测定器制造技术

示例性实施方式所涉及的测定器具备基座基板、设置于基座基板上的传感器芯片及设置于基座基板上的电路板。传感器芯片具备传感器部，所述传感器部包括具有与基座基板的径向交叉的前表面的信号电极、配置于信号电极的后侧的保护电极及配置于保护电极的后侧的第1接地电极。传感器芯片包括沿传感器部的下表面延伸的第2接地电极。第2接地电极与传感器部之间仅由绝缘材料填充。由绝缘材料填充。由绝缘材料填充。

【技术实现步骤摘要】
测定器


[0001]本专利技术的示例性实施方式涉及一种测定器。

技术介绍

[0002]在日本特开2017
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3557号公报中记载有具有静电电容测定用的传感器芯片的测定器。该传感器芯片具备第1电极、第2电极及第3电极。第1电极具有第1部分。第2电极具有在第1部分上延伸的第2部分，并且在该传感器芯片内与第1电极绝缘。第3电极具有沿与第1部分及第2部分交叉的方向延伸的前表面，设置于第1部分上且第2部分上，并且在该传感器芯片内与第1电极及第2电极绝缘。

技术实现思路

[0003]在一示例性实施方式中，提供一种测定器。测定器具备圆板状的基座基板、设置于基座基板上的传感器芯片及设置于基座基板上的电路板。传感器芯片具备传感器部，所述传感器部包括：信号电极，具有与基座基板的径向交叉的前表面；保护电极，从信号电极分开而配置于信号电极的后侧，并沿信号电极延伸；及第1接地电极，配置于保护电极的后侧。电路板具备：高频振荡器，以向信号电极及保护电极分别提供高频信号的方式设置；及C/V转换电路，生成与信号电极所形成的静电电容对应的电压信号。C/V转换电路具有包括运算放大器(operational amplifier)的放大电路。高频振荡器以将提供给信号电极的高频信号输入至运算放大器的非反相输入端子的方式与非反相输入端子连接，并且以将提供给信号电极的高频信号输入至运算放大器的反相输入端子的方式与反相输入端子连接。传感器芯片包括沿传感器部的下表面延伸的第2接地电极。传感器部的信号电极、保护电极、第1接地电极均延伸至传感器部的下端。第2接地电极与传感器部之间仅由绝缘材料填充。
附图说明
[0004]图1是例示处理系统的图。
[0005]图2是例示对准器的立体图。
[0006]图3是表示等离子体处理装置的一例的图。
[0007]图4是从上表面侧观察一例测定器时示出的俯视图。
[0008]图5是从底面侧观察一例测定器时示出的俯视图。
[0009]图6是表示第1传感器的一例的立体图。
[0010]图7是沿图6的VII
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VII线剖切的剖视图。
[0011]图8是沿图7的VIII
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VIII线剖切的剖视图。
[0012]图9是沿图7的IX
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IX线剖切的剖视图。
[0013]图10是沿图7的X
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X线剖切的剖视图。
[0014]图11是图5的第2传感器的放大图。
[0015]图12是例示测定器的电路板的结构的图。
[0016]图13是例示测定器的电路板的结构的详细内容的图。
具体实施方式
[0017]以下，对各种示例性实施方式进行说明。
[0018]在一示例性实施方式中，提供一种测定器。测定器具备圆板状的基座基板、设置于基座基板上的传感器芯片及设置于基座基板上的电路板。传感器芯片具备传感器部，所述传感器部包括：信号电极，具有与基座基板的径向交叉的前表面；保护电极，从信号电极分开而配置于信号电极的后侧，并沿信号电极延伸；及第1接地电极，配置于保护电极的后侧。电路板具备：高频振荡器，以向信号电极及保护电极分别提供高频信号的方式设置；及C/V转换电路，生成与信号电极所形成的静电电容对应的电压信号。C/V转换电路具有包括运算放大器的放大电路。高频振荡器以将提供给信号电极的高频信号输入至运算放大器的非反相输入端子的方式与非反相输入端子连接，并且以将提供给信号电极的高频信号输入至运算放大器的反相输入端子的方式与反相输入端子连接。传感器芯片包括沿传感器部的下表面延伸的第2接地电极。传感器部的信号电极、保护电极、第1接地电极均延伸至传感器部的下端。第2接地电极与传感器部之间仅由绝缘材料填充。
