一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底；形成若干沿第一方向平行排列的有源区和位于有源区上的初始浮栅极结构，所述衬底包括若干所述有源区，所述第一方向平行于衬底表面；在初始浮栅极结构侧壁表面和顶部表面形成介电结构；形成介电结构之后，在初始...

本申请提供一种刻蚀设备，所述刻蚀设备包括：反应腔；进气管路，与所述反应腔顶部连通，所述进气管路上设置有进气阀门；排气管路，与所述反应腔底部连通，所述排气管路上设置有排气阀门；压力检测器，设置于所述反应腔侧壁，用于检测所述反应腔中的气压；...

本技术公开了一种真空泵的清洁装置，可拆卸设置于真空泵上，包括隔离件和容纳腔体；所述隔离件用于与所述真空泵的进气口密封连接，所述隔离件设有介质通入结构；所述容纳腔体用于与所述真空泵的一侧密封连接，所述容纳腔体的内腔与所述真空泵内腔连通，所...

一种裂纹缺陷的检测方法以及检测系统，检测方法用于检测钝化层中的裂纹缺陷；检测方法包括：对顶部钝化层进行恶化处理，用于在当钝化层中具有第一类裂纹时，使第一类裂纹贯穿顶部钝化层，暴露出底部钝化层；进行第一腐蚀处理，用于在当钝化层中具有第一类...

本申请提供一种门板的连接支架，用于安装在门板上并连接驱动装置，包括：支撑件，支撑件的两个端部通过安装座安装在门板的背面上；其中，安装座与门板的背面固定连接，端部与安装座转动连接；弹性结构，弹性结构同时与门板的背面和支撑件连接；连接结构，...

一种半导体结构的形成方法，包括：提供晶圆，所述晶圆包括光致电离反应材料；对所述晶圆执行一次或多次的工艺制程处理，每次所述工艺制程处理过程中产生第一类电荷；在其中至少一次的工艺制程处理后，对所述晶圆进行光源照射处理，用于在所述光致电离反应...

一种应用于沉积设备的沉积方法，沉积设备包括腔室和控压阀，沉积方法包括：进行沉积处理，沉积处理包括：根据目标压力阈值进行预控压处理，获得目标压力阈值对应的控压阀的开启角度，作为标定角度；将控压阀开启至标定角度；在标定角度下，在腔室中对待处...

本申请提供一种升温装置，包括：进气管道，所述进气管道的管径向出气方向逐渐减小；出气管道，所述出气管道的管径向所述出气方向逐渐增大，且所述出气管道与所述进气管道的管径最小处形成辅助气体通道，且所述辅助气体通道和所述出气管道、所述进气管道相...

本申请提供一种刻蚀设备，所述刻蚀设备包括：反应腔，所述反应腔的顶部设置有若干均匀分布的第一进气口，所述反应腔的侧壁设置有若干均匀分布的第二进气口；若干第一副进气管路，分别连通所述反应腔顶部的若干第一进气口；若干第二副进气管路，分别连通所...

本申请提供一种晶圆冷却装置，包括：外壳，外壳顶部和底部分别开设有进气口和出气口，外壳内部沿外壳的顶部向底部方向依次包括第一空间

本申请实施例提供一种化学机械研磨机及其侦测装置，其中侦测装置包括传感器安装基座和安装于所述传感器安装基座的触发传感器和目标传感器，传感器安转基座固定于所述化学机械研磨机；触发传感器具有触发感应空间，适于当在所述触发感应空间内感应到所述第...

一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底；在基底上形成若干初始字线结构，初始字线结构的顶部包括第一区及位于第一区上的第二区，初始字线结构在第二区的最大宽度大于在第一区的最大宽度；在基底上和初始字线结构的侧壁面形成表面高于第一区并暴露部分...

一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底；在所述衬底内形成栅孔洞；对所述栅孔洞进行表面处理，形成位于所述栅孔洞侧壁和底部表面的保护层；在形成保护层之后，向所述栅孔洞侧壁和底部注入掺杂离子；对所述衬底进行热退火处理，使所述掺杂离子扩散至所...

一种半导体结构的形成方法，包括：以所述图形化层为掩膜，采用等离子体刻蚀所述待刻蚀层，在所述待刻蚀层内形成第一孔洞以及位于所述第一孔洞下的若干相互隔离的第二孔洞，所述图形孔洞与所述第一孔洞相互连通，各所述第二孔洞分别与所述第一孔洞相互连通...

本申请提供了一种EFEM微环境的控制系统，包括：热空气传输模块，用于接收蚀刻腔室输出的干燥热空气并传输至所述EFEM，所述干燥热空气用于调节所述EFEM中的温度和湿度；温湿度传感器，设于所述EFEM中，用于检测所述EFEM中的温度和湿度...

一种清洗装置、过滤膜的清洗方法、以及过滤系统，所述清洗装置用于清洗过滤组件中的过滤膜，所述过滤组件的一端设置有过滤进水口，所述过滤组件的另一端设置有废水出口；所述清洗装置包括：清洗箱，用于存储清洗液；所述清洗箱包括进水端和出水端；清洗管...

本申请提供一种闪存器件及其形成方法，所述闪存器件包括：半导体衬底，所述半导体衬底表面依次形成有栅氧层、栅极层和硬掩膜层；第一沟槽，贯穿所述硬掩膜层、所述栅极层、所述栅氧层且延伸至所述半导体衬底中，其中，所述栅氧层和所述半导体衬底的交界处...

本申请提供一种用于炉管设备的管路，包括：壳体，形成有管路通道；设置于管路通道内的多个第一导流片和多个第二导流片；其中，多个第一导流片和多个第二导流片沿第一方向交错设置在管路通道的内壁上，第一导流片与管路通道的内壁在第二方向上具有第一间距...

一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：在第一区域和第二区域的基底上形成分立的多晶硅栅极层，第一区域的多晶硅栅极层包括底部栅极层和凸出于底部栅极层的顶部栅极层，顶部栅极层与底部栅极层围成凹槽，凹槽的侧壁上形成有研磨阻挡层；在多晶硅栅极...

一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：基底，包括器件单元区和位于器件单元区外周的隔离区；隔离结构，位于隔离区的基底内；器件栅极结构，位于器件单元区的基底上；源漏掺杂层，嵌入于器件栅极结构两侧器件单元区的基底内，源漏掺杂层包括源...