【技术实现步骤摘要】
本专利技术构思涉及存储器设备、存储器系统和存储器设备的操作方法，并且更具体地，涉及存储器设备、存储器系统和存储器设备的操作方法，其改进由干扰方（aggressor）字线的电压分布影响的对受扰方（victim）字线的干扰。
技术介绍
1、最近开发的存储器设备包括多个字线。个别地编程多个字线以影响相邻字线的电压分布。例如，如果干扰方字线在受扰方字线被编程之后被编程，则受扰方字线的电压分布受到干扰方字线的编程的影响。
2、为了改进这一点，已经提出了重新编程操作。重新编程操作以低于阈值电压的电压对受扰方字线执行编程操作，并且然后在对干扰方字线执行编程操作之后再次对受扰方字线执行校正操作。
3、然而，相关技术方法不能充分消除由干扰方字线的编程电压引起的干扰。
技术实现思路
1、本专利技术构思的各方面提供了消除由干扰方字线的编程电压引起的干扰的存储器设备和存储器系统。
2、本专利技术构思的各方面还提供了一种存储器设备和存储器系统，其即使在没有对受扰方字线进行干扰校正操作的情况下，也通过在对受扰方字线执行编程操作时利用高于阈值电压的电压来消除由干扰方字线的编程电压引起的干扰。
3、根据示例实施例，存储器设备包括被配置为存储至少一个位的多个存储器单元，该存储器设备包括第一字线和第二字线。存储器设备被配置为对处于较高状态的多个存储器单元上的第一字线执行第一编程操作，较高状态是指其中多个存储器单元具有在特定电压以上的阈值电压的状态；对第二字线执行第二编程
4、根据示例实施例，包括各自存储至少一个位的多个存储器单元的存储器设备的操作方法包括对连接到第一字线的存储器单元执行第一编程操作，包括向第一字线施加第一电压；以及对连接到与第一字线相邻的第二字线的存储器单元执行第二编程操作，包括向第二字线施加第二电压。在执行第一编程操作时，对处于较高状态的存储器单元执行第一编程操作，较高状态是指存储器单元具有在特定电压以上的阈值电压的状态。当在执行第一编程操作之后执行第二编程操作时，对连接到第一字线的存储器单元执行第三编程操作，包括向第一字线施加低于第一电压的第三电压。
5、根据示例实施例，一种存储器系统包括：主机，被配置为生成用于字线的重新编程命令；及被配置为接收重新编程命令的存储器设备，存储器设备包括各自存储至少一个位且被配置为执行重新编程操作的多个存储器单元。存储器设备包括第一字线以及第二字线，第一编程操作被配置为对第一字线执行，第二编程操作被配置为对第二字线执行。存储器设备被配置为对处于较高状态的存储器单元执行第一编程操作，较高状态是指存储器单元具有在特定电压以上的阈值电压的状态，并且当在执行第一编程操作之后执行第二编程操作时，以低于第一编程操作的电压的电压执行第三编程操作。
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1.一种存储器设备，包括被配置为存储至少一个位的多个存储器单元，所述存储器设备包括第一字线以及第二字线，并且被配置为：
2.根据权利要求1所述的存储器设备，其中，所述第一字线是受扰方字线，并且所述第二字线是干扰方字线。
3.根据权利要求1所述的存储器设备，其中，当所述第一字线的所述多个存储器单元处于较低状态并且所述第二字线的多个存储器单元处于较低状态时，所述较低状态是指其中所述多个存储器单元具有在所述第二阈值电压以下的阈值电压的状态，所述存储器设备被配置为当对与所述第二字线相邻的第三字线执行第四编程操作时，对所述第二字线执行第五编程操作。
4.根据权利要求1所述的存储器设备，其中，当所述第一字线的所述多个存储器单元处于较低状态并且所述第二字线的所述多个存储器单元处于较高状态时，所述较低状态是指其中所述多个存储器单元具有在所述第二阈值电压以下的阈值电压的状态，并且所述较高状态是指其中所述多个存储器单元具有在所述第二阈值电压以上的阈值电压的状态，所述存储器设备被配置为停止在所述第三编程操作之后对所述第一字线执行的附加编程操作。
5.根据
6.根据权利要求1所述的存储器设备，其中，所述第一字线和所述第二字线被配置为包括四电平单元或三电平单元。
