【技术实现步骤摘要】
退火装置
[0001]本专利技术实施例涉及半导体制造领域,尤其涉及一种退火装置。
技术介绍
[0002]近年来,随着半导体技术的发展,晶圆的特征尺寸已进入纳米时代,这也向半导体制造技术提出新的挑战,于是半导体制造技术开始广泛地运用激光退火技术来满足工艺需要。
[0003]激光退火是通过激光脉冲器提供激光光源,所述激光光源通过光学加工系统(即一系列镜片)加工成剖面为细长的激光,通过所述激光对晶圆上的膜层进行照射。对晶圆使用激光退火技术的目的是为了晶化或提高结晶度,把非晶态材料转化为多晶或单晶态,使得在离子注入后,掺入的杂质与所述膜层中的原子有序的排列组合,从而改善了晶圆的芯片单元上材料的电学特性。
[0004]激光退火技术由于其高能量、短作用时间的特点,能够有效的保证掺杂物质被激活的同时减少扩散乃至无扩散,从而能够获得高质量的结构。
技术实现思路
[0005]本专利技术实施例解决的问题是提供一种退火装置,提高退火装置的性能。
[0006]为解决上述问题,本专利技术实施例提供一种退火装置, ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种退火装置,其特征在于,包括加热台,所述加热台具有承载面;光源,用于发出激光束;光学组件,设置于所述激光束的光路上,所述光学组件用于调整所述激光束的光路,使所述激光束入射至所述承载面;隔离板,设置于所述承载面与光学组件之间,且与所述承载面相间隔,所述隔离板表面覆盖有隔热涂层。2.如权利要求1所述的退火装置,其特征在于,所述隔热涂层包括单层的二维原子晶体材料层或堆叠的多个二维原子晶体材料层。3.如权利要求2所述的退火装置,其特征在于,所述隔热涂层的材料包括Gr、MoSe2、MoS2和WSe2中的一种或多种。4.如权利要求2所述的退火装置,其特征在于,所述堆叠的多个二维原子晶体材料层包括依次堆叠的Gr层、MoSe2层、MoS2层和WSe2层,且所述WSe2层距离所述隔离板最远;或者,所述堆叠的多个二维原子晶体材料层包括依次堆叠的Gr层、MoS2层和WSe2层,且WSe2层距离所述隔离板最远。5.如权利要求1所述的退火装置,其特征在于,所述隔离板面向所述加热台的表面和背向所述加热台的表面中的一面或两面覆盖有隔热涂层。6.如权利要求1所述的...
【专利技术属性】
技术研发人员:章志营,张杨,杨文,李楠,肖志强,
申请(专利权)人:中芯北方集成电路制造北京有限公司,
类型:发明
国别省市:
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