基板处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种基板处理装置，更详细来说涉及一种为了改善基板的翘曲在基板的下表面进行沉积的情况下对基板的翘曲程度进行测定，从而可在基板的下表面沉积适当厚度的膜的基板处理装置。板处理装置。板处理装置。

【技术实现步骤摘要】
基板处理装置


[0001]本专利技术涉及一种基板处理装置，更详细来说涉及一种为了改善基板的翘曲而在基板的下表面进行沉积的情况下对基板的翘曲程度进行测定，从而可在基板的下表面沉积适当厚度的膜的基板处理装置。

技术介绍

[0002]利用根据以往技术的基板处理装置可在基板的一面、例如基板的上表面沉积薄膜。在这种情况，如3d
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Nand器件等在基板的上表面重叠沉积薄膜的情况下，因薄膜的应力可能使基板弯曲(bowing)。
[0003]图1的(A)
‑
图1的(C)是用于说明在基板沉积有薄膜的情况下基板的弯曲现象的图。
[0004]图1的(A)示出在基板10的上表面沉积有规定厚度的薄膜12的情况下压缩应力(compressive force)对基板10起作用的情况，且图1的(B)示出相反地在基板10的上表面沉积有规定厚度的薄膜12的情况下拉伸应力(tensile force)对基板10起作用的情况。
[0005]如图1的(A)所示，如果压缩应力对基板10起作用，则如图所示，基板10的边缘区域朝向下侧弯曲，相反地，如图1的(B)所示，如果拉伸应力对基板10起作用，则基板10的边缘区域朝向上侧弯曲。
[0006]如上所述，如果基板10弯曲并翘曲，则在后续的各种基板处理工艺中对基板执行处理的情况下，基板10难以定位在固定位置，特别是对基板的处理工艺的精密度日益提高，而因这种弯曲现象引起的基板的翘曲会使处理工艺的精密度下降。
[0007]近来，为了防止上述基板的弯曲现象，开发了如图1的(C)所示在基板10的下表面沉积规定厚度的薄膜14来防止弯曲现象的技术。通过在基板10的下表面沉积与在基板10的上表面沉积的薄膜应力的性质相同的薄膜，从而可防止基板的弯曲现象并改善翘曲。
[0008]然而，为了在基板10的下表面沉积薄膜来改善基板的翘曲现象，需要与基板的翘曲程度对应地沉积准确厚度的薄膜。
[0009]其原因在于，假如在基板的下表面沉积的薄膜的厚度不够的情况下，不能充分地缓和基板的翘曲程度，且在基板的下表面沉积的薄膜的厚度太厚的情况下，应力通过在基板的下表面沉积的薄膜再次起作用而发生翘曲。

