测定器制造技术

示例性实施方式所涉及的测定器具备基座基板、设置于基座基板上的传感器芯片及设置于基座基板上的电路板。传感器芯片具备传感器部，所述传感器部包括具有与基座基板的径向交叉的前表面的信号电极、配置于信号电极的后侧的保护电极及配置于保护电极的后侧的第1接地电极。传感器芯片包括沿传感器部的下表面延伸的第2接地电极。第2接地电极与传感器部之间仅由绝缘材料填充。由绝缘材料填充。由绝缘材料填充。

【技术实现步骤摘要】
测定器


[0001]本专利技术的示例性实施方式涉及一种测定器。

技术介绍

[0002]在日本特开2017
‑
3557号公报中记载有具有静电电容测定用的传感器芯片的测定器。该传感器芯片具备第1电极、第2电极及第3电极。第1电极具有第1部分。第2电极具有在第1部分上延伸的第2部分，并且在该传感器芯片内与第1电极绝缘。第3电极具有沿与第1部分及第2部分交叉的方向延伸的前表面，设置于第1部分上且第2部分上，并且在该传感器芯片内与第1电极及第2电极绝缘。

技术实现思路

[0003]在一示例性实施方式中，提供一种测定器。测定器具备圆板状的基座基板、设置于基座基板上的传感器芯片及设置于基座基板上的电路板。传感器芯片具备传感器部，所述传感器部包括：信号电极，具有与基座基板的径向交叉的前表面；保护电极，从信号电极分开而配置于信号电极的后侧，并沿信号电极延伸；及第1接地电极，配置于保护电极的后侧。电路板具备：高频振荡器，以向信号电极及保护电极分别提供高频信号的方式设置；及C/V转换电路，生成与信号电极所形成的静电电容对应的电压信号本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种测定器，其具备圆板状的基座基板、设置于所述基座基板上的传感器芯片及设置于所述基座基板上的电路板，所述传感器芯片具备传感器部，所述传感器部包括：信号电极，具有与所述基座基板的径向交叉的前表面；保护电极，从所述信号电极分开而配置于所述信号电极的后侧，并沿所述信号电极延伸；及第1接地电极，配置于所述保护电极的后侧，所述电路板具备：高频振荡器，以向所述信号电极及所述保护电极分别提供高频信号的方式设置；及C/V转换电路，生成与所述信号电极所形成的静电电容对应的电压信号，所述C/V转换电路具有包括运算放大器的放大电路，所述高频振荡器以将提供给所述信号电极的所述高频信号输入至所述运算放大器的非反相输入端子的方式与所述非反相输入端子连接，并且以将提供给所述信号电极的所述高频信号输入至所述运算放大器的反相输入端子的方式与所述反相输入端子连接，所述传感器芯片包括沿所述传感器部的下表面延伸的第2接地电极，所述传感器部的所述信号电极、所述保护电极、所述第1接地电极...

【专利技术属性】
技术研发人员：畑中贵之，横山公宏，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：