公开了等离子体边缘环和包括其的等离子体蚀刻装置。等离子体蚀刻装置包括等离子体电极、在等离子体电极上的等离子体边缘环、以及在等离子体电极上在蚀刻对象外侧的引导电极。等离子体边缘环提供垂直穿透等离子体边缘环的中心的放置孔、以及在限定放置孔的内侧表面的一部分上的凹陷。凹陷从内侧表面向外凹入。凹陷从内侧表面向外凹入。凹陷从内侧表面向外凹入。
【技术实现步骤摘要】
等离子体边缘环和包括其的等离子体蚀刻装置
[0001]本专利技术构思涉及等离子体边缘环、包括该等离子体边缘环的等离子体蚀刻装置和使用该等离子体蚀刻装置的等离子体蚀刻方法，更具体地，涉及被配置为控制掩模背面蚀刻的等离子体边缘环、包括该等离子体边缘环的等离子体蚀刻装置和使用该等离子体蚀刻装置的等离子体蚀刻方法。
技术介绍
[0002]可以通过各种工艺来制造半导体器件。例如，可以通过对硅晶片执行的光刻工艺、蚀刻工艺和沉积工艺来制造半导体器件。可以在用于制造半导体器件的光刻工艺中使用掩模来形成图案。可以用各种方法来制造掩模。例如，可以使用蚀刻工艺来制造掩模。
技术实现思路
[0003]本专利技术构思的一些示例实施方式提供了被配置为减少掩模背面蚀刻的等离子体边缘环、包括该等离子体边缘环的等离子体蚀刻装置和/或使用该等离子体蚀刻装置的等离子体蚀刻方法。
[0004]本专利技术构思的一些示例实施方式提供了被配置为控制离子流的等离子体边缘环、包括该等离子体边缘环的等离子体蚀刻装置和/或使用该等离子体蚀刻装置的等离子体蚀刻方法。
[0005]本专利技术构思的一些示例实施方式提供了被配置为提高制造良率的等离子体边缘环、包括该等离子体边缘环的等离子体蚀刻装置和/或使用该等离子体蚀刻装置的等离子体蚀刻方法。
[0006]本专利技术构思的目的不限于以上提及的目的，本领域技术人员将从以下描述清楚地理解以上没有提及的其它目的。
[0007]根据本专利技术构思的一些示例实施方式，一种等离子体蚀刻装置可以包括：等离子体电极；在等离子体电极上的等离子体边缘环；以及在等离子体电极上在蚀刻对象外侧的引导电极。等离子体边缘环可以包括内侧壁表面，该内侧壁表面可以包括：第一表面部分，至少部分地限定放置孔，放置孔垂直地穿透等离子体边缘环的中心；以及第二表面部分，至少部分地限定在内侧表面的一部分上的凹陷，凹陷相对于内侧壁表面的第一表面部分远离等离子体边缘环的中心凹入，例如，使得凹陷比第一表面部分的与第二表面部分相邻的至少一部分更远离等离子体边缘环的中心。
[0008]根据本专利技术构思的一些示例实施方式，一种等离子体蚀刻装置可以包括：等离子体电极；在等离子体电极的顶表面上的支撑构件；围绕支撑构件的等离子体边缘环；引导电极；等离子体电压供应部，被配置为向等离子体电极施加第一电压；以及引导电压供应部，被配置为向引导电极施加第二电压。引导电极可以在支撑构件外侧。
[0009]根据本专利技术构思的一些示例实施方式，一种等离子体边缘环可以包括具有垂直延伸的中心轴线的板主体。板主体可以包括内侧壁表面，内侧壁表面包括：第一表面部分，至
少部分地限定放置孔，放置孔垂直地穿透板主体的中心轴线；以及第二表面部分，至少部分地限定凹陷，凹陷相对于内侧壁表面的第一表面部分远离板主体的中心轴线凹入，例如使得凹陷比第一表面部分的与第二表面部分相邻的至少一部分更远离板主体的中心轴线并且凹入到板主体的内部中。第二表面部分可以包括凹陷顶表面，凹陷顶表面可以限定凹陷的一部分。凹陷顶表面可以在板主体的顶表面之下。
[0010]根据本专利技术构思的一些示例实施方式，一种等离子体蚀刻方法可以包括：将蚀刻对象放入等离子体蚀刻装置中；向等离子体蚀刻装置供应工艺气体；向引导电极施加第一电压；以及向等离子体电极施加第二电压。将蚀刻对象放入等离子体蚀刻装置中的步骤可以包括将蚀刻对象插入至少部分地由等离子体边缘环的内侧壁表面限定的放置孔中，以将蚀刻对象设置在等离子体电极上。引导电极可以在蚀刻对象外侧。
[0011]一些示例实施方式的细节被包括在说明书和附图中。
附图说明
[0012]图1A示出了显示根据本专利技术构思的一些示例实施方式的等离子体蚀刻装置的截面图。
[0013]图1B示出了显示图1A的区段X的放大截面图。
[0014]图2示出了显示根据本专利技术构思的一些示例实施方式的等离子体边缘环和等离子体电极的透视图。
[0015]图3示出了显示根据本专利技术构思的一些示例实施方式的等离子体边缘环和等离子体电极的平面图。
[0016]图4示出了显示根据本专利技术构思的一些示例实施方式的等离子体蚀刻方法的流程图。
[0017]图5、图6、图7、图8、图9和图10示出了显示根据图4的流程图的等离子体蚀刻方法的图。
[0018]图11示出了部分地显示根据本专利技术构思的一些示例实施方式的等离子体蚀刻装置的放大截面图。
[0019]图12示出了部分地显示根据本专利技术构思的一些示例实施方式的等离子体蚀刻装置的放大截面图。
[0020]图13示出了部分地显示根据本专利技术构思的一些示例实施方式的等离子体蚀刻装置的放大截面图。
