本发明提供一种机器人，该机器人包括引导部、移动部、手部、变形取得部、姿势调整部和控制部。所述移动部被设置在所述引导部，能够在该引导部引导的方向移动。所述手部被设置在所述移动部，保持所述基板。所述变形取得部取得与所述引导部的变形相关的信息...

本发明涉及进行基板的输送的装置和输送基板的方法。提供一种使利用磁悬浮输送基板的基板输送模块洁净化的技术。在相对于进行基板的处理的基板处理室进行基板的输送的装置中，基板输送室具有：地面部，其设有第1磁体；和侧壁部，其形成有开口部，该开口部...

本公开提供一种等离子体处理方法和等离子体处理装置，能够控制开口尺寸。等离子体处理方法包括以下工序：工序(a)，提供具备蚀刻对象膜和掩模膜的基板，掩模膜形成于蚀刻对象膜的上表面，掩模膜具有在蚀刻对象膜的上表面规定出至少一个开口的侧面和从侧...

本发明提供一种成膜方法和成膜装置，能够提高形成金属膜的区域的选择性。成膜方法包括下述(A)～(C)。(A)准备在表面具有含硼的第一膜、以及由与所述第一膜的材料不同的材料形成的第二膜的基板。(B)对所述基板的所述表面供给含卤素和卤素以外的...

本发明提供能够稳定地确认抓持部的动作状态的基片处理装置和动作状态监视方法。基片处理装置包括：能够在多个位置抓持基片的周缘来保持该基片的保持部；使保持部旋转的旋转部；和控制保持部和旋转部的控制部。保持部包括：旋转盘，利用旋转部能够使旋转盘...

本发明涉及基板处理装置和基板处理方法。防止因基板的处理而在该基板的周围产生的沉积物向该基板附着。装置构成为包括：处理容器；等离子体形成机构，其为了处理所述基板而在处理空间形成等离子体；载物台，其为了载置所述基板而设于所述处理空间，包括由...

本发明提供基片支承器、等离子体处理装置和等离子体处理方法，能够适当地调节支承于基片支承器的基片的温度，即使在高温区域中也能够维持静电吸附。本发明的支承基片的基片支承器包括：基座；上述基座上的第一陶瓷层；和上述第一陶瓷层上的第二陶瓷层，上...

本发明提供等离子体处理方法和等离子体处理装置。等离子体处理方法使用等离子体处理装置利用等离子体对基片进行处理，包括基于处理方案进行控制的控制工序，处理方案由多个处理步骤构成，对每个处理步骤设定了用于对基片进行处理的多个处理参数各自的参数...

本公开说明能够高精确地处理被膜的周缘部分的周缘处理装置、周缘处理方法和计算机可读记录介质。周缘处理装置包括：拍摄部，构成为拍摄基片的周缘部，取得拍摄图像，基片包括基准基片和处理基片；第一计算部，以基准基片的中心为基准，计算基准基片的拍摄...

本申请提供能够降低静电吸盘表面的带电量的技术。本申请提供基板的等离子体处理装置中的清洁方法、基板的处理方法以及等离子体处理装置。清洁方法具有(a)在等离子体处理装置的腔室内的静电吸盘上没有保持基板的状态下在腔室内生成等离子体的工序和(b...

本发明提供一种等离子体处理方法和等离子体处理系统。提供一种使蚀刻率提高的技术。提供一种在具有腔室的等离子体处理装置中执行的等离子体处理方法。该方法包括以下工序：工序(a)，向腔室内的基板支承部上提供具有层叠膜的基板，该层叠膜包括硅氧化膜...

一种加工装置，对基板进行加工，所述加工装置具有：磨削机构，其具备用于对由保持机构保持的所述基板进行加工的环状的磨具；磨削水供给机构，其向所述基板的加工面供给磨削水；以及调整水供给机构，其供给用于对所述基板的加工面上的任意位置进行冷却的调...

本发明的半导体装置的制造方法包括：在半导体基板上或在形成于半导体基板的下部电极上，形成电介质膜的工序；使金属选择性地附着在电介质膜的表面上的规定区域的工序；通过对金属实施热处理，在电介质膜的表面上的规定区域形成绝缘性的金属氧化膜的工序；...

本发明的基片处理系统包括等离子体处理模块，上述等离子体处理模块包括：第一环，其配置在载置台的环支承面上；第二环，其配置在上述第一环上，具有比上述第一环的内径小的内径；多个第一支承销，其配置在上述环支承面的下方；和多个第二支承销，其配置在...

本披露的各方面提供了一种成像系统。例如，在该成像系统中，第一光源可以产生第一波长的第一光束，第二光源可以产生第二波长的第二光束，该第二光束具有足以穿过晶圆厚度的至少一部分的功率，对准模块可以将该第二光束与该第一光束同轴对准，同轴模块可以...

本申请所公开的蚀刻方法包含工序(a)，所述工序(a)在等离子体处理装置的腔室内准备基板。基板包含含硅膜及掩模。掩模设置于含硅膜上。蚀刻方法还包含工序(b)，所述工序(b)通过来自在腔室内由处理气体生成的等离子体的化学物种来对含硅膜进行蚀...

本发明提供一种形成图案的方法和形成图案的装置。在一个示例性实施方式中，形成图案的方法包括：(a)在基板上形成具有开口且包含第1材料的第1图案的工序；(b)在开口内形成包含与第1材料不同的第2材料的填充部的工序；及(c)通过去除第1图案，...

本发明提供等离子体处理装置和内腔室，其能够降低基片处理空间内的径向上的气体的流速的不均。所公开的等离子体处理装置在外腔室内包括基片支承部、上部电极、内腔室和排气装置。基片支承部设置于外腔室内。上部电极设置在基片支承部的上方。内腔室在基片...

提供一种抑制蚀刻的形状异常的技术。提供一种在具有腔室的等离子体处理装置中执行的蚀刻方法。该方法包含下述的工序：(a)将具有含硅膜和含硅膜上的掩模的基板提供至腔室内的基板支撑部上的工序；和(b)将含硅膜进行蚀刻的工序，所述(b)的工序包含...

本公开的一个方式的原料供给装置具有：容器，其贮存溶液或分散体系，该溶液是将固体原料溶解于溶剂而得到的溶液，该分散体系是使固体原料分散于分散介质而得到的分散体系；注入部，其将所述溶液或所述分散体系以喷雾的方式注入到所述容器内；以及控制部，...