【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及等离子体处理装置。
技术介绍
1、以往，存在沿着提供等离子体处理空间的腔室的侧壁的内壁面设置有由铝等金属构成的沉积防护件的等离子体处理装置(参照专利文献1)。
2、现有技术文献
3、专利文献
4、专利文献1：日本特开2001-203189号公报
技术实现思路
1、专利技术要解决的技术问题
2、本专利技术提供一种能够使面向等离子体处理空间的硅部件中的高频电功率的损失降低的技术。
3、用于解决技术问题的手段
4、本专利技术的一个方式的等离子体处理装置具有腔室、电源、硅部件和导电膜。腔室提供等离子体处理空间。电源能够向等离子体处理空间内供给用于生成等离子体的高频电功率。硅部件由含硅材料构成，配置在腔室的内部，具有面向等离子体处理空间的第一面。导电膜由导电性材料构成，形成在硅部件的不面向等离子体处理空间的第二面。
5、专利技术效果
6、采用本专利技术，能够使面向等离子体处理空间的硅部件中的...
【技术保护点】
1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：
3.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：
4.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：
5.如权利要求4所述的等离子体处理装置，其特征在于：
6.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：
7.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：
8.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：
9.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：<...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：
3.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：
4.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：
5.如权利要求4所述的等离子体处理装置，其特征在于：
6.如权利要求1所述的等离子体处...
【专利技术属性】
技术研发人员：阪根亮太，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：
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