本发明专利技术提供能够不使用稀有气体而提高等离子体点火性的等离子体处理装置和等离子体处理方法。等离子体处理装置包括：处理容器；载置台；金属窗，其保持与处理容器电绝缘地形成处理容器的顶部，并且被接地；隔着金属窗与载置台相对的电感耦合天线，其保持与金属窗电绝缘地配置；和用于对等离子体处理进行控制的控制部，控制部能够执行：以第一电功率向载置台供给第一高频，在金属窗与载置台之间通过电容耦合使等离子体点火的第一控制；以第二电功率向电感耦合天线供给第二高频，经由金属窗通过电感耦合来维持等离子体的第二控制；和将第一高频的电功率改变为比第一电功率大的第三电功率，对被载置在载置台上的基片实施等离子体处理的第三控制。处理的第三控制。处理的第三控制。
【技术实现步骤摘要】
等离子体处理装置和等离子体处理方法
[0001]本专利技术涉及等离子体处理装置和等离子体处理方法。
技术介绍
[0002]已知有使用电感耦合等离子体对基片进行处理的等离子体处理装置(例如，参照专利文献1)。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2020
‑
17646号公报
技术实现思路
[0006]专利技术要解决的技术问题
[0007]本专利技术提供能够不使用稀有气体而提高等离子体点火性的技术。
[0008]用于解决技术问题的手段
[0009]本专利技术的一个方式的等离子体处理装置包括：处理容器，能够在该处理容器的内部利用等离子体对基片实施等离子体处理；配置在所述处理容器的内部的载置台，其能够载置所述基片并且兼作下部电极；金属窗，其保持与所述处理容器电绝缘地形成所述处理容器的顶部，并且被接地；隔着所述金属窗与所述载置台相对的电感耦合天线，其保持与所述金属窗电绝缘地配置；和用于对所述等离子体处理进行控制的控制部，所述控制部能够执行：以第一电功率向所述载置台供给第一高频，在所述金属窗与所述载置台之间通过电容耦合使所述等离子体点火的第一控制；以第二电功率向所述电感耦合天线供给第二高频，经由所述金属窗通过电感耦合来维持所述等离子体的第二控制；和将所述第一高频的电功率改变为比所述第一电功率大的第三电功率，对被载置在所述载置台上的所述基片实施所述等离子体处理的第三控制。
[0010]专利技术效果<br/>[0011]采用本专利技术，能够不使用稀有气体而提高等离子体点火性。
附图说明
[0012]图1是表示实施方式的等离子体处理装置的概略图。
[0013]图2是表示实施方式的等离子体处理方法的图。
[0014]图3是表示实施方式的变形例的等离子体处理方法的图。
[0015]图4是表示实施了图2所示的等离子体处理方法时的等离子体点火性的图。
[0016]图5是表示实施了图3所示的等离子体处理方法时的等离子体点火性的图。
[0017]图6是表示改变了偏置时间(offset time)时的等离子体点火性的图(1)。
[0018]图7是表示改变了偏置时间时的等离子体点火性的图(2)。
[0019]图8是表示改变了偏置时间时的等离子体点火性的图(3)。
[0020]图9是表示改变了处理气体时的等离子体点火性的图(1)。
[0021]图10是表示改变了处理气体时的等离子体点火性的图(2)。
[0022]图11是表示改变了处理气体时的等离子体点火性的图(3)。
[0023]图12是表示实施了多步骤处理时的等离子体点火性的图。
[0024]图13是表示实施了基于第一控制的处理的对象膜的削去量的图。
[0025]附图标记说明
[0026]1处理容器，2金属窗，3载置台，9控制部，G基片。
具体实施方式
[0027]下面，参照附图对本专利技术的非限定性的例示的实施方式进行说明。在所有附图中，对相同或相应的部件，标注相同或相应的附图标记，并省略重复的说明。
[0028](等离子体处理装置)
[0029]参照图1，对实施方式的等离子体处理装置进行说明。等离子体处理装置包括处理容器1、金属窗2、载置台3、等离子体生成部7和控制部9。
[0030]处理容器1是内部能够减压的真空容器。在处理容器1的内部收纳载置台3。处理容器1由铝、不锈钢等金属材料形成。处理容器1被接地。
[0031]在处理容器1的侧面设置有送入送出口11。送入送出口11是用于交接进行等离子体处理的基片G的开口。在送入送出口11上设置有闸阀12。闸阀12能够对送入送出口11进行开闭。基片G例如是矩形的玻璃基片。
[0032]在处理容器1的底面设置有排气口13。排气口13可以是如图1所示的那样设置在1个部位，也可以是设置在多个部位。排气部15经由排气配管14与排气口13连接。排气部15能够对处理容器1内的压力进行调节。排气部15包括真空泵和压力调节阀(均未图示)。
