【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体制造设备领域，特别涉及一种温度控制系统。
技术介绍
1、随着半导体技术的不断发展以及集成电路制造尺寸的逐渐缩小，工艺制程对蚀刻工艺设备各参数的要求也越来越高。
2、在蚀刻设备的工艺过程中，反应腔上电极的温度稳定性直接决定着晶圆产品的工艺良率以及各晶圆之间工艺的可重复性。因此，如何保持反应腔上电极的温度稳定性成为决定晶圆工艺好坏的关键参数。
技术实现思路
1、本申请要解决的技术问题是提供一种温度控制系统，对蚀刻设备上电极的温度进行控制，提高上电极的温度稳定性。
2、为了解决上述技术问题，本申请提供了一种温度控制系统，用于对蚀刻设备的上电极的温度进行控制，包括：加热装置，用于对输入的气体进行加热，并向所述上电极输送加热后的气体；温度监测器，用于监测所述上电极的温度；温控器，与所述温度监测器连接，用于根据所述上电极的温度对所述加热装置的加热功率进行控制。
3、在本申请的一些实施例中，所述温度控制系统还包括：第一保温罩，设于所述上电极上，且所述第...
【技术保护点】
1.一种温度控制系统，用于对蚀刻设备的上电极的温度进行控制，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的温度控制系统，其特征在于，还包括：第一保温罩，设于所述上电极上，且所述第一保温罩的顶面开设有进气口和第一出气口。
3.根据权利要求2所述的温度控制系统，其特征在于，所述第一保温罩呈环状结构，所述第一保温罩的内环壁设置多个第一挡板，外环壁设置多个第二挡板，所述第一挡板和所述第二挡板相互交错设置，且多个所述第一挡板和多个所述第二挡板形成连通的气体流道。
4.根据权利要求3所述的温度控制系统，其特征在于，所述第一保温罩包括：
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