基板处理装置和基板处理方法制造方法及图纸

构成一种基板处理装置，具备：处理液供给喷嘴，其至少向基板的表面的周缘部供给处理液来进行处理；载置台，其载置被供给所述处理液的所述基板；移动体，其包括用于检测与载置于所述载置台的所述基板之间的距离的第一距离传感器；移动机构，其使所述移动体在所述基板的周缘部上横向地移动，以获取所述基板的周缘部处的靠该基板的中心的位置即第一位置与比该第一位置靠所述基板的周端侧的位置即第二位置之间的高度分布；以及旋转机构，其使所述载置台相对于所述移动体旋转，以分别获取在所述基板的周向上彼此分离的多个位置处的所述高度分布。高度分布。高度分布。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】基板处理装置和基板处理方法


[0001]本公开涉及一种基板处理装置和基板处理方法。

技术介绍

[0002]在半导体器件的制造工序中，对作为基板的半导体晶圆(下面，记载为晶圆)进行各种液处理。作为该液处理，能够举出向晶圆的表面供给抗蚀剂等涂布液来形成涂布膜、向晶圆的周缘部供给该涂布膜的去除液。
[0003]有时在液处理后的晶圆的周缘部形成被称作驼峰(hump)的、由于涂布膜引起的隆起部。在专利文献1中记载有以下内容：通过旋转涂布向晶圆的整个表面形成抗蚀膜，通过向旋转的晶圆的周缘部供给稀释剂来去除抗蚀膜，通过将供给稀释剂时的晶圆的转速设为适当的值，来抑制驼峰的形成。
[0004]现有技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1：日本特开2018
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121045号公报

技术实现思路

[0007]专利技术要解决的问题
[0008]本公开削减对由于向基板的表面的周缘部供给处理液而形成的隆起部进行检测所需的时间。
[0009]用于解决问题的方案<br/>[0010]本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种基板处理装置，具备：处理液供给喷嘴，其至少向基板的表面的周缘部供给处理液来进行处理；载置台，其载置被供给所述处理液的所述基板；移动体，其包括用于检测与载置于所述载置台的所述基板之间的距离的第一距离传感器；移动机构，其使所述移动体在所述基板的周缘部上横向地移动，以获取所述基板的周缘部处的靠该基板的中心的位置即第一位置与比该第一位置靠所述基板的周端侧的位置即第二位置之间的高度分布；以及旋转机构，其使所述载置台相对于所述移动体旋转，以分别获取在所述基板的周向上彼此分离的多个位置处的所述高度分布。2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述移动机构使所述移动体相对于所述载置台升降，并且输出升降量的信息，所述基板处理装置设置有运算部，所述运算部基于根据所述升降量的信息计算出的所述移动体横向地移动时的基准高度与所述第一距离传感器之间的第一距离、以及由所述第一距离传感器检测出的检测值，来获取所述高度分布。3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，设置有基准高度设定部，所述基准高度设定部用于设定所述基准高度。4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，所述基准高度设定部包括：所述运算部；以及第二距离传感器，其设置于所述移动体的移动路的下方，用于检测到该移动体的第二距离，其中，所述运算部基于该第二距离来设定所述基准高度。5.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，所述处理液供给喷嘴包括于所述移动体，所述第二距离是该处理液供给喷嘴与所述第二距离传感器之间的距离，所述运算部基于该第二距离、由所述第一距离传感器或所述第二距离传感器获取到的该第一距离传感器与该第二距离传感器之间的第三距离、以及分别获取所述第二距离、所述第三距离时的所述升降量的信息，来决定向所述基板供给所述处理液时的所述处理液供给喷嘴的高度。6.根据权利要求5所述的基板处理装置，其特征在于，所述处理液是用于形成涂布膜的涂布液，对于进行旋转的所述基板，进行通过所述移动机构使所述处理液供给喷嘴移动以使该涂布液的供给位置从所述基板的中心部朝向周缘部移动的第一处理，以及对进行了该第一处理后的基板进行获取多个位置的所述高度分布的第二处理。7.根据权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于，设置有控制部，所述控制部输出控制信号，所述第一处理和所述第二处理包括各自连续地进行的多个步骤，通过基于对所述基板的转速、所述移动体的位置、以及...

【专利技术属性】
技术研发人员：山口隆大，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：