基片支承体和基片处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供能够利用在形成在基座中的流路中流通的传热介质，恰当地调节基片的温度的基片支承体和基片处理装置。基片支承体是用于支承基片的基片支承体，包括：导电性的基座部，在该基座部的内部形成有供所述基片的温度调节用流体流动的流路；配置在所述基座部的上表面的静电吸附部，该静电吸附部的上表面包括用于支承所述基片的支承面；和用于将所述基座部与所述静电吸附部彼此接合的金属接合部，所述基座部包括：主体部件，其形成所述流路的侧面的至少一部分和所述流路的底面；和用于在所述温度调节用流体与所述静电吸附部之间进行热传递的传热部件，其形成所述流路的顶面。其形成所述流路的顶面。其形成所述流路的顶面。

【技术实现步骤摘要】
基片支承体和基片处理装置


[0001]本专利技术涉及基片支承体和基片处理装置。

技术介绍

[0002]专利文献1中公开了一种基片处理装置，其包括载置台，该载置台具有基座和静电卡盘，其中，在基座的内部设置有延伸至入口和出口的制冷剂用的流路，静电卡盘经由粘接剂设置在基座的上表面，在静电卡盘的内部或下表面设置有加热器。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2013
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172013号公报

技术实现思路

[0006]专利技术要解决的技术问题
[0007]本专利技术要解决的技术问题是提供能够利用在形成在基座中的流路中流通的传热介质，恰当地调节基片温度的基片支承体。
[0008]用于解决技术问题的手段
[0009]本专利技术的一个方式为用于支承基片的基片支承体，其特征在于，包括：导电性的基座部，在该基座部的内部形成有供所述基片的温度调节用流体流动的流路；配置在所述基座部的上表面的静电吸附部，该静电吸附部的上表面包括用于支承所述基片的支本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于支承基片的基片支承体，其特征在于，包括：导电性的基座部，在该基座部的内部形成有供所述基片的温度调节用流体流动的流路；配置在所述基座部的上表面的静电吸附部，该静电吸附部的上表面包括用于支承所述基片的支承面；和用于将所述基座部与所述静电吸附部彼此接合的金属接合部，所述基座部包括：主体部件，其形成所述流路的侧面的至少一部分和所述流路的底面；和用于在所述温度调节用流体与所述静电吸附部之间进行热传递的传热部件，其形成所述流路的顶面。2.如权利要求1所述的基片支承体，其特征在于：所述传热部件由与所述静电吸附部的线膨胀系数差为3e
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6以下的材料构成。3.如权利要求2所述的基片支承体，其特征在于：所述传热部件由Al与Si的复合材料、Al与SiC的复合材料和Ti合金中的至少任一种材料构成。4.如权利要求1～3中任一项所述的基片支承体，其特征在于：所述主体部件与所述传热部件由相同的材料构成。5.如权利要求1～3中任一项所述的基片支承体，其特征在于：所述主体部件由Al合金构成。6.如权利要求1～5中任一项所述的基片支...

【专利技术属性】
技术研发人员：小岩真悟，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：