【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术关于一种用以处理基板的基板处理方法以及用以处理基板的基板处理装置。作为处理对象的基板例如包括半导体晶圆、液晶显示设备以及有机el(electroluminescence；电致发光)显示设备等的fpd(flat panel dis play；平板显示器)用基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板、光罩用基板、陶瓷基板、太阳电池用基板等。
技术介绍
1、下述专利文献1中公开了一种基板处理，在对基板的器件形成面供给蚀刻液时，对器件非形成面供给蚀刻阻碍液。该基板处理中，通过用蚀刻阻碍液稀释蚀刻液，能够降低蚀刻速率。
2、现有技术文献
3、专利文献
4、专利文献1：日本专利特开2016-139743号公报。
技术实现思路
1、专利技术要解决的问题
2、专利文献1中公开的基板处理中，蚀刻阻碍液与蚀刻液的碰撞的边界不明确。因此，难以在基板的端缘及其附近划定要被蚀刻液所处理的区域。
3、因此，本专利技术的一个目的在于提供一种能够高精度地用药液来处理基板的外周端的基板处理方法以及基板处理装置。
4、用于解决问题的手段
5、本专利技术的一实施方式提供一种基板处理方法，用以处理基板，所述基板具有：第一主表面，具有第一周缘部；第二主表面，为与所述第一主表面为相反侧的面且具有第二周缘部；以及外周端，连接所述第一周缘部以及所述第二周缘部。
6、所述基板处理方法包含：保护膜形成工序，对所述第一主表面供给保
7、根据该基板处理方法，在对第一主表面供给保护膜形成液并在第一主表面的第一周缘部形成保护膜后，在第一周缘部形成有保护膜的状态下，对第二主表面供给药液。通过对第二主表面供给药液，所述药液到达连接第一主表面的第一周缘部以及第二主表面的第二周缘部的外周端，所述外周端被药液处理。
8、于外周端被药液处理时，第一主表面的第一周缘部由保护膜保护。因此，即使第二主表面上的药液沿着第二周缘部以及外周端到达第一周缘部，亦能够抑制第一周缘部被药液处理。因此，能够选择性地用药液处理基板的外周端。
9、结果，能够用药液高精度地处理基板的外周端。
10、本专利技术的一实施方式中，所述保护膜形成工序包含：高速旋转工序，在保护膜形成液附着于所述第一主表面的状态下，使所述基板以第一速度绕着通过所述第一主表面的中心部的旋转轴线旋转。所述基板处理方法进一步地包含：旋转干燥工序，在所述第一药液供给工序后，使所述基板以低于所述第一速度的第二速度旋转从而使所述基板干燥。
11、根据该基板处理方法，在保护膜形成工序中，在保护膜形成液附着于第一主表面的状态下，以高于干燥基板时的第二速度的第一速度使基板旋转。因此，能够抑制第一主表面上的保护膜形成液经由外周端到达第二周缘部。
12、本专利技术的一实施方式中，所述第一药液供给工序包含：低速旋转工序，对所述第二主表面供给药液，并以低于所述第一速度以及所述第二速度的第三速度使所述基板旋转。
13、根据该基板处理方法，在保护膜形成液附着于第一主表面的状态下，以高于第一药液供给工序中的第三速度的第一速度使基板旋转。因此，能够进一步抑制第一主表面上的保护膜形成液经由外周端到达第二周缘部。
14、本专利技术的一实施方式中，所述保护膜去除工序也可包含：去除液供给工序，将去除所述保护膜的去除液供给至所述第一主表面。而且，所述保护膜去除工序也可包含：光照射工序，对所述第一主表面照射光。
15、本专利技术的一实施方式中，所述保护膜形成工序包含如下工序：以所述第一主表面中与所述第一周缘部邻接的内侧区域露出的方式，在所述第一周缘部形成所述保护膜。
16、因此，与形成于整个第一主表面的情形相比，能够减少保护膜形成液的使用量，且能够缩小第一主表面中形成保护膜的区域。而且，因第一主表面中与第一周缘部邻接的内侧区域未形成保护膜，故能够预先防止在保护膜去除工序后保护膜作为残渣而残留于内侧区域。
17、本专利技术的一实施方式中，所述第一药液供给工序包含如下工序：使药液从所述第二主表面经由所述外周端到达所述第一周缘部。在所述保护膜形成工序中所形成的所述保护膜的内周端位于所述第一主表面的所述第一周缘部中较药液所到达的位置更内侧处。
18、因此，即使于以较第一周缘部更内侧的区域露出的方式形成保护膜的情形下，亦能够可靠性高地抑制药液到达较保护膜的内周端更内侧处。
19、本专利技术的一实施方式中，所述保护膜形成工序包含如下工序：在整个所述第一主表面形成所述保护膜。根据该基板处理方法，能够保护整个第一主表面不受药液影响。
20、本专利技术的一实施方式中，所述基板处理方法进一步地包含：第二药液供给工序，在所述第一药液供给工序中的对所述第二主表面供给药液的过程中，向所述保护膜的表面供给药液。能够用药液清洗附着于保护膜的表面的粒子等。因此，在通过保护膜去除工序去除保护膜时，能够抑制第一主表面被附着于保护膜的粒子等污染。
21、本专利技术的一实施方式中，所述保护膜形成工序也可包含：聚合物膜形成工序，通过将含有聚合物的聚合物含有液作为所述保护膜形成液供给至所述第一主表面，从而形成含有聚合物的聚合物膜来作为所述保护膜。而且，所述保护膜形成工序也可包含：疏水膜形成工序，通过将疏水化液作为所述保护膜形成液供给至所述第一主表面，从而形成疏水膜来作为所述保护膜。
22、本专利技术的另一实施方式提供一种基板处理装置，用以处理基板，所述基板具有：第一主表面，具有第一周缘部；第二主表面，为与所述第一主表面为相反侧的面且具有第二周缘部；以及外周端，连接所述第一周缘部以及所述第二周缘部。
23、所述基板处理装置包含：保护膜形成构件，对所述第一主表面供给保护膜形成液，在所述第一周缘部形成保护膜；药液供给构件，在所述第一周缘部形成有所述保护膜的状态下，对所述第二主表面供给药液，并用药液处理所述第二主表面以及所述外周端；以及保护膜去除单元，去除所述保护膜。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种基板处理方法，用以处理基板，
2.如权利要求1所述的基板处理方法，其中，
3.如权利要求2所述的基板处理方法，其中，
4.如权利要求1至3中任一项所述的基板处理方法，其中，
5.如权利要求1至3中任一项所述的基板处理方法，其中，
6.如权利要求1至5中任一项所述的基板处理方法，其中，
7.如权利要求6所述的基板处理方法，其中，
8.如权利要求1至5中任一项所述的基板处理方法，其中，
9.如权利要求8所述的基板处理方法，其中，
10.如权利要求1至9中任一项所述的基板处理方法，其中，
11.如权利要求1至9中任一项所述的基板处理方法，其中，
12.一种基板处理装置，用以处理基板，
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种基板处理方法，用以处理基板，
2.如权利要求1所述的基板处理方法，其中，
3.如权利要求2所述的基板处理方法，其中，
4.如权利要求1至3中任一项所述的基板处理方法，其中，
5.如权利要求1至3中任一项所述的基板处理方法，其中，
6.如权利要求1至5中任一项所述的基板处理方法，其中，
<...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。