本发明说明基片处理装置和基片处理方法，其在利用多种处理液的液处理部中进行基片处理时能够抑制从液处理部排出的排气流入与该排气所对应的独立排气管不同的独立排气管。基片处理装置包括：将种类不同的多个处理液分别供给到基片的表面的液处理部；和将从...

本发明提供一种对进行等离子体处理的处理空间内的状态进行量化的基片处理系统、信息处理装置、信息处理方法和程序。基片处理系统包括：获取部，其在每次对基片进行等离子体处理时，获取多种时序数据；学习部，其通过计算第一阶段中获取的多种时序数据中的...

本发明提供一种处理方法，提供一种能够在基材的表面形成表面粗糙度小的铝的氧化层的技术。本公开的一个方式的处理方法具有以下工序：准备基材；在所述基材的表面形成铝的膜；通过以第一温度对所述基材进行热处理来使所述铝扩散渗透到所述基材；以及通过以...

本发明涉及基板处理装置和基板处理方法。提高基板处理装置的生产率并抑制专用地面面积。装置构成为具备：载体模块，其具备包含基板送入送出用的载体载置部的多个载体载置部；处理模块，其相对于载体模块设于左右的一侧；第1载体载置部和第2载体载置部，...

一个示例性实施方式提供一种基板处理方法。基板处理方法包含以下工序：在腔室内的基板支撑器上准备具有电介质膜的基板的工序；和由包含HF气体和选自C4H2F6气体、C4H2F8气体、C3H2F4气体以及C3H2F6气体中的至少1种C

本发明提供有利于抑制颗粒对基片的附着的基片处理装置和基片处理方法。基片处理装置包括：处理腔室，其具有处理室和与处理室连接的排气室，能够在减压后的气氛的处理室收纳基片；气体供给部，其对处理室中的基片吹送具有比处理室的气氛高的压力的气体；以...

一种射频传感器组件包括设置在中心孔周围的传感器外壳，该传感器外壳包括第一导电盖件和第二导电盖件。该组件包括设置在该中心孔周围的腔并且包括电介质材料，该腔沿着从该中心孔的中心的径向方向由第一主要外表面和第二主要外表面限界，其中，该第一导电...

本发明提供基片处理系统、基片处理方法和基片处理装置。基片处理系统的各部分执行：步骤a，利用光学观察装置，对于具有被处理层和形成在被处理层的图案的基片，按照多个区域的每一区域测定图案的槽宽度；步骤b，按照多个区域的每一区域计算图案的槽宽度...

提供一种控制程序、控制方法以及等离子体处理装置。通过向等离子体生成源供给电源功率并向载置作为处理对象的基板的载置台供给偏压功率来进行等离子体处理的等离子体处理装置的控制程序，所述控制程序用于使计算机执行以下处理：观测所述电源功率或所述偏...

本发明提供一种等离子体处理装置，其包括执行以下步骤a～步骤e的控制部，将基片放置在基片支承件上的步骤a；在腔室中利用第一RF信号和第二RF信号从第一气体形成第一等离子体的步骤b，在步骤b中，第二RF信号以0以上的第一电功率被供给至下部电...

本实用新型涉及基板处理装置。提高基板处理装置的生产率并抑制专用地面面积。装置构成为具备：载体模块，其具备包含基板送入送出用的载体载置部的多个载体载置部；处理模块，其相对于载体模块设于左右的一侧；第1载体载置部和第2载体载置部，其均是载体...

本发明提供一种蚀刻方法和等离子体处理装置，能够形成具有良好的形状的凹部。蚀刻方法包括准备基板的工序。基板包括包含第一材料的第一区域、以及包含与第一材料不同的第二材料的第二区域。蚀刻方法包括利用从包含含钨气体的处理气体生成的等离子体来蚀刻...

一种工作台、检查装置及工作台的动作方法,其能够促进施加于基台的载荷的均匀化。工作台具有:一个基台；四个可动体,其以可升降的方式对上述基台进行支承；四个驱动电动机,其与上述四个可动体的每一个对应设置,使该四个可动体进行个别升降；四个引导部...

本发明提供一种等离子体处理装置，能够减小在等离子体处理时可能产生的、设置于聚焦环的外侧附近的导电性构件与聚焦环之间的电位差。导电性环载置于覆盖环。高频电源与载置台耦合。第一供电线路与聚焦环电连接。第二供电线路与导电性环电连接。直流电源装...

本发明提供基板处理装置和基板处理方法。针对基板处理装置提高生产率且省空间。以具备如下构件的方式构成装置：送入送出区块；处理站，在其与送入送出区块之间输送基板，其相对于送入送出区块设置于左右的一侧；中继区块，其相对于处理站设置于左右的一侧...

本发明涉及剥离方法、剥离装置以及剥离系统。提供一种能够使剥离处理高效化的技术。本公开的一技术方案的剥离方法包含保持的工序和剥离的工序。保持的工序对将第1基板与第2基板接合而成的重合基板进行保持。剥离的工序以重合基板的侧面为起点自重合基板...

本公开提供一种接合装置和接合方法，能够减少重合基板的翘曲。基于本公开的一个方式的接合装置具备第一保持部、第二保持部、吸附压力产生部以及升降销。第一保持部用于保持第一基板。第二保持部设置于与第一保持部相向的位置，所述第二保持部具有用于吸附...

提供一种抑制所配置的设备的占用面积的增大并且利用磁悬浮对基板进行输送的技术。对基板进行处理的装置使用基板输送模块，该基板输送模块包括：载物台，其载置所述基板；行进板；以及第2磁体，其在与第1磁体之间作用有排斥力，该基板输送模块构成为能够...

本发明的课题在于对于形成于具有含有碳的膜的基板的蚀刻形状的底部有效率地供给蚀刻剂，提高蚀刻速率。提供一种蚀刻方法，其具有下述工序：(a)在基板支撑部上提供具有含有碳的膜的基板的工序，以及(b)通过由包含H和O的气体生成的等离子体将上述基...

本发明提供能够更加稳定地进行利用水蒸气的基片处理的基片水蒸气处理方法和基片水蒸气处理系统。基片水蒸气处理方法在处理容器中对基片实施利用水蒸气的处理。在处理容器中连接有至少包括贮水罐和汽化器的供给部以及至少包括气液分离部的排出部。基片水蒸...