7.根据权利要求1所述的存储器设备，其中，所述第一字线被配置为使用比存储器单元的阈值电压高的电压来执行所述第一编程操作。
8.一种存储器设备的操作方法，所述存储器设备包括各自存储至少一个位的多个存储器单元，所述操作方法包括：
9.根据权利要求8所述的操作方法，还包括：
10.根据权利要求8所述的操作方法，还包括：
11.根据权利要求8所述的操作方法，还包括：
12.根据权利要求8所述的操作方法，其中，所述执行所述第一编程操作和所述执行所述第二编程操作包括对四电平单元或三电平单元执行预定义的编程操作。
13.根据权利要求8所述的操作方法，其中，在所述执行所述第一编程操作时，使用比存储器单元的阈值电压高的电压来执行所述第一编程操作。
14.一种存储器系统，包括：
15.根据权利要求14所述的存储器系统，其中，所述第一字线是受扰方字线，并且所述第二字线是干扰方字线。
16.根据权利要求14所述的存储器系统，其中，当所述第一字线的一组编程的存储器单元处于较低状态并且所述第二字线的一组编程的存储器单元处于较低状态时，所述较低状态是指其中所述一组编程的存储器单元具有在所述第二阈值电压以下的阈值电压的状态，所述存储器设备被配置为当对与所述第二字线相邻的第三字线执行第四编程操作时执行第五编程操作。
17.根据权利要求14所述的存储器系统，其中，当所述第一字线的一组编程的存储器单元处于较低状态，所述较低状态是指其中所述一组编程的存储器单元具有在第二阈值电压以下的阈值电压的状态，并且所述第二字线的一组编程的存储器单元处于所述较高状态时，所述存储器设备被配置为停止在所述第三编程操作之后执行的编程操作。
18.根据权利要求14所述的存储器系统，其中，当所述第一字线的一组编程的存储器单元处于所述较高状态时，所述存储器设备被配置为省略所述第三编程操作。
19.根据权利要求14所述的存储器系统，其中，所述存储器设备被配置为包括四电平单元或三电平单元。
20.根据权利要求14所述的存储器系统，其中，所述存储器设备被配置为使用比存储器单元的阈值电压高的电压来执行所述第一编程操作。
...【技术特征摘要】
1.一种存储器设备，包括被配置为存储至少一个位的多个存储器单元，所述存储器设备包括第一字线以及第二字线，并且被配置为：
2.根据权利要求1所述的存储器设备，其中，所述第一字线是受扰方字线，并且所述第二字线是干扰方字线。
3.根据权利要求1所述的存储器设备，其中，当所述第一字线的所述多个存储器单元处于较低状态并且所述第二字线的多个存储器单元处于较低状态时，所述较低状态是指其中所述多个存储器单元具有在所述第二阈值电压以下的阈值电压的状态，所述存储器设备被配置为当对与所述第二字线相邻的第三字线执行第四编程操作时，对所述第二字线执行第五编程操作。
4.根据权利要求1所述的存储器设备，其中，当所述第一字线的所述多个存储器单元处于较低状态并且所述第二字线的所述多个存储器单元处于较高状态时，所述较低状态是指其中所述多个存储器单元具有在所述第二阈值电压以下的阈值电压的状态，并且所述较高状态是指其中所述多个存储器单元具有在所述第二阈值电压以上的阈值电压的状态，所述存储器设备被配置为停止在所述第三编程操作之后对所述第一字线执行的附加编程操作。
5.根据权利要求1所述的存储器设备，其中，当所述第一字线的所述多个存储器单元处于较高状态时，所述较高状态是指其中所述多个存储器单元具有在所述第二阈值电压以上的阈值电压的状态，所述存储器设备被配置为省略对所述第一字线的所述第三编程操作。
6.根据权利要求1所述的存储器设备，其中，所述第一字线和所述第二字线被配置为包括四电平单元或三电平单元。
7.根据权利要求1所述的存储器设备，其中，所述第一字线被配置为使用比存储器单元的阈值电压高的电压来执行所述第一编程操作。
8.一种存储器设备的操作方法，所述存储器设备包括各自存储至少一个位的多个存储器单元，所述操作方法包括：
9.根据权利要求8所述的操作方法，还包括...
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