半导体结构及其形成方法技术

一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：在第一区域和第二区域的基底上形成分立的多晶硅栅极层，第一区域的多晶硅栅极层包括底部栅极层和凸出于底部栅极层的顶部栅极层，顶部栅极层与底部栅极层围成凹槽，凹槽的侧壁上形成有研磨阻挡层；在多晶硅栅极层侧部的基底上形成层间介质层；去除第二区域的多晶硅栅极层形成栅极开口；在栅极开口中形成金属栅极层。第一区域的多晶硅栅极层具有凹槽，使得顶部栅极层的线宽尺寸、顶面面积以及与相邻顶部栅极层之间间距较小，而且，研磨阻挡层位于凹槽的侧壁，能够在平坦化处理过程中起到研磨阻挡的作用，有利于改善第一区域的多晶硅栅极层的顶面凹陷问题，提升了半导体结构的性能。提升了半导体结构的性能。提升了半导体结构的性能。提升了半导体结构的性能。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡巧明，马丽莎，
申请(专利权)人：中芯北方集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：