执行器，所述颗粒除去动作中，在将所述带电部件分别载置在所述第一末端执行器和所述第二末端执行器上的状态下，使带电的所述带电部件沿着所述真空输送模块的内部的与所述基片处理模块连接的内侧面移动。5.根据权利要求3或4所述的基片处理系统，其特征在于：所述颗粒除去动作中，在使带电的所述带电部件沿着所述真空输送模块的内部的与所述基片处理模块连接的内侧面移动时，在与所述基片处理模块连接的连接部位附近使输送暂时停止，并维持第一时长的时间。6.根据权利要求5所述的基片处理系统，其特征在于：所述第一时长为10分钟以上。7.根据权利要求1～6中任一项所述的基片处理系统，其特征在于：所述基片输送机器人在所述末端执行器具有用于使所述带电部件带电的电源部，所述颗粒除去动作中，从所述电源部向载置在所述末端执行器上的所述带电部件供电以使所述带电部件带电来进行输送...

【专利技术属性】
技术研发人员：长池宏史，佐藤直纪，小原真智，长田英之，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：