连接处理容器和基片处理方法技术

本发明专利技术提供连接处理容器和基片处理方法。本发明专利技术要解决的技术问题是，对被连接的处理容器，能够进行稳定的支承，并且能够抑制由热膨胀导致的基片的输送位置的偏移。本发明专利技术的连接处理容器包括：以形成间隙的方式在横向上排列设置的第一处理容器和第二处理容器，其各自能够收纳基片以进行真空处理；被固定于第一处理容器的第一块部；被固定于第二处理容器的第二块部，其与所述第一块部在所述横向上排列配置；和将所述第一块部和所述第二块部可滑动地连接的导轨部，其以跨所述第一处理容器和所述第二处理容器的方式设置。第二处理容器的方式设置。第二处理容器的方式设置。

【技术实现步骤摘要】
连接处理容器和基片处理方法


[0001]本专利技术涉及连接处理容器和基片处理方法。

技术介绍

[0002]在半导体器件的制造工序中，将作为基片的半导体晶片(下面记载为“晶片”)收纳在处理容器中，进行伴随加热的成膜处理、蚀刻处理等。专利文献1中记载有一种基片处理装置，其包括：真空输送室，其具有用于输送晶片的机器人(robot)；和与该真空输送室连接的多个腔室，在该多个腔室中能够通过加热和处理气体的供给来对晶片进行处理。多个腔室以其中的各2个腔室彼此共有侧壁的方式连接，机器人能够对这样共有侧壁的2个腔室一并交接晶片。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2017
‑
69314号公报

