【技术实现步骤摘要】
基板处理装置及基板处理方法
[0001]本专利技术涉及一种基板处理装置及基板处理方法。
技术介绍
[0002]专利文献1所记载的基板处理装置包括:处理槽、基板保持部、流体供给部、以及控制部。处理槽贮存用于对基板进行处理的处理液。基板保持部在处理槽的处理液内保持基板。流体供给部向处理槽供给流体。流体为气体。控制部对流体供给部进行控制。控制部对流体供给部进行控制,以使在从开始对贮存有浸渍了基板的处理液的处理槽供给流体至结束对贮存有浸渍了基板的处理液的处理槽供给流体的期间,流体供给部变更流体的供给。
[0003][现有技术文献][0004][专利文献][0005][专利文献1]日本专利特开2020
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47885号公报
技术实现思路
[0006][专利技术所要解决的问题][0007]然而,在专利文献1所记载的基板处理装置中,只不过是通过流体供给部向处理槽的内槽供给惰性气体而在贮存于内槽的处理液内形成气泡。因此,惰性气体的有效性是有限的。
[0008]因此,本申请的专利技术人对可提高惰 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种基板处理装置,包括:处理槽,贮存用来浸渍基板的处理液;第一盖体,覆盖所述处理槽的上部开口;外槽,配置于所述处理槽的外侧,供所述处理液中的从所述处理槽溢出的处理液流入;处理液导入部,能够将贮存于所述外槽的处理液导入至所述处理槽;第一气体供给部,向贮存于所述处理槽的所述处理液供给第一惰性气体;以及第二气体供给部,向所述外槽的内部供给第二惰性气体。2.根据权利要求1所述的基板处理装置,还包括基板保持部,所述基板保持部沿着规定方向保持多个所述基板,并将所述多个基板浸渍于所述处理槽中所贮存的所述处理液,所述处理槽包括沿着所述规定方向延伸的一对侧壁,所述第一盖体包括与所述处理液接触的接触部,所述接触部相对于所述多个基板分隔,所述接触部包括:第一倾斜部,在所述第一盖体覆盖所述处理槽的所述上部开口的状态下,从与所述多个基板的顶部相向的位置朝向所述一对侧壁中的其中一个侧壁之侧向斜上方倾斜;以及第二倾斜部,在所述第一盖体覆盖所述处理槽的所述上部开口的状态下,从与所述多个基板的顶部相向的所述位置朝向所述一对侧壁中的另一个侧壁之侧向斜上方倾斜。3.根据权利要求1或2所述的基板处理装置,其中,所述第二气体供给部配置于所述外槽的内部,朝向下方喷出所述第二惰性气体。4.根据权利要求1或2所述的基板处理装置,其中,所述第二气体供给部配置于所述外槽的内部,朝向上方喷出所述第二惰性气体。5.根据权利要求1或2所述的基板处理装置,还包括:气体流量调节部,对所述第一惰性气体的流量进行调节;以及第一控制部,对所述气体流量调节部进行控制,所述第一控制部对所述气体流量调节部进行控制,以使所述基板未浸渍于所述处理液的期间中的所述第一惰性气体的流量比将所述基板浸渍于所述处理液的期间中的所述第一惰性气...
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