本实用新型涉及热处理装置。用于提高维护性。热处理装置包括加热部、底壁、腔室以及引导部。加热部支承被供给了处理液的基板并对其进行加热。底壁包围支承于加热部的基板。腔室包括覆盖加热部的顶板和设在底壁和顶板之间的侧壁，该腔室相对于设有加热部的...

本实用新型涉及热处理装置。谋求兼顾有效率地收集升华物和减少对膜厚分布的影响。热处理装置包括加热部、腔室、排气部、分隔部以及切换部。加热部支承形成有处理液的膜的基板并对其进行加热。腔室以包围支承于加热部的基板的方式配置。排气部从腔室内的空...

本发明提供能够利用在形成在基座中的流路中流通的传热介质，恰当地调节基片的温度的基片支承体和基片处理装置。基片支承体是用于支承基片的基片支承体，包括：导电性的基座部，在该基座部的内部形成有供所述基片的温度调节用流体流动的流路；配置在所述基...

本发明提供对被控制为高温的静电吸盘进行稳定的基片的吸附和解吸的基片处理装置和基片处理方法。基片处理装置包括：吸附基片的静电吸盘，其具有电介质和上述电介质内部的用于吸附基片的吸附电极；用于加热上述基片的加热电极；吸附用电源，其用于对上述吸...

本公开提供一种闸阀和驱动方法，能够减少气体泄漏。闸阀在具有设置有第一开口部的第一腔室的真空处理装置中对所述第一开口部进行开闭，所述闸阀具备：阀体，其用于对所述第一开口部进行开闭；驱动部，其用于使所述阀体移动，以使所述阀体至少取关闭所述第...

本发明提供能够抑制在基片表面的中心位置或其附近产生颗粒的基片处理方法和基片处理装置。基片处理方法具有下述(A)～(D)。(A)向旋转的基片表面的中心位置供给处理液。(B)使所述处理液的供给位置从所述中心位置移动至第一偏心位置。(C)使所...

本发明提供能够防止在喷淋头电极组装体的内部发生的异常放电的喷淋头电极组装体和等离子体处理装置。提供的喷淋头电极组装体是等离子体处理装置的喷淋头电极组装体，其包括：具有多个第一气体流路的电极，其具有暴露于等离子体的正面；和背衬部件，其安装...

本发明涉及热处理装置和热处理方法。谋求兼顾有效率地收集升华物和减少对膜厚分布的影响。热处理装置包括加热部、腔室、排气部、分隔部以及切换部。加热部支承形成有处理液的膜的基板并对其进行加热。腔室以包围支承于加热部的基板的方式配置。排气部从腔...

本发明涉及热处理装置。用于提高维护性。热处理装置包括加热部、底壁、腔室以及引导部。加热部支承被供给了处理液的基板并对其进行加热。底壁包围支承于加热部的基板。腔室包括覆盖加热部的顶板和设在底壁和顶板之间的侧壁，该腔室相对于设有加热部的基座...

本发明提供连接处理容器和基片处理方法。本发明要解决的技术问题是，对被连接的处理容器，能够进行稳定的支承，并且能够抑制由热膨胀导致的基片的输送位置的偏移。本发明的连接处理容器包括：以形成间隙的方式在横向上排列设置的第一处理容器和第二处理容...

本发明涉及加工装置和加工方法。提供一种将清洗部维持为洁净的技术。加工装置具备：加工部，其对基板进行加工；清洗部，其对所述基板进行清洗；以及待机部，其使由所述加工部加工后的在所述加工部被供给来的液体润湿的状态的所述基板在自所述加工部至所述...

本发明提供一种控制参数设定方法、基片处理装置和存储介质，其能够减少在相互不同的模块中对基片形成的膜厚的差异。控制参数设定方法包括：获取第一参数组和第二参数组的步骤，第一参数组是包含用于控制第一膜形成模块中的膜形成处理的多个控制参数的控制...

一种加工系统，是处理对象体的加工系统，所述加工系统具有：保持部，在所述保持部的上表面保持所述处理对象体；保持基台，在所述保持基台的上表面保持所述保持部；加工部，其对保持于所述保持部的所述处理对象体进行加工；倾斜调整部，其调整所述保持部或...

本发明涉及基板输送装置和基板输送方法。提供一种能够抑制专用占地面积和重量的增加的基板输送装置。基板输送装置构成为具备：圆管，其管轴线横向延伸，在内部形成基板的输送区域；磁场形成部，其具备磁场形成面，该磁场形成面在面上形成磁场并且面对所述...

本披露的各方面提供了一种检查系统，该检查系统可以包括图像模块和处理电路。成像模块可以利用第一光束和第二光束对晶圆成像。第一光束可以与第二光束同轴对准，并且对位于晶圆的正面上的第一图案成像以形成第一图像。第二光束可以经由量子隧穿成像或红外...

本发明提供能够不使用稀有气体而提高等离子体点火性的等离子体处理装置和等离子体处理方法。等离子体处理装置包括：处理容器；载置台；金属窗，其保持与处理容器电绝缘地形成处理容器的顶部，并且被接地；隔着金属窗与载置台相对的电感耦合天线，其保持与...

本发明的目的在于削减基片处理系统的设置面积。本发明的基片处理系统具有一个或多个处理模块以及真空输送模块，至少一个处理模块与真空输送模块以在俯视时处理模块的至少一部分与真空输送模块的至少一部分重叠的方式配置。配置。配置。

一种热处理装置，对形成有抗蚀剂的覆膜且该覆膜被实施了曝光处理的基板进行热处理，所述热处理装置具备：热板，其用于支承所述基板并对所述基板进行加热；以及腔室，其收容所述热板，其中，所述腔室具有顶部，在所述顶部的下方形成有用于进行所述热处理的...

本发明提供在早期检测喷嘴的异常的技术。本公开是从喷嘴喷出液滴的液滴喷出装置，具有：获取部，获取与液滴的喷出状态相关的信息；时间序列数据计算部，计算与上述液滴的喷出状态相关的信息的时间序列数据；计算部，基于上述时间序列数据来计算与喷嘴的清...

半导体器件的电极部的制造方法包括准备具有杂质添加区域的半导体基片的步骤。该制造方法还包括在杂质添加区域上形成第一金属层的步骤。该制造方法还包括在第一金属层上形成第二金属层的步骤。该制造方法还包括对包括第一金属层和第二金属层的半导体基片进...