[0021]图14示出了部分地显示根据本专利技术构思的一些示例实施方式的等离子体蚀刻装置的放大截面图。
[0022]图15示出了显示根据本专利技术构思的一些示例实施方式的等离子体边缘环和等离子体电极的平面图。
[0023]图16示出了显示根据本专利技术构思的一些示例实施方式的等离子体边缘环和等离子体电极的平面图。
[0024]图17示出了部分地显示根据本专利技术构思的一些示例实施方式的等离子体蚀刻装置的放大截面图。
[0025]图18示出了部分地显示根据本专利技术构思的一些示例实施方式的等离子体蚀刻装
置的放大截面图。
[0026]图19示出了部分地显示根据本专利技术构思的一些示例实施方式的等离子体蚀刻装置的放大截面图。
[0027]图20示出了部分地显示根据本专利技术构思的一些示例实施方式的等离子体蚀刻装置的放大截面图。
[0028]图21示出了显示根据本专利技术构思的一些示例实施方式的等离子体边缘环和等离子体电极的平面图。
具体实施方式
[0029]下文将参照附图描述本专利技术构思的一些示例实施方式。贯穿说明书，相同的附图标记可以表示相同的部件。
[0030]将理解，可称为对于其它元件和/或其性质(例如，结构、表面、方向等)“垂直”、“平行”、“共面”等的元件和/或其性质(例如，结构、表面、方向等)对于其它元件和/或其性质分别可以“垂直”、“平行”、“共面”等或者可以“基本上垂直”、“基本上平行”、“基本上共面”。
[0031]对于其它元件和/或其性质“基本上垂直”的元件和/或其性质(例如，结构、表面、方向等)将被理解为在制造公差和/或材料公差内对于其它元件和/或其性质“垂直”，和/或具有距对于其它元件和/或其性质“垂直”等在幅度和/或角度方面的等于或小于10％的偏差(例如，
±
10％的公差)。
[0032]对于其它元件和/或其性质“基本上平行”的元件和/或其性质(例如，结构、表面、方向等)将被理解为在制造公差和/或材料公差内对于其它元件和/或其性质“平行”，和/或具有距对于其它元件和/或其性质“平行”等在幅度和/或角度方面的等于或小于10％的偏差(例如，
±
10％的公差)。
[0033]对于其它元件和/或其性质“本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种等离子体蚀刻装置，包括：等离子体电极；在所述等离子体电极上的等离子体边缘环；以及在所述等离子体电极上在蚀刻对象外侧的引导电极，其中所述等离子体边缘环包括内侧壁表面，所述内侧壁表面包括：第一表面部分，至少部分地限定放置孔，所述放置孔垂直地穿透所述等离子体边缘环的中心；以及第二表面部分，至少部分地限定凹陷，所述凹陷相对于所述内侧壁表面的所述第一表面部分远离所述等离子体边缘环的所述中心凹入。2.根据权利要求1所述的等离子体蚀刻装置，其中所述引导电极在所述凹陷外侧和/或之下。3.根据权利要求1所述的等离子体蚀刻装置，其中所述引导电极在所述等离子体边缘环内。4.根据权利要求1所述的等离子体蚀刻装置，其中所述等离子体电极包括：电极主体；以及在所述电极主体上的平台，其中所述平台在所述放置孔中，以及其中所述等离子体边缘环围绕所述平台。5.根据权利要求1所述的等离子体蚀刻装置，其中所述凹陷在所述等离子体边缘环的顶表面之下，并且通过所述等离子体边缘环的所述顶表面在垂直方向上免于暴露于所述等离子体边缘环的外部。6.根据权利要求1所述的等离子体蚀刻装置，其中当在平面中被观察时，所述放置孔具有四边形形状。7.一种等离子体蚀刻装置，包括：等离子体电极；在所述等离子体电极的顶表面上的支撑构件；围绕所述支撑构件的等离子体边缘环；引导电极；等离子体电压供应部，被配置为向所述等离子体电极施加第一电压；以及引导电压供应部，被配置为向所述引导电极施加第二电压，其中所述引导电极在所述支撑构件外侧。8.根据权利要求7所述的等离子体蚀刻装置，其中所述等离子体电极包括：电极主体；以及在所述电极主体上的平台，其中所述等离子体边缘环包括内侧壁表面，所述内侧壁表面至少部分地限定放置孔，所述放置孔垂直地穿透所述等离子体边缘环的中心，其中所述平台在所述放置孔中，其中所述等离子体边缘环围绕所述平台，以及其中所述支撑构件在所述平台的顶表面上。
9.根据权利要求7所述的等离子体蚀刻装置，其中所述等离子体边缘环包括一个或更多个内表面，所述一个或更多个内表面至少部分地限定引导电极插入孔，以及所述引导电极在所述引导电极插入孔中。10.根据权利要求7所述的等离子体蚀刻装置，其中所述等离子体边缘环包括内侧壁表面，所述内侧壁表面包括：第一表面部分，至少部分地限定放置孔，所述放置孔垂直地穿透所述等离子体边缘环的中心；以及第二表面部分，至少部分地限定...
【专利技术属性】
技术研发人员：李炫周，南象基，曹永贤，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。