[0019]在上述实施方式的测定器中，信号电极被保护电极及第1接地电极相对于后方遮蔽，并且被第2接地电极相对于下方遮蔽。因此，根据该传感器芯片，能够在特定方向即信号电极的前表面所朝向的方向上以高指向性测定静电电容。并且，抑制了相对于保护电极的ESD，因此抑制了ESD经由保护电极破坏运算放大器。
[0020]在一示例性实施方式中，构成传感器部的保护电极可以不包括沿传感器部的下表面延伸的部分。
[0021]在一示例性实施方式中，在俯视观察时，信号电极的前表面、保护电极的前表面及第1接地电极的前表面均可以成为与由基座基板的外周形成的曲面平行的曲面。
[0022]在一示例性实施方式中，传感器芯片可以具备沿传感器部的下表面延伸且包括第2接地电极的第1柔性基板。
[0023]在一示例性实施方式中，传感器芯片可以具备沿传感器部的上表面延伸的第2柔性基板。
[0024]在一示例性实施方式中，信号电极的前表面可以由具有绝缘性的绝缘材料包覆。
[0025]在一示例性实施方式中，包覆信号电极的前表面的绝缘材料可以由硼硅酸盐玻璃或石英形成。
[0026]以下，参考附图对各种实施方式进行详细说明。另外，在各附图中，对相同或相等的部分标注相同的符号。
[0027]关于一示例性实施方式所涉及的测定器，可以通过具有作为输送系统S1的功能的处理系统1进行输送。首先，对处理系统进行说明，所述处理系统具有用于处理被加工物的处理装置及用于将被加工物输送至该处理装置的输送装置。图1是例示处理系统的图。处理系统1具备平台2a～2d、容器4a～4d、装载器模块LM、对准器AN、装载锁定模块LL1、LL2、处理模块PM1～PM6、传输模块TF及控制部MC。另外，平台2a～2d的个数、容器4a～4d的个数、装载锁定模块LL1、LL2的个数及处理模块PM1～PM6的个数并无限定，可以为一个以上的任意个数。
[0028]平台2a～2d沿装载器模块LM的一边缘排列。容器4a～4d分别搭载于平台2a～2d上。容器4a～4d的各自例如为称为FOUP(Front Opening Unified Pod：前开式晶圆传送盒)的容器。容器4a～4d的各自可以构成为容纳被加工物W。被加工物W如晶圆那样具有大致圆盘形状。
[0029]装载器模块LM具有将大气压状态的输送空间划分在其内部的腔室壁。在该输送空间内设置有输送装置TU1。输送装置TU1例如为多关节机器人，并且通过控制部MC进行控制。输送装置TU1构成为在容器4a～4d与对准器AN之间、对准器AN与装载锁定模块LL1～LL2之间、装载锁定模块LL1～LL2与容器4a～4d之间输送被加工物W。
[0030]对准器AN与装载器模块LM连接。对准器AN构成为进行被加工物W的位置的调整(位置的校准)。图2是例示对准器的立体图。对准器AN具有支承台6T、驱动装置6D及传感器6S。支承台6T为能够以沿铅垂方向延伸的轴线为中心进行旋转的台。支承台6T构成为支承被加工物W。支承台6T通过驱动装置6D进行旋转。驱动装置6D通过控制部MC进行控制。在支承台6T通过来自驱动装置6D的动力进行旋转时，载置于该支承台6T上的被加本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种测定器，其具备圆板状的基座基板、设置于所述基座基板上的传感器芯片及设置于所述基座基板上的电路板，所述传感器芯片具备传感器部，所述传感器部包括：信号电极，具有与所述基座基板的径向交叉的前表面；保护电极，从所述信号电极分开而配置于所述信号电极的后侧，并沿所述信号电极延伸；及第1接地电极，配置于所述保护电极的后侧，所述电路板具备：高频振荡器，以向所述信号电极及所述保护电极分别提供高频信号的方式设置；及C/V转换电路，生成与所述信号电极所形成的静电电容对应的电压信号，所述C/V转换电路具有包括运算放大器的放大电路，所述高频振荡器以将提供给所述信号电极的所述高频信号输入至所述运算放大器的非反相输入端子的方式与所述非反相输入端子连接，并且以将提供给所述信号电极的所述高频信号输入至所述运算放大器的反相输入端子的方式与所述反相输入端子连接，所述传感器芯片包括沿所述传感器部的下表面延伸的第2接地电极，所述传感器部的所述信号电极、所述保护电极、所述第1接地电极...

【专利技术属性】
技术研发人员：畑中贵之，横山公宏，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：