技术实现思路

[0006]专利技术要解决的技术问题
[0007]本专利技术提供对被连接的处理容器，能够进行稳定的支承、并且能够抑制由热膨胀导致的基片的输送位置的偏移的技术。
[0008]用于解决技术问题的手段
[0009]本专利技术提供一种连接处理容器，其包括：以形成间隙的方式在横向上排列设置的第一处理容器和第二处理容器，其各自能够收纳基片以进行真空处理；被固定于所述第一处理容器的第一块部；被固定于所述第二处理容器的第二块部，其与所述第一块部在所述横向上排列配置；和将所述第一块部和所述第二块部可滑动地连接的导轨部，其以跨所述第一处理容器和所述第二处理容器的方式设置。
[0010]专利技术效果
[0011]采用本专利技术，对被连接的处理容器，能够进行稳定的支承，并且能够抑制由热膨胀导致的基片的输送位置的偏移。
附图说明
[0012]图1是表示本专利技术的实施方式的基片处理系统的一个例子的平面图。
[0013]图2是表示构成设置在基片处理系统的连接处理容器的第一处理容器和第二处理容器的一个例子的纵截侧面图。
[0014]图3是表示连接处理容器的一个例子的背面侧立体图。
[0015]图4是表示第一处理容器和第二处理容器的底面图。
[0016]图5是表示第一处理容器的底部的概略侧面图。
[0017]图6是表示第一处理容器和第二处理容器的一部分的侧面图。
[0018]图7是表示第一块部和导轨部的纵截侧面图。
[0019]图8是表示第一处理容器与第二处理容器的间隙变化的情形的纵截面看时的说明图。
[0020]图9是表示第一处理容器与第二处理容器的间隙变化的情形的俯视时的说明图。
[0021]附图标记说明
[0022]30间隙，31A第一处理容器，31B第二处理容器，5连接处理容器，6A第一块部，6B第二块部，63导轨部。
具体实施方式
[0023]参照图1的平面图，对包括本专利技术实施方式的连接处理容器5的基片处理系统1进行说明。首先，对基片处理系统1的概要进行说明。该基片处理系统1包括送入送出端口11、送入送出模块12、真空输送模块13、14、连接模块15和成膜模块3，在该成膜模块3设置有连接处理容器5。
[0024]连接处理容器5包括各自能够收纳作为基片的晶片W的第一处理容器31A和第二处理容器31B。这些处理容器31A、31B以形成间隙30的方式排列设置，并且彼此连接。在基片处理系统1中，能够利用输送机构，向构成连接处理容器5的处理容器31A、31B内一并输送晶片W，对处理容器31A、31B内的2块晶片W，以相同的处理条件一并进行成膜处理。
[0025]下面，参照图1对基片处理系统1的各部进行说明。在图1中，设X方向为前后方向，设与X方向正交的Y方向为横向来进行说明。4个送入送出端口11分别与送入送出模块12连接，在送入送出端口11载置有能够收纳晶片W的输送容器10。送入送出端口11、送入送出模块12、真空输送模块13、连接模块15、真空输送模块14沿着X方向依次设置。而且，以在Y方向上夹着前方侧的真空输送模块13的方式连接有2个成膜模块3。另外，以在Y方向上夹着后方侧的真空输送模块14的方式连接有2个成膜模块3。
[0026]送入送出模块12包括常压输送室12A和负载锁定室12B。常压输送室12A为大气气氛，包括作为能够升降的多关节臂的输送机构21，以在输送容器10与负载锁定室12B之间进行晶片W的交接。负载锁定室12B能够将放置晶片W的气氛在大气气氛与真空气氛之间切换，并且包括在Y方向上排列的2个载置部22。常压输送室12A的输送机构21能够在2个载置部22与输送容器10之间进行晶片W的输送，对2个载置部22交接各一块晶片W。
[0027]真空输送模块13、14彼此同样地构成。这些真空输送模块13、14包括能够形成真空气氛的真空输送室23，在该真空输送室23中设置有输送机构24。输送机构24由能够升降的多关节臂构成，构成该多关节臂的前端部的末端执行器25包括彼此分离地形成的2个保持部26。通过在各保持部26各保持一块晶片W，输送机构24能够将2块晶片W隔开规定的间隔一并输送。此外，末端执行器25例如上下隔开间隔地设置有2个，能够利用一个末端执行器25从模块接收晶片W，利用另一个末端执行器25向模块送出晶片W。
[0028]连接模块15是为了在真空输送模块13、14之间进行晶片W的交接而载置晶片W的模块，内部为真空气氛。在该连接模块15中，与负载锁定室12B同样地设置有在Y方向上排列的2个载置部22。此外，负载锁定室12B、连接模块15各自中的2个载置部22的间隔，与输送机构24的保持部26的间隔对应，使得能够利用该输送机构24一并进行交接。为了能够利用输送机构21、24的升降动作进行晶片W的交接，载置部22包括例如能够支承偏离晶片W的中心部、
并且在晶片W的周向上隔开间隔的多个位置的销等基片支承部。
[0029]在常压输送室12A与负载锁定室12B之间、负载锁定室12B与真空输送模块13之间、构成成膜模块3的处理容器31A、31B与真空输送模块13、14之间，分别设置有闸阀G。能够利用闸阀G对设置在各模块的晶片W的输送口进行开闭，将各模块中的气氛保持为前面已说明的气氛。
[0030]在这样的基片处理系统1中设置有控制部100。控制部100由计算机构成，包括程序。该程序中包括步骤(命令)组，使得能够通过向基片处理系统1的各部输出控制信号，来控制该各部的动作以进行后述的晶片W的输送和成膜处理。程序被存储在计算机的存储部，例如软盘、光盘、硬盘、MO(光磁盘)、非易失性存储器等中，能够从该存储部被读出并被安装在控制部100。
[0031]在上面说明的基片处理系统1中，晶片W在从输送容器10被输送到与真空输送模块13或真空输送模块14连接的成膜模块3并被处理之后，返回到输送容器10。因此，一个输送路径是晶片W按照输送容器10
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常压输送室12A
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负载锁定室12B
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真空输送模块13
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成膜模块3
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真空输送本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种连接处理容器，其特征在于，包括：以形成间隙的方式在横向上排列设置的第一处理容器和第二处理容器，其各自能够收纳基片以进行真空处理；被固定于所述第一处理容器的第一块部；被固定于所述第二处理容器的第二块部，其与所述第一块部在所述横向上排列配置；和将所述第一块部和所述第二块部可滑动地连接的导轨部，其以跨所述第一处理容器和所述第二处理容器的方式设置。2.如权利要求1所述的连接处理容器，其特征在于：所述第一块部和所述第二块部设置在所述第一处理容器或所述第二处理容器各自的下表面侧或各自的上表面侧。3.如权利要求1或2所述的连接处理容器，其特征在于：在所述导轨部，沿着与所述第一块部和所述第二块部滑动的面相反侧的面设置有肋。4.如权利要求3所述的连接处理容器，其特征在于：与形成有所述间隙的区域对应的所述导轨部的中央部侧的所述肋的厚度，形成得比所述导轨部的两端部侧的所述肋的厚度厚。5.如权利要求1至4中任一项所述的连接处理容器，其特征在于：所述第一处理容器和所述第二处理容器各自能够由加热部进行加热，所述第一块部和所述第二块部各自经由冷却部被固定于所述第一处理容器或所述第二处理容器。6.如权利要求1至5中任一项所述的连接处理容器，其特征在于：包括多个由所述第一块部、所述第二块部和所述导轨部构成的组。7.如权利要求1至6中任一项所述的连接处理容器，其特征在于：包括用于分别支承所述第一处理容器和所述第二处理容器的架部，在所述架部与所述第一处理容器之间以及所述架部与所述第二处理容器之间分别设...

【专利技术属性】
技术研发人员：山岸孝幸，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：