本发明提供成膜方法和成膜装置。提供一种能够在形成了氮氧化硅膜后控制氮氧化硅膜的膜中氮浓度的技术。本发明的一形态的成膜方法具有以下工序：(a)在基板上形成含有硅(Si)、氧(O)以及氮(N)的膜；以及(b)将形成有所述膜的所述基板暴露于由...

一个示例性实施方式提供一种基板处理方法。基板处理方法包含以下工序：在腔室内准备具有含硅膜的基板的工序；和将包含选自C4H2F6气体、C4H2F8气体、C3H2F4气体及C3H2F6气体中的至少1种气体、HF气体以及卤化磷气体的处理气体导...

本发明提供一种等离子体处理方法和等离子体处理系统，在等离子体处理前适当地对腔室的内部的构件的表面进行预涂布。等离子体处理方法包含以下工序：工序(a)，利用包含不含卤素的前体气体的第一处理气体对腔室的内部的构件的表面形成第一保护膜；以及工...

本公开涉及一种蚀刻方法和蚀刻装置，提高通过蚀刻形成的图案的垂直加工性。蚀刻方法包括工序a)、工序b)、工序c)、工序d)以及工序e)。工序a)提供具有不包含氧及氮的含硅膜、以及形成于含硅膜上的掩模的基板。工序b)利用包含含卤气体的第一处...

本发明提供能够抑制传热气体的泄漏的基片支承器、基片处理装置和静电吸附方法。支承基片的基片支承器包括：基座；静电吸盘，其配置在上述基座的上方，具有用于支承基片的基片支承面；和以包围上述基片支承面上的基片的方式配置的边缘环，上述静电吸盘具有...

本公开提供一种反并联晶闸管的故障检测方法和电力控制装置，检测晶闸管的故障。一种反并联晶闸管的故障检测方法，所述反并联晶闸管具有并联且反向地连接的第一晶闸管和第二晶闸管，所述反并联晶闸管控制从交流电源向负载供给的电力，所述反并联晶闸管的故...

本发明涉及等离子体处理装置和盖构件。即使在处理容器的上部配置有放射微波的放射部的情况下，也能够利用远程等离子体进行清洁。处理容器在内部配置有载置基板的载置台，该处理容器在载置台的上侧形成有开口。盖构件将处理容器的开口密封。盖构件在与载置...

本发明提供在蚀刻中提高垂直性的技术。该蚀刻方法为在等离子体处理装置中对被蚀刻膜进行蚀刻的蚀刻方法，所述等离子体处理装置具备腔室和设置在所述腔室内且按照支撑所述基板的方式所构成的基板支撑器，所述蚀刻方法包含以下工序：将所述具有被蚀刻膜的基...

蚀刻方法包括工序(a)、工序(b)、工序(c)以及工序(d)。在工序(a)中，向载置台上提供具有基底层和形成于基底层上的蚀刻对象膜的基板。在工序(b)中，从处理气体生成等离子体。在工序(c)中，通过向载置台供给具有第一频率的偏压电力对蚀...

本公开涉及一种故障探测方法和等离子体处理装置。是等离子体处理装置中的处于多个局部窗与接地之间的阻抗调整部的故障探测方法，装置具有：金属窗，将处理容器内划分为天线室和处理室，金属窗具有多个局部窗；天线，用于生成电感耦合等离子体；以及静电吸...

本发明提供能够在等离子体处理装置中从反映高频电源的负载的阻抗的匹配状态的信号中除去不需要的成分的等离子体处理装置和处理方法。在本发明的等离子体处理装置中，高频电源能够供给高频电功率以使得生成等离子体。偏置电源能够向基片支承部的电极供给具...

本发明提供能够控制性良好且简易地使晶粒大粒径化的导电性部件的形成方法和沟道的形成方法。首先，在基片上形成第一部分和第二部分，其中，第一部分含有构成要得到的导电性部件的第一元素和与第一元素发生共晶反应的第二元素，第二部分含有与第二元素形成...

在将衬底图案化的方法中，基于沉积在衬底上方的第一层形成第一浮雕图案。用反转材料填充第一浮雕图案中的开口。然后从衬底去除第一浮雕图案，并且反转材料保留在衬底上以限定第二浮雕图案。在衬底上方沉积填充材料，该填充材料与第二浮雕图案接触、并且对...

本发明提供等离子体处理装置和蚀刻方法，其能够在等离子体处理中适当地控制等离子体中的离子相对于基片的边缘区域的入射角度。等离子体处理装置包括：基片支承体，其包括：下部电极；用于支承基片的基片支承面；和以包围基片的方式配置的边缘环；配置于下...

本发明提供一种等离子体处理装置，在等离子体处理时恰当地抑制基片支承部内部发生异常放电。其包括等离子体处理腔室、基片支承部和生成偏置信号的偏置生成部，基片支承部包括：基座；具有第一和第二纵孔的陶瓷部件；环状部件；配置在基片支承面的下方的静...

本发明提供一种流量计校正系统、基板处理装置以及流量计校正方法，能够使流量计的校正作业省力化。流量计校正系统具备：处理液供给线路，其用于向基板供给处理液；流量计，其检测处理液的流量值；处理液排出线路，其设置于比流量计更靠下游侧的位置，用于...

本发明的等离子体处理装置提供能够对基片支承部内的电极高效地供给电功率的改良后的电极构造。等离子体处理装置包括：等离子体处理腔室；基片支承部，其包括：基座；陶瓷部件；环状部件；配置在基片支承面的下方的第一和第二中央电极；第一和第二环状连接...

本发明提供等离子体处理装置和等离子体处理方法，其能够改善等离子体处理中的基片的边缘区域处的倾斜角度的控制性和基片与边缘环之间的异常放电中的至少一者。等离子体处理装置是对基片进行等离子体处理的装置，包括：腔室；配置于上述腔室内的基片支承体...

本发明提供一种基板搬送位置的偏移量探测方法和基板处理装置。基板搬送位置的偏移量探测方法包括以下工序：工序a)，将基板支承面设定为在基板支承面内为相同温度；工序b)，对形成于基板上的第一蚀刻对象膜进行蚀刻；工序c)，获取第一蚀刻对象膜的第...

本发明提供等离子体源和等离子体处理装置，其能够容易地进行等离子体点火，提高气体的分解效率。等离子体源包括：等离子体生成部，其包括具开口的第一壁和与上述第一壁相对的第二壁，并构成等离子体生成空间；电介质窗，其以封闭上述开口的方式设置于上述...