本发明专利技术提供一种基板处理装置及基板处理方法。基板处理装置(100)包括：处理槽(105)、第一盖体(111)、外槽(110)、处理液导入部(125)、第一气体供给部(200)、以及第二气体供给部(210)。处理槽(105)贮存用来浸渍基板(W)的处理液(LQ)。第一盖体(111)覆盖处理槽(105)的上部开口(106a)。外槽(110)配置于处理槽(105)的外侧，供处理液(LQ)中的从处理槽(105)溢出的处理液(LQ)流入。处理液导入部(125)能够将贮存于外槽(110)的处理液(LQ)导入至处理槽(105)。第一气体供给部(200)向贮存于处理槽(105)的处理液(LQ)供给第一惰性气体(GA1)。第二气体供给部(210)向外槽(110)的内部供给第二惰性气体(GA2)。二惰性气体(GA2)。二惰性气体(GA2)。
【技术实现步骤摘要】
基板处理装置及基板处理方法
[0001]本专利技术涉及一种基板处理装置及基板处理方法。
技术介绍
[0002]专利文献1所记载的基板处理装置包括：处理槽、基板保持部、流体供给部、以及控制部。处理槽贮存用于对基板进行处理的处理液。基板保持部在处理槽的处理液内保持基板。流体供给部向处理槽供给流体。流体为气体。控制部对流体供给部进行控制。控制部对流体供给部进行控制，以使在从开始对贮存有浸渍了基板的处理液的处理槽供给流体至结束对贮存有浸渍了基板的处理液的处理槽供给流体的期间，流体供给部变更流体的供给。
[0003][现有技术文献][0004][专利文献][0005][专利文献1]日本专利特开2020
‑
47885号公报
技术实现思路
[0006][专利技术所要解决的问题][0007]然而，在专利文献1所记载的基板处理装置中，只不过是通过流体供给部向处理槽的内槽供给惰性气体而在贮存于内槽的处理液内形成气泡。因此，惰性气体的有效性是有限的。
[0008]因此，本申请的专利技术人对可提高惰性气体的有效性而有效果地对基板进行处理的技术反复进行了努力研究。
[0009]本专利技术的目的在于提供一种可提高惰性气体的有效性而有效果地对基板进行处理的基板处理装置及基板处理方法。
[0010][解决问题的技术手段][0011]根据本专利技术的一方面，基板处理装置包括：处理槽、第一盖体、外槽、处理液导入部、第一气体供给部、以及第二气体供给部。处理槽贮存用来浸渍基板的处理液。第一盖体覆盖所述处理槽的上部开口。外槽配置于所述处理槽的外侧，供所述处理液中的从所述处理槽溢出的处理液流入。处理液导入部能够将贮存于所述外槽的处理液导入至所述处理槽。第一气体供给部向贮存于所述处理槽的所述处理液供给第一惰性气体。第二气体供给部向所述外槽的内部供给第二惰性气体。
[0012]在本专利技术的一实施例中，优选为基板处理装置还包括基板保持部。优选为基板保持部沿着规定方向保持多个所述基板，并将所述多个基板浸渍于所述处理槽中所贮存的所述处理液。优选为所述处理槽包括沿着所述规定方向延伸的一对侧壁。优选为所述第一盖体包括与所述处理液接触的接触部。优选为所述接触部相对于所述多个基板分隔。优选为所述接触部包括第一倾斜部以及第二倾斜部。优选为第一倾斜部在所述第一盖体覆盖所述处理槽的所述上部开口的状态下，从与所述多个基板的顶部相向的位置朝向所述一对侧壁中的其中一个侧壁之侧向斜上方倾斜。优选为第二倾斜部在所述第一盖体覆盖所述处理槽
的所述上部开口的状态下，从与所述多个基板的顶部相向的所述位置朝向所述一对侧壁中的另一个侧壁之侧向斜上方倾斜。
[0013]在本专利技术的一实施例中，优选为所述第二气体供给部配置于所述外槽的内部，朝向下方喷出所述第二惰性气体。
[0014]在本专利技术的一实施例中，优选为所述第二气体供给部配置于所述外槽的内部，朝向上方喷出所述第二惰性气体。
[0015]在本专利技术的一实施例中，优选为基板处理装置还包括气体流量调节部以及第一控制部。优选为气体流量调节部对所述第一惰性气体的流量进行调节。优选为第一控制部对所述气体流量调节部进行控制。优选为所述第一控制部对所述气体流量调节部进行控制，以使所述基板未浸渍于所述处理液的期间中的所述第一惰性气体的流量比将所述基板浸渍于所述处理液的期间中的所述第一惰性气体的流量大。
[0016]在本专利技术的一实施例中，优选为所述第一控制部对所述气体流量调节部进行控制，以使在所述基板未浸渍于所述处理液的所述期间中，所述第一惰性气体的流量成为最大流量。
[0017]在本专利技术的一实施例中，优选为所述处理液导入部包括配管以及泵。优选为配管将所述外槽与所述处理槽连接，供所述处理液流动。优选为泵经由所述配管而从所述外槽朝向所述处理槽送出所述处理液。优选为所述基板处理装置还包括对所述泵进行控制的第二控制部。优选为所述第二控制部对所述泵进行控制，以使将所述基板浸渍于所述处理液的期间中的在所述配管中流动的所述处理液的流量比所述基板未浸渍于所述处理液的期间中的在所述配管中流动的所述处理液的流量小。
[0018]在本专利技术的一实施例中，优选为所述第二控制部在将所述基板浸渍于所述处理液的所述期间中使所述泵停止。
