基板处理装置以及基板处理方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种基板处理装置以及基板处理方法，能够在短时间从预喷出转变为正式喷出，容易将处理液维持为所期望的流量以及温度。本实施方式的基板处理装置(1)包括：旋转部(10)，保持基板(W)而使其旋转；处理液供给部(20)，对于通过旋转部(10)而旋转的基板(W)的被处理面，从喷出部(21)供给处理液(L)，由此来对基板(W)进行处理；以及容纳部(30)，具有上部开口的容器(31)，且可在阻断从喷出部(21)供给处理液(L)的阻断位置与容许从喷出部(21)供给处理液(L)的容许位置之间相对于喷出部(21)而相对移动。相对移动。相对移动。

【技术实现步骤摘要】
基板处理装置以及基板处理方法


[0001]本专利技术涉及一种基板处理装置以及基板处理方法。

技术介绍

[0002]在制造半导体或液晶面板等的制造工序中，使用基板处理装置，所述基板处理装置通过对半导体晶片或液晶基板等的基板的被处理面供给处理液来对被处理面进行处理。
[0003]例如使用逐片式的蚀刻装置，所述逐片式的蚀刻装置是在腔室内一边使保持于旋转平台的基板旋转，一边对基板的旋转中心附近供给蚀刻用的处理液，使处理液在基板的表面展开，由此来逐片地处理基板。而且，在蚀刻处理后使用清洗装置，所述清洗装置是在其他腔室内，一边使保持于旋转平台的基板旋转，一边对基板的旋转中心附近供给清洗用的处理液，由此来清洗基板。
[0004]在此种基板处理装置中，作为将处理液供给至基板上的机构，例如设有摆动臂，所述摆动臂在前端设有喷出处理液的喷嘴。摆动臂是可在喷嘴偏离基板上的待机位置与喷嘴来到基板的中央上方的喷出位置之间摆动地设置，通过在喷出位置对旋转的基板供给处理液，从而对基板进行处理。
[0005]此处，为了获得所期望的处理速率，供给至基板的处理液必须调整为适当的流量、温度。因此，在从供给处理液的喷嘴预先喷出处理液的状态下调整好流量以及温度后，供给至基板。将像这样在对成为制品的基板喷出处理液的正式喷出之前设为喷出处理液的状态的操作称作预喷出。
[0006][现有技术文献][0007][专利文献][0008]专利文献1：日本专利特开2007
‑
258462号公报