技术实现思路

[0010][专利技术所要解决的问题][0011]本专利技术为了解决如上所述的问题点，目的在于提供一种基板处理装置，所述基板处理装置对在第一面沉积有薄膜的基板的翘曲程度进行测定并在基板的第二面沉积准确厚度的薄膜，从而可改善基板的翘曲程度。
[0012][解决问题的技术手段][0013]如上所述般本专利技术的目的通过基板处理装置来达成，所述基板处理装置的特征在
于包括：工艺设备，配置有至少一个工艺腔室，所述至少一个工艺腔室在第一面沉积有第一膜的基板的第二面沉积第二膜；设备前端模块(Equipment Front End Module，EFEM)，配置在所述工艺设备的前方且配置有供所述基板安装的装载端口(load port)；传感器部，配置在所述设备前端模块以对所述基板的翘曲程度进行测定；以及控制部，根据在所述传感器部测定的所述基板的翘曲程度对所述工艺腔室进行控制，以对在所述基板的第二面沉积的所述第二膜的沉积厚度进行调节。
[0014]此处，所述传感器部可配置在所述装载端口的上部。
[0015]另外，在所述装载端口还包括支撑所述基板并旋转的旋转支撑板，且所述传感器部可在所述基板通过所述旋转支撑板旋转期间对翘曲程度进行测定。
[0016]进而，所述传感器部与所述基板以彼此相对移动的方式布置，且在所述传感器部与所述基板彼此相对移动期间可对翘曲程度进行测定。
[0017]另一方面，所述工艺腔室包括腔室壳体、配置在所述腔室壳体的内部且支撑所述基板的基板支撑部、以及用于在所述基板的第二面沉积薄膜的第一气体供给部，且所述控制部可对从所述第一气体供给部供给的工艺气体的量、或所述第一气体供给部与所述基板的第二面之间的距离进行调节。
[0018]在这种情况，所述第一气体供给部可被划分成个别供给工艺气体的多个区域，且在所述多个区域分别连接质量流量控制器(Mass Flow Controller，MFC)以对供给的工艺气体的量进行调节，或者所述多个区域连接到单个质量流量控制器以对通过气体分配模块供给的工艺气体的量进行调节。
[0019]进而，所述第一气体供给部可以可旋转的方式配置以使到所述基板的第二面的距离变化。
[0020]另外，所述第一气体供给部可包括多个上下板，所述多个上下板以可分别上下移动的方式配置，以使到所述基板的第二面的距离变化。
[0021][专利技术的效果][0022]根据具有上述构成的本专利技术，可对在第一面沉积有薄膜的基板的翘曲程度进行测定并在基板的第二面沉积准确厚度的薄膜，从而改善基板的翘曲程度。
附图说明
[0023]图1的(A)
‑
图1的(C)是用于说明在基板沉积有薄膜的情况下基板的弯曲现象的图。
[0024]图2是示出根据本专利技术一实施例的基板处理装置的概略图。
[0025]图3是示出工艺腔室的侧剖面图。
[0026]图4是示出设备前端模块(Equipment Front End Module，EFEM)的立体图。
[0027]图5的(A)
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图5的(C)是根据各种实施例示出配置在设备前端模块的传感器部与基板的平面图。
[0028]图6的(A)
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图6的(C)是示出根据另一实施例的第一气体供给部的平面图。
[0029]图7是根据具有被划分成多个区域的第一气体供给部的一实施例的工艺腔室的侧面图。
[0030]图8是根据具有被划分成多个区域的第一气体供给部的另一实施例的工艺腔室的
侧面图。
[0031]图9是根据一实施例的工艺腔室的侧面图，其中具有对到基板的第二面的距离进行调节的第一气体供给部。
[0032]图10是根据另一实施例的工艺腔室的侧面图，其中具有对到基板的第二面的距离进行调节的第一气体供给部。
具体实施方式
[0033]以下，将参照附图对根据本专利技术实施例的基板处理装置的结构详细地进行阐述。
[0034]图2是示出根据本专利技术一实施例的基板处理装置1000的概略图。
[0035]参照图2，所述基板处理装置1000可包括：工艺设备100，配置有至少一个工艺腔室110A，所述至少一个工艺腔室110A在第一面22(参照图3)沉积有第一膜28(参照图3)的基板20(参照图3)的第二面24(参照图3)沉积第二膜；设备前端模块(Equipment Front End Module，EFEM)30，配置在所述工艺设备100的前方且配置有供所述基板20安装的装载端口60；传感器部200、300、400，配置在所述设备前端模块30以对所述基板20的翘曲程度进行测定；以及控制部500，根据在所述传感器部200、300、400测定的所述基板20的翘曲程本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基板处理装置，其特征在于，包括：工艺设备，配置有至少一个工艺腔室，所述至少一个工艺腔室在第一面沉积有第一膜的基板的第二面沉积第二膜；设备前端模块，配置在所述工艺设备的前方且配置有供所述基板安装的装载端口；传感器部，配置在所述设备前端模块以对所述基板的翘曲程度进行测定；以及控制部，根据在所述传感器部测定的所述基板的翘曲程度对所述工艺腔室进行控制，以对在所述基板的第二面沉积的所述第二膜的沉积厚度进行调节。2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述传感器部配置在所述装载端口的上部。3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，在所述装载端口还包括支撑所述基板并旋转的旋转支撑板，所述传感器部在所述基板通过所述旋转支撑板旋转期间对翘曲程度进行测定。4.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，所述传感器部与所述基板以彼此相对移动的方式布置，且在所述传感器部与所述基板彼此相对移动期间对翘曲程度进行测定。5....

【专利技术属性】
技术研发人员：李锺贤，
申请(专利权)人：TES股份有限公司，
类型：发明
国别省市：