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东京毅力科创株式会社专利技术
东京毅力科创株式会社共有7373项专利
等离子体处理装置制造方法及图纸
本发明提供一种能够进行环组件相对于基板支承部的适当的定位的等离子体处理装置。一种等离子体处理装置,其包括:等离子体处理腔室;具有基板支承面和环支承面的基板支承部;具有至少3个贯通孔的绝缘性环,贯通孔分别具有上侧孔部分和下侧孔部分,所述上...
基片处理装置和基片处理方法制造方法及图纸
本发明提供基片处理装置和基片处理方法,在使用具有环部件的基片处理装置的基片处理中,抑制由环部件的温度引起的不良情况发生,其中,该环部件包围载置台的载置面的周围。处理基片的基片处理装置包括:在内部处理上述基片的处理腔室;构成该处理腔室的腔...
基片处理装置和基片处理方法制造方法及图纸
本发明提供基片处理装置和基片处理方法,在使用具有环部件的基片处理装置的基片处理中,抑制由环部件的温度引起的不良情况发生,其中,该环部件包围载置台的载置面的周围。处理基片的基片处理装置包括:在内部处理上述基片的处理腔室;构成该处理腔室的腔...
测定器制造技术
示例性实施方式所涉及的测定器具备基座基板、设置于基座基板上的传感器芯片及设置于基座基板上的电路板。传感器芯片具备传感器部,所述传感器部包括具有与基座基板的径向交叉的前表面的信号电极、配置于信号电极的后侧的保护电极及配置于保护电极的后侧的...
测定器制造技术
示例性实施方式所涉及的测定器具备基座基板、设置于基座基板上的传感器芯片及设置于基座基板上的电路板。传感器芯片具备传感器部,所述传感器部包括具有与基座基板的径向交叉的前表面的信号电极、配置于信号电极的后侧的保护电极及配置于保护电极的后侧的...
控制装置和存储介质制造方法及图纸
本发明提供一种控制装置和存储介质。提供能够抑制基板的周缘部处的斜切处理的切割宽度的变动的技术。基板处理装置向旋转的基板的周缘部赋予处理液。基板处理装置具备旋转保持部、处理液喷出部、变动幅度获取部以及喷出控制部。旋转保持部保持基板而使基板...
蚀刻方法和蚀刻装置制造方法及图纸
蚀刻方法具备如下工序:将具有层叠第1氧化硅系膜与氮化硅系膜与第2氧化硅系膜而成的3层层叠膜的基板设置于腔室内的工序;和,在腔室内,使用HF
基片处理装置、处理液供给方法和计算机存储介质制造方法及图纸
本发明提供能够抑制处理液供给管路内的处理液的滞留,提高处理液的清洁度的基片处理装置、处理液供给方法和计算机存储介质。基片处理装置包括:保持基片并使其旋转的基片保持部;向基片释放处理液的释放部;和液供给装置,液供给装置具有:向释放部供给处...
基片处理装置、基片处理方法和存储介质制造方法及图纸
本发明提供能够不对基片的正面侧进行不需要的处理,而在该基片的整个背面进行光照射将有机物除去的基片处理装置、基片处理方法和存储介质。基片处理装置包括:基片保持部,其能够以与基片的背面局部地重叠的方式保持所述基片;光照射部,其能够对所述基片...
接合方法和接合装置制造方法及图纸
本发明提供一种接合方法和接合装置,能够控制将第一基板与第二基板接合而成的重合基板的翘曲。本发明的接合方法包括:使用第一保持部来吸附并保持第一基板;使用第二保持部来吸附并保持第二基板;以及通过使第一保持部与第二保持部相对地移动来使第一基板...
等离子体处理装置和等离子体处理装置的制造方法制造方法及图纸
本发明涉及等离子体处理装置和等离子体处理装置的制造方法。提供一种能够稳定地抑制在处理容器的等离子体处理空间暴露的构件的异常放电的技术。等离子体处理装置具备:处理容器,其在内部具有等离子体处理空间;第1构件,其设于处理容器的内部,具有在等...
等离子体处理装置和气体供给方法制造方法及图纸
本发明提供控制等离子体处理的面内均匀性的等离子体处理装置和气体供给方法。本发明提供一种等离子体处理装置,其特征在于,包括:等离子体处理室,其具有构成为能够支承基片的基片支承部;具有多个气体导入部的喷淋头,其中,上述多个气体导入部构成为能...
机器人以及基板姿势检查方法技术
本发明提供一种用于运送基板的机器人,该机器人包括手部、臂部、基板检测部以及基板姿势检查部。所述手部保持且运送所述基板。所述臂部连接在所述手部,使所述手部移动。所述基板检测部非接触检测所述基板的有无。所述基板姿势检查部根据没有由所述手部所...
晶硅膜形成方法和晶硅膜形成装置制造方法及图纸
本发明提供一种晶硅膜形成方法和晶硅膜形成装置,能够形成粒径更大的晶硅膜。晶硅膜形成方法包括以下工序:在基板上形成第一非晶硅膜;对形成有第一非晶硅膜的基板实施第一退火来形成晶核形成膜,该晶核形成膜形成有硅的晶核;通过蚀刻气体来进行蚀刻;在...
基板处理装置和基板处理方法制造方法及图纸
本发明提供一种基板处理装置和基板处理方法。基板处理装置具备:腔室,其用于收容基板;供气部,其向腔室内供给气体;排气部,其设置有排气调节机构且对腔室内进行排气;压力测定部,其测定腔室的内压;以及控制部,其基于压力测定部的测定结果控制排气调...
翘曲量估计装置和翘曲量估计方法制造方法及图纸
一种翘曲量估计装置,估计基板的翘曲量,所述翘曲量估计装置具备:获取部,其获取估计对象基板的一个表面的摄像图像;计算部,其进行所述估计对象基板的所述一个表面的摄像图像中的、关于基板径向的像素值的变化率的计算;以及估计部,其基于预先求出的、...
基片输送装置和基片输送方法制造方法及图纸
本发明提供能够抑制基片输送装置中的颗粒向外部放出的基片输送装置和基片输送方法。基片输送装置包括:第1壳体,其形成有第1贯通口,在内部设置有第1驱动机构;基片保持部;第2壳体,其形成有第2贯通口,在内部设置有第2驱动机构;排气路径,其从第...
喷嘴、基板处理装置以及基板处理方法制造方法及图纸
本发明涉及喷嘴、基板处理装置以及基板处理方法。能够在使用流体与处理液的混合流体的液处理中将流体与处理液高效地混合。喷嘴是将包含加压后的纯水的蒸气或雾沫的流体与至少包含硫酸的处理液混合并喷出的喷嘴。喷嘴具备第1喷出口、第2喷出口以及导出路...
检测系统、检测方法以及存储介质技术方案
本发明提供一种检测系统、检测方法以及存储介质,使得能够更有效地活用检测用基板。检测系统检测基板处理装置的处理空间内的构造物的状态,具备对基板进行处理的基板处理装置,并具备:检测用基板,其设置有检测构造物的状态的状态检测部;搬送装置,其构...
等离子体处理装置和电位控制方法制造方法及图纸
本发明提供能够在基片侧和边缘环侧独立地控制电位的等离子体处理装置和电位控制方法。等离子体处理装置包括:腔室;用于产生电偏置的偏置电源;用于在腔室内支承基片和边缘环的基片支承器,其包括用于保持基片的第一区域、以包围第一区域的方式设置的用于...
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