[0019]在本专利技术的一实施例中，优选为所述第二控制部对所述泵进行控制，以使在所述基板未浸渍于所述处理液的所述期间中，在所述配管中流动的所述处理液的流量成为最大流量。
[0020]在本专利技术的一实施例中，优选为基板处理装置还包括第二盖体。优选为第二盖体覆盖所述外槽的上部开口。优选为所述第一盖体覆盖所述处理槽的所述上部开口及所述第二盖体。
[0021]在本专利技术的一实施例中，优选为所述处理液为碱性。
[0022]根据本专利技术的另一方面，基板处理方法由基板处理装置执行，所述基板处理装置包括：处理槽，贮存对基板进行处理的处理液；外槽，供所述处理液中的从所述处理槽溢出的处理液流入；以及处理液导入部，能够将贮存于所述外槽的处理液导入至所述处理槽。基板处理方法包括第一气体供给工序以及第二气体供给工序。在第一气体供给工序中，向贮存于所述处理槽的所述处理液供给第一惰性气体。在第二气体供给工序中，向所述外槽的内部供给第二惰性气体。
[0023][专利技术的效果][0024]通过本专利技术，可提供一种可提高惰性气体的有效性而有效果地对基板进行处理的基板处理装置及基板处理方法。
附图说明
[0025]图1是表示本专利技术的实施方式的基板处理装置的示意性剖面图。
[0026]图2是表示本实施方式的处理液的溶解氧浓度与蚀刻量的关系的图表。
[0027]图3是表示本实施方式的气泡的供给时间与处理液中的溶解氧浓度的关系的图表。
[0028]图4A是表示本实施方式的基板浸渍于处理液之前的状态的图。图4B是表示本实施方式的基板浸渍于处理液的状态的图。
[0029]图5是表示本实施方式的第一盖体及第二盖体拆下时的基板处理装置的示意性平面图。
[0030]图6是沿着图5的VI
‑
VI线的剖面图。
[0031]图7是表示本实施方式的第一盖体拆下时的基板处理装置的示意性平面图。
[0032]图8是表示本实施方式的第一盖体的示意性平面图。
[0033]图9A是表示本实施方式的第一盖体关闭的状态的示意图。图9B是表示本实施方式的第一盖体打开的状态的示意图。
[0034]图10是表示本实施方式的第一气体供给部的示意性平面图。
[0035]图11是表示本实施方式的导入部的示意性后视图。
[0036]图12是表示本实施方式的处理槽内的处理液的溶解氧浓度的控制的图。
[0037]图13是表示本实施方式的基板处理方法的前段的流程图。
[0038]图14是表示本实施方式的基板处理方法的后段的流程图。
[0039]图15是表示本实施方式的基板处理方法的另一例中的后段的流程图。
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【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种基板处理装置，包括：处理槽，贮存用来浸渍基板的处理液；第一盖体，覆盖所述处理槽的上部开口；外槽，配置于所述处理槽的外侧，供所述处理液中的从所述处理槽溢出的处理液流入；处理液导入部，能够将贮存于所述外槽的处理液导入至所述处理槽；第一气体供给部，向贮存于所述处理槽的所述处理液供给第一惰性气体；以及第二气体供给部，向所述外槽的内部供给第二惰性气体。2.根据权利要求1所述的基板处理装置，还包括基板保持部，所述基板保持部沿着规定方向保持多个所述基板，并将所述多个基板浸渍于所述处理槽中所贮存的所述处理液，所述处理槽包括沿着所述规定方向延伸的一对侧壁，所述第一盖体包括与所述处理液接触的接触部，所述接触部相对于所述多个基板分隔，所述接触部包括：第一倾斜部，在所述第一盖体覆盖所述处理槽的所述上部开口的状态下，从与所述多个基板的顶部相向的位置朝向所述一对侧壁中的其中一个侧壁之侧向斜上方倾斜；以及第二倾斜部，在所述第一盖体覆盖所述处理槽的所述上部开口的状态下，从与所述多个基板的顶部相向的所述位置朝向所述一对侧壁中的另一个侧壁之侧向斜上方倾斜。3.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其中，所述第二气体供给部配置于所述外槽的内部，朝向下方喷出所述第二惰性气体。4.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其中，所述第二气体供给部配置于所述外槽的内部，朝向上方喷出所述第二惰性气体。5.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，还包括：气体流量调节部，对所述第一惰性气体的流量进行调节；以及第一控制部，对所述气体流量调节部进行控制，所述第一控制部对所述气体流量调节部进行控制，以使所述基板未浸渍于所述处理液的期间中的所述第一惰性气体的流量比将所述基板浸渍于所述处理液的期间中的所述第一惰性气...
【专利技术属性】
技术研发人员：佐佐木光敏，
申请(专利权)人：株式会社斯库林集团，
类型：发明
国别省市：
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