一种测定基板的厚度的厚度测定装置，具备：基板保持部，其保持所述基板的中央部；测定部，其测定被所述基板保持部保持的所述基板的厚度；以及移动机构，其使所述基板保持部和所述测定部相对地沿水平方向移动，其中，在所述基板保持部形成有切口部，所述切...

本公开的一个方式的原料供给装置是从溶液或分散体系生成反应性气体的原料供给装置，该溶液是将固体原料溶解于溶剂而得到的溶液，该分散体系是使固体原料分散于分散介质而得到的分散体系，所述原料供给装置具有：容器，其贮存所述溶液或所述分散体系；注入...

构成一种基板处理装置，具备：处理液供给喷嘴，其至少向基板的表面的周缘部供给处理液来进行处理；载置台，其载置被供给所述处理液的所述基板；移动体，其包括用于检测与载置于所述载置台的所述基板之间的距离的第一距离传感器；移动机构，其使所述移动体...

本发明提供点火控制方法、成膜方法和成膜装置。点火控制方法在成膜装置中执行，成膜装置具有：能够收纳基片的处理容器；形成在处理容器的等离子体箱；以夹着等离子体箱的方式配置的电极对；和经由具有可变电容器的匹配器与电极对连接的RF电源，点火控制...

本发明提供一种被处理体的搬送方法和处理装置，能够抑制被处理体在载置台的载置面上产生位置偏移和从升降销产生灰尘。被处理体的搬送方法包括工序a)、工序b)、工序c)以及工序d)。在工序a)中，调整具有能够载置被处理体的载置面的载置台的倾斜度...

本发明提供一种等离子体处理方法和等离子体处理系统。等离子体处理方法在具有腔室的等离子体处理装置中执行。该方法包括以下工序：工序(a)，将具有包括硅氧化膜和氮化硅膜的蚀刻对象膜以及在蚀刻对象膜上规定出开口的掩模膜的基板提供到腔室内的基板支...

提供一种提高蚀刻的选择比的技术。提供一种在具有腔室的等离子体处理装置中执行的蚀刻方法。该方法包含下述的工序：(a)将具有基底膜和基底膜上的含硅膜的基板提供给腔室内的工序；和(b)使用由含有氟化氢气体的第一处理气体生成的第一等离子体将含硅...

本发明的目的在于提供有效地抑制凹凸图案的图案倒塌的基片处理方法和基片处理装置。例示的实施方式的基片处理方法包括：将在表面形成有凹凸图案的基片的凹部内的液体替换为固体状态的加强材的步骤(S04、S05)；和对基片实施低分子化处理的步骤(S...

本发明提供基板载置方法和基板载置机构。在向载置台的载置面载置基板时，即使在基板产生横向偏移而使基板卡定于非期望的位置时，也能够将基板载置于期望的位置。载置基板的基板载置方法具有以下工序：使以相对于载置面能够突出没入的方式设置的升降销位于...

本发明提供一种基片处理方法和基片处理装置，其能够使基片的处理中的除静电处理优化。基片处理装置的基片处理方法，包括：从对基片实施等离子体处理和除静电处理的处理模块将所述基片送出，并将该基片输送到能够在大气气氛和真空气氛之间切换的负载锁定部...

本发明涉及检查装置和检查方法，检查装置包括：可载置基片的载置部件；保持探针卡的保持部，该探针卡具有与基片接触的探针；与载置部件的上表面或保持部的下表面接触来规定载置部件相对于探针的高度的多个定位部件；用于调节定位部件的高度的调节机构；用...

本发明提供一种溅射成膜装置和溅射成膜方法，能够高效地对靶进行溅射。溅射成膜装置具有：处理容器，其具有用于载置基板的载置台；金属窗，其与所述载置台相向，具有构成所述处理容器的顶面的第一面，且由非磁性金属构成；电感耦合天线，其与同所述金属窗...

本发明提供一种基板搬送装置和基板搬送方法。在所述基板搬送方法中，使用第一搬送体和第二搬送体来搬送所述基板，所述第一搬送体和所述第二搬送体分别会通过磁力从基板搬送区域的底部浮起，并且支承基板并沿横向移动，所述基板搬送方法包括以下工序：搬送...

本实用新型提供一种喷嘴单元和液处理装置，能够提高基板面内的温度分布的均匀性。在喷嘴单元(43)中，从温度调整气体喷嘴(46)的沿第一方向(Y轴方向)延伸的喷出口(52)在第一方向上辐射状地喷出温度调整气体(G1)。因此，来自温度调整气体...

本发明提供一种支承装置、检查系统以及支承装置的控制方法,其能够灵活进行用于支承作为用于检查对象的基板W的支承部的温度控制。该支承装置包括:支承部,其支承检查对象,并且在内部具有供第一调温介质自流入口流至流出口的流道；混合部,其以设定的比...

提供一种接合装置、系统、方法、程序以及计算机存储介质。检查基板的接合处理的状态来恰当地进行该接合处理。用于将上晶圆(W

本公开涉及一种基板处理装置，能够提高热处理中的基板的吸附性，从而提高热处理的均匀性。热处理单元(U2)具备：热板(20)，其用于载置晶圆(W)，并且对所载置的晶圆(W)进行加热；多个间隙构件(22)，所述多个间隙构件(22)沿着热板(2...

本发明涉及基板处理装置、基板处理方法以及存储介质。使利用了适用于EUV光刻的抗蚀材料的基板在曝光处理时的感光度面内均匀。基板处理装置具备：基板支承部；光源；具有照度计的测量部；遮蔽部，其能够在始终遮挡照射光的向旋转中心照射的部分的第1状...

本发明提供处理液供给装置和处理液供给方法，抑制对向基片释放处理液的释放部供给的处理液的消耗量，并且提高该处理液的清洁度。处理液供给装置包括：与释放部连接的供给管路；供给管路中的向释放部压送处理液的第一泵，其同时进行处理液的吸入和送出；供...

本发明提供过滤器性能评价装置和方法以及过滤器润湿装置。过滤器性能评价装置包括：流路；异物检测部(70)，其检测在流路中流动的液体中的异物；对象过滤器，其设置在比异物检测部(70)靠上游侧的位置；异物含有状态调节部，其设置在比对象过滤器靠...