[0033]金属窗2隔着绝缘部件16将处理容器1的上部密闭，从在处理容器1的上方相邻地设置的天线室(未图示)的顶部被悬挂支承。金属窗2保持与处理容器1电绝缘地形成处理容器1的顶部。金属窗2作为用于向处理容器1内供给处理气体的喷淋头发挥作用。金属窗2由多个分割窗2a形成。多个分割窗2a隔着绝缘部件2b彼此电绝缘。多个分割窗2a例如在俯视时呈放射状配置。也可以是多个分割窗2a在俯视时呈格子状配置。多个分割窗2a的配置并不限于这些。分割窗2a的个数没有特别限定，例如可以是20个。此外，也可以是金属窗2由单一部件形成。
[0034]各分割窗2a具有气体分散室20和气体供给孔21。气体分散室20形成在各分割窗2a的内部。气体供给孔21以与载置台3的上表面相对的方式在各分割窗2a的下表面形成有多个。气体供给孔21与气体分散室20连通。气体供给源23经由气体供给管22与各气体分散室20连接。气体供给源23是处理气体的供给源。处理气体的种类没有限定，例如可以为四氟化碳(CF4)、氧(O2)、氩(Ar)。在气体供给管22上，从气体供给源23侧起依次设置有流量调节部24和阀25。能够经由气体供给管22向各气体分散室20供给流量被调节后的处理气体。
[0035]各分割窗2a经由阻抗调节电路26被接地。阻抗调节电路26能够调节各分割窗2a与大地之间的阻抗。此外，也可以是各分割窗2a不经由阻抗调节电路26地被接地。
[0036]载置台3具有平面形状为矩形的棱柱形状。可以在载置台3上载置基片G。载置台3构成为，从下方起依次层叠间隔件35和基座33，间隔件35和基座33的侧面例如由陶瓷制的
罩38覆盖。载置台3隔着绝缘层39设置在处理容器1的底面的中央部。
[0037]在载置台3的内部设置有传热气体供给路径34。传热气体供给路径34的下游侧的端部分支为多个，在载置台3的上表面分散地开口，从而构成多个传热气体供给口34a。传热气体供给路径34的上游侧与设置在处理容器1的外部的传热气体供给管62连接。传热气体供给管62的上游侧经由流量调节部63与传热气体供给源64连接。多个传热气体供给口34a能够向被载置在载置台3的上表面上的基片G的下侧的表面与载置台3的上表面之间的微细的间隙供给传热气体。
[0038]在间隔件35的内部设置有例如沿周向延伸的环状的制冷剂流路36。能够向制冷剂流路36循环供给由冷却单元(未图示)调节为规定的温度的制冷剂。通过对制冷剂的温度进行控制，能够通过基座33和基片G的下表面的传热气体对基片G的温度进行调节。
[0039]在载置台3中设置有用于与外部的输送装置(未图示)之间交接基片G的升降销(未图示)。升降销能够在垂直方向上贯穿载置台3和处理容器1的底板，相对于载置台3的表面突出没入。
[0040]在基座33的上表面设置有本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：处理容器，能够在该处理容器的内部利用等离子体对基片实施等离子体处理；配置在所述处理容器的内部的载置台，其能够载置所述基片并且兼作下部电极；金属窗，其保持与所述处理容器电绝缘地形成所述处理容器的顶部，并且被接地；隔着所述金属窗与所述载置台相对的电感耦合天线，其保持与所述金属窗电绝缘地配置；和用于对所述等离子体处理进行控制的控制部，所述控制部能够执行：以第一电功率向所述载置台供给第一高频，在所述金属窗与所述载置台之间通过电容耦合使所述等离子体点火的第一控制；以第二电功率向所述电感耦合天线供给第二高频，经由所述金属窗通过电感耦合来维持所述等离子体的第二控制；和将所述第一高频的电功率改变为比所述第一电功率大的第三电功率，对被载置在所述载置台上的所述基片实施所述等离子体处理的第三控制。2.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：在所述第三控制中，在从以所述第二电功率向所述电感耦合天线供给所述第二高频的时刻起经过预先确定的时间以后，将所述第一高频的电功率改变为所述第三电功率。3.如权利要求1或2所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述第一控制中的所述处理容器的内部的第一压力，高于对所述基片实施所述等离子体处理时的所述处理容器的内部的第二压力。4.如权利要求3所述的等离子体处理装置，其特征在于：在所述第二控制中，在以所述第二电功率向所述电感...
【专利技术属性】
技术研发人员：齐藤均，佐佐木和男，植松治志，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：
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