基板支撑装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种基板支撑装置。为此，根据本发明专利技术一实施例的基板支撑装置包括：基板支撑部，在上部安装有晶片，且包括第一网状电极以及布置在所述第一网状电极的下部的第二网状电极；夹持电路部，利用所述第一网状电极施加直流电压；以及边沿控制电路部，对与所述第一网状电极及所述第二网状电极相关的动作的定时进行控制，并生成射频(RF)，且所述第二网状电极可以被划分成多个第二子网状电极来消除由闭合回路引起的感应电动势的产生的方式形成。成。成。

【技术实现步骤摘要】
基板支撑装置


[0001]本专利技术涉及一种基板支撑装置。

技术介绍

[0002]基板支撑装置利用包括以下的技法用于处理晶片：刻蚀、物理气相沉积(Physical Vapor Deposition，PVD)、化学气相沉积(Chemical Vapor deposition，CVD)、等离子体增强化学气相沉积(Plasma
‑
Enhanced Chemical Vapor Deposition，PECVD)、原子层沉积(Atomic Layer Deposition，ALD)、等离子体增强原子层沉积(Plasmaenhanced Atomic Layer Deposition，PEALD)、脉冲沉积层(Pulsed Deposition Layer，PDL)、等离子体增强脉冲沉积层(Plasma
‑
Enhanced Pulsed Deposition Layer，PEPDL)及抗蚀剂去除。
[0003]基板支撑装置为包括包含上部电极及下部电极的反应腔室的等离子体处理装置，且在电极之间施加射频(Radio本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基板支撑装置，包括：基板支撑部，在上部安装有晶片，且包括第一网状电极以及布置在所述第一网状电极的下部的第二网状电极；夹持电路部，利用所述第一网状电极施加直流电压；以及边沿控制电路部，对与所述第一网状电极及所述第二网状电极相关的动作的定时进行控制，并生成射频，其中所述第二网状电极以被划分成多个第二子网状电极的方式形成，以消除由闭合回路引起的感应电动势的产生。2.根据权利要求1所述的基板支撑装置，其中所述第二网状电极为环形态。3.根据权利要求1所述的基板支撑装置，还包括布置在所述第一网状电极的下部的辐条，所述辐条布置在与所述第二网状电极相同的平面上。4.根据权利要求1所述的基板支撑装置，其中所述第一网状电极为一个或被划分成两个第一子网状电极。5.根据权利要求4所述的基板支撑装置，其中在所述第一网状电极被划分成两个所述第一子网状电极的情况，两个所述第一子网状电极在所述第二网状电极的内周面上重叠且隔以固定间隔来布置。6.根据权利要求4所述的基板支撑装置，其中在所述第一网状电极被划分成两个所述第一子网状电极且所述第二网状电极被划分成四个所述第二子网状电极的情况，包括第一辐条以及第二辐条，所述第一辐条在与两个所述第一子网状电极的隔开方向一致的方向上布置在两个所述第一子网状电极的下部，所述第二辐条与所述第一辐条垂直布置。7.根据权利要求6所述的基板支撑装置，其中两个所述第一子网状电极在两个所述第一子网状电极的隔开方向与四个所述第二子网状电极的隔开方向不一致的方向上，在四个所述第二子网状电极的内周面上重叠且隔以固定间隔来布置。8.根据权利要求4所述的基板支撑装置，其中在所述第一网状电极被划分成两个所述第一子网状电极且所述第二网状电极被划分成两个所述第二子网状电极的情况，包括在与两个所述第二子网状电极的隔开方向垂直的方向上布置在两个所述第一子网状电极的下部的辐条。9.根据权利要求8所述的基板支撑装置，其中两个所述第一子网状电极在两个所述第一子网状电极的隔开方向将两个所述第二子网状电极的隔开方向与所述辐条的方向形成的夹角二等分的方向上，在两个所述第二子网状电极的内周面上重叠且隔以固定间隔来布置。10.根据权利要求4所述的基板支撑装置，其中在所述第一网状电...

【专利技术属性】
技术研发人员：全尙珍，黄玄想，
申请(专利权)人：TES股份有限公司，
类型：发明
国别省市：