【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。
技术介绍
1、外部边缘电容(capacitance of fringe，cof)通常指外部栅极与半导体衬底表面之间的电耦合。随着晶体管尺寸的缩小，与偏置无关的cof对器件总电容的贡献几乎与栅极本征电容(gate intrinsic capacitance，cgc)相当。
2、因此，降低cof可以是进一步提高深亚微米mosfet以及finfet的性能的有效方法。
技术实现思路
1、本申请提供一种半导体结构及其形成方法，可以有效降低半导体器件的外部边缘电容，从而提高半导体器件性能。
2、本申请的一个方面提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底中形成有若干隔离结构，相邻隔离结构之间的半导体衬底中形成有阱区，所述阱区包括用于设置栅极层的第一区域和不设置栅极层的第二区域；刻蚀所述第二区域的阱区使所述第二区域的阱区表面低于所述第一区域的阱区表面；在所述第一区域的阱区表面和侧壁形成栅极介质层以及位于所述栅极介质层上表面的栅极层。
3、在本申请的一些实施例中，刻蚀所述第二区域的阱区使所述第二区域的阱区表面低于所述第一区域的阱区表面的方法包括：在所述阱区表面形成图案化的光阻层，所述图案化的光阻层覆盖所述第一区域；以所述图案化的光阻层为掩膜刻蚀所述第二区域的阱区使所述第二区域的阱区表面低于所述第一区域的阱区表面；去除所述图案化的光阻层。
4、在本申请的一些实施例中，所述第一
5、在本申请的一些实施例中，在所述第一区域的阱区表面和侧壁形成栅极介质层以及位于所述栅极介质层上表面的栅极层的方法包括：在所述第一区域的阱区表面和侧壁以及所述第二区域的阱区表面依次形成栅极介质层和栅极层；刻蚀去除所述第一区域的阱区表面和侧壁以外的栅极介质层以及栅极层，仅保留位于所述第一区域的阱区表面和侧壁的栅极介质层以及位于剩余所述栅极介质层上表面的栅极层。
6、在本申请的一些实施例中，所述半导体结构的形成方法还包括：在所述栅极介质层和栅极层侧壁形成侧墙。
7、在本申请的一些实施例中，所述半导体结构的形成方法还包括：在所述栅极层两侧的阱区中形成源极和漏极。
8、在本申请的一些实施例中，所述半导体结构的形成方法还包括：在所述栅极层和源极之间以及栅极层和漏极之间的阱区中形成轻掺杂结。
9、本申请的另一个方面还提供一种半导体结构，包括：半导体衬底，所述半导体衬底中形成有若干隔离结构，相邻隔离结构之间的半导体衬底中形成有阱区，所述阱区包括用于设置栅极层的第一区域和不设置栅极层的第二区域，所述第二区域的阱区表面低于所述第一区域的阱区表面；栅极介质层，位于所述第一区域的阱区表面和侧壁；栅极层，位于所述栅极介质层上表面。
10、在本申请的一些实施例中，所述第一区域的阱区表面和所述第二区域的阱区表面的高度差为0.1埃至80埃。
11、在本申请的一些实施例中，所述半导体结构还包括：侧墙，位于所述栅极介质层和栅极层侧壁。
12、在本申请的一些实施例中，所述半导体结构还包括：源极和漏极，位于所述栅极层两侧的阱区中。
13、在本申请的一些实施例中，所述半导体结构还包括：轻掺杂结，位于所述栅极层和源极之间以及栅极层和漏极之间的阱区中。
14、本申请提供一种半导体结构及其形成方法，改变栅极介质层的结构，可以有效降低半导体器件的外部边缘电容，从而提高半导体器件性能。
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1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，刻蚀所述第二区域的阱区使所述第二区域的阱区表面低于所述第一区域的阱区表面的方法包括：
3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一区域的阱区表面和所述第二区域的阱区表面的高度差为0.1埃至80埃。
4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述第一区域的阱区表面和侧壁形成栅极介质层以及位于所述栅极介质层上表面的栅极层的方法包括：
5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：在所述栅极介质层和栅极层侧壁形成侧墙。
6.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：在所述栅极层两侧的阱区中形成源极和漏极。
7.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：在所述栅极层和源极之间以及栅极层和漏极之间的阱区中形成轻掺杂结。
8.一种半导体结构，其特征在于，包括：
9.如权利要求8所述的半导体结构，其特征在于
10.如权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，还包括：侧墙，位于所述栅极介质层和栅极层侧壁。
11.如权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，还包括：源极和漏极，位于所述栅极层两侧的阱区中。
12.如权利要求11所述的半导体结构，其特征在于，还包括：轻掺杂结，位于所述栅极层和源极之间以及栅极层和漏极之间的阱区中。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，刻蚀所述第二区域的阱区使所述第二区域的阱区表面低于所述第一区域的阱区表面的方法包括：
3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一区域的阱区表面和所述第二区域的阱区表面的高度差为0.1埃至80埃。
4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述第一区域的阱区表面和侧壁形成栅极介质层以及位于所述栅极介质层上表面的栅极层的方法包括：
5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：在所述栅极介质层和栅极层侧壁形成侧墙。
6.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：在所述栅极...
【专利技术属性】
技术研发人员：王高翔，唐永进，鲍东兴，章纬，孟利楠，任增耀，
申请(专利权)人：中芯北方集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：
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