【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种半导体装置的制造方法。
技术介绍
1、例如，在专利文献1中，提出了一种半导体装置的制造方法：将具有第一弹性模量的第一基板接合在具有比第一弹性模量高的第二弹性模量的第二基板上，在薄膜化的第一基板上形成半导体元件后，将第一基板从第二基板剥离。在专利文献1中，例如在第一基板上使用si(硅单晶)，在第二基板上使用sic，将si基板接合在sic基板上后，将si基板薄膜化，在薄膜化的si基板上形成半导体元件。
2、专利文献1：日本特开2021-44408号公报
技术实现思路
1、<本专利技术要解决的问题>
2、本专利技术提供一种能够抑制变形并且简单地制造半导体元件的层叠体的技术。
3、<用于解决问题的方法>
4、根据本专利技术的一个方式，提供一种半导体装置的制造方法，所述半导体装置包括第一半导体元件和第二半导体元件，所述半导体装置的制造方法包括下述工序：在具有比第二弹性模量高的第一弹性模量的第一基板之上形成绝缘层，在所述绝缘层之上形成具有第一接合表面的所述第一半导体元件，在具有所述第二弹性模量的第二基板之上形成具有第二接合表面的所述第二半导体元件，使所述第一接合表面与所述第二接合表面贴合而形成层叠所述第一半导体元件与所述第二半导体元件的层叠体，以及从所述层叠体除去所述第一基板。
5、<专利技术的效果>
6、根据一个方面，能够抑制变形并且简单地制造半导体元件的层叠体。
【技术保护点】
1.一种半导体装置的制造方法，所述半导体装置包括第一半导体元件和第二半导体元件，所述半导体装置的制造方法包括下述工序：
2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，
3.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，
4.根据权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其中，
5.根据权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其中，
6.根据权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其中，
7.根据权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其中，
8.根据权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其中，
9.根据权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其中，
10.根据权利要求9所述的半导体装置的制造方法，其中，
11.根据权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其中，
12.根据权利要求11所述的半导体装置的制造方法，其中，
13.根据权利要求12所述的半导体装置的制造方法，其中，
14.根据权利要求1至13中任一项所述的半导体装置的制造方
15.根据权利要求1至13中任一项所述的半导体装置的制造方法，包括：
16.根据权利要求15所述的半导体装置的制造方法，其中，
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种半导体装置的制造方法，所述半导体装置包括第一半导体元件和第二半导体元件，所述半导体装置的制造方法包括下述工序：
2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，
3.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，
4.根据权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其中，
5.根据权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其中，
6.根据权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其中，
7.根据权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其中，
8.根据权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其中...
【专利技术属性】
技术研发人员：今井清隆，佐藤基之，广田良浩，樋口卓也，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：
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