技术实现思路

[0009][专利技术所要解决的问题][0010]在进行预喷出时，若在处理液滴落的部位不存在基板，则处理液会飞散至旋转平台的周围而成为颗粒的产生源。因此，在预喷出时，必须将并非为制品的基板保持于旋转平台。将此种用于预喷出的基板称作假基板。在进行预喷出时，需要假基板，因此必须在使处理液喷出前后进行搬入、搬出假基板的作业，因而处理时间变长，生产率下降。
[0011]而且，在预喷出中调整好流量、温度后，直至搬出假基板并搬入成为制品的基板而进行正式喷出为止，对喷嘴供给处理液的配管内的处理液的温度下降。于是，在为了正式喷出而供给处理液时，将喷出温度低的处理液，因此得不到所期望的处理速率。进而，若从暂时停止预喷出直至正式喷出为止耗费时间，则对喷嘴重新开始处理液的供给时的流量变动将变大，因此会产生无法维持适当的流量的情况。
[0012]为了应对此情况，进行下述操作：在喷出处理液的喷嘴位于待机位置的状态下，一边对设在待机位置的预分配(dummy dispense)用的罐(pot)预先供给处理液，一边调整流
量以及温度(参照专利文献1)。但是，此时，即便在待机位置从喷嘴喷出处理液，在进行正式喷出时，仍必须暂时停止处理液的喷出后使喷嘴摆动，而使其移动至处于基板的旋转中心上的喷出位置。因此，与所述同样会产生从喷嘴再次喷出处理液时的温度下降、流量变动的问题。
[0013]本专利技术的实施方式的目的在于提供一种基板处理装置以及基板处理方法，能够在短时间从预喷出转变为正式喷出，容易将处理液维持为所期望的流量以及温度。
[0014][解决问题的技术手段][0015]本专利技术的实施方式的基板处理装置包括：旋转部，保持基板而使其旋转；处理液供给部，对于通过所述旋转部而旋转的所述基板的被处理面，从喷出部供给处理液，由此来对所述基板进行处理；以及容纳部，具有上部开口的容器，且能够在阻断位置与容许位置之间相对于所述喷出部而相对移动，所述阻断位置是所述容器阻断从所述喷出部朝所述基板供给所述处理液的位置，所述容许位置是所述容器容许从所述喷出部朝所述基板供给所述处理液的位置。
[0016]本专利技术的实施方式的基板处理装置包括：旋转部，保持基板而使其旋转；处理液供给部，对于通过所述旋转部而旋转的所述基板的被处理面，从喷出部供给处理液，由此来对所述基板进行处理；容纳部，具有上部开口的容器，且能够在阻断位置与容许位置之间相对于所述喷出部而相对移动，所述阻断位置是所述容器阻断从所述喷出部朝所述基板供给所述处理液的位置，所述容许位置是所述容器容许从所述喷出部朝所述基板供给所述处理液的位置；以及遮蔽部，能够沿接近和远离所述旋转部的方向移动地设置，且非接触地与所述基板相向，
[0017]在所述遮蔽部，设有对跟所述基板相向的面与所述基板之间供给气体的供气部。
[0018]本专利技术的实施方式的基板处理方法对于通过旋转部而旋转的基板的被处理面，从处理液供给部的喷出部供给处理液，由此来对所述基板进行处理，所述基板处理方法中，具有上部开口的容器的容纳部移动到阻断位置，从所述喷出部喷出所述处理液，所述容器阻断从所述喷出部喷出的所述处理液供给至所述基板，流量调整部以及温度调整部对从所述喷出部喷出的所述处理液的流量以及温度进行调整，所述容器相对移动至容许位置，由此，从所述喷出部对所述基板的所述被处理面供给所述处理液。
[0019][专利技术的效果][0020]本专利技术的实施方式可提供一种基板处理装置以及基板处理方法，能够在短时间从预喷出转变为正式喷出，容易将处理液维持为所期望的流量以及温度。
附图说明
[0021]图1是表示第一实施方式的基板处理装置的简略结构图。
[0022]图2的(A)是表示在图1的基板处理装置中，喷出部以及容器处于待机位置的状态的简略结构图，图2的(B)是表示喷出部以及容器一边维持阻断位置一边移动的状态的简略结构图，图2的(C)是表示喷出部以及容器处于容许位置的状态的简略结构图。
[0023]图3是表示在阻断位置与容许位置之间位移的喷出部与容器的说明图。
[0024]图4的(A)是表示有处理液附着于容器的倾斜面的状态的说明图，图4的(B)是表示有处理液附着于容器的铅垂方向的侧面的状态的说明图，图4的(C)是表示容器的变形例的
说明图。
[0025]图5的(A)是表示第二实施方式的基板处理装置的容器处于待机位置的状态的简略结构图，图5的(B)是表示第二实施方式的基板处理装置的容器处于阻断位置的状态的简略结构图。
[0026]图6的(A)是表示在第二实施方式的基板处理装置中，喷出部正进行预喷出的状态的简略结构图，图6的(B)是表示喷出部正进行正式喷出的状态的简略结构图。
[0027]图7是表示在容器设有副容纳部的变形例的立体图。
[0028]图8是表示图7的变形例的动作的说明图。
[0029]图9是表示在容器设有贯穿孔的变形例的说明图。
[0030]图10是表示在容器设有槽的变形例的说明图。
[0031][符号的说明][0032]1、6：基板处理装置
[0033]1a：腔室
[0034]1b：罩
[0035]10：旋转部
[0036]11：旋转体
[0037]11a：相向面
[0038]12：驱动源
[0039]13：保持部
[0040]20：处理液供给部
[0041]21本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基板处理装置，包括：旋转部，保持基板而使其旋转；处理液供给部，对于通过所述旋转部而旋转的所述基板的被处理面，从喷出部供给处理液，由此来对所述基板进行处理；以及容纳部，具有上部开口的容器，且能够在阻断位置与容许位置之间相对于所述喷出部而相对移动，所述阻断位置是所述容器阻断从所述喷出部朝所述基板供给所述处理液的位置，所述容许位置是所述容器容许从所述喷出部朝所述基板供给所述处理液的位置。2.一种基板处理装置，包括：旋转部，保持基板而使其旋转；处理液供给部，对于通过所述旋转部而旋转的所述基板的被处理面，从喷出部供给处理液，由此来对所述基板进行处理；容纳部，具有上部开口的容器，且能够在阻断位置与容许位置之间相对于所述喷出部而相对移动，所述阻断位置是所述容器阻断从所述喷出部朝所述基板供给所述处理液的位置，所述容许位置是所述容器容许从所述喷出部朝所述基板供给所述处理液的位置；以及遮蔽部，能够沿接近和远离所述旋转部的方向移动地设置，且非接触地与所述基板相向，在所述遮蔽部，设有对跟所述基板相向的面与所述基板之间供给气体的供气部。3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中所述喷出部被设在所述遮蔽部。4.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其中所述喷出部能够在喷出位置与待机位置之间移动地设置，所述喷出位置是对所述基板的所述被处理面上喷出所述处理液的位置，所述待机位置是偏离所述基板的所述被处理面的上方的位置，所述容器是在维持所述阻断位置的状态下能够从所述喷出位置朝所述待机位置移动地设置。5.根据权利要求4所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：髙北阳子，
申请(专利权)人：芝浦机械电子装置株式会社，
类型：发明
国别省市：