【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体制造，特别涉及一种气体注入装置。
技术介绍
1、随着半导体
的不断更新以及集成电路制造尺寸的逐渐缩小，单片晶圆范围内各点的蚀刻均匀性越来越被重视，其不同区域内蚀刻的整体均匀性也成为提升良率的关键。
2、传统用于半导体刻蚀设备的气体注入器通常仅具有相互连通的一个进气口和一个出气口。气体由外部通过进气口进入气体注入器后由于流体本身的性质，沿气体注入器气体流动通道的中心区域的流速会大于其在气体流动通道边缘的流速，使得通过出气口流入半导体刻蚀设备的刻蚀腔中的气体分散不均。此外，单一出气口的设置也使得沿气体流动方向的气体密度远高于垂直于气体流动方向的气体密度，进一步影响了气体在刻蚀腔中气体分散的均匀性。
3、仅仅依靠现有蚀刻设备中温度、功率等参数的调节，已经难以满足成熟工艺产品对单片晶圆各区域内蚀刻均匀性的要求。
技术实现思路
1、本申请的目的在于提供一种气体注入装置，用于半导体刻蚀设备，以提高进入刻蚀腔体的气体分布的均匀性，从而提高等离子体在晶圆上部刻蚀速率的均一性，进而提升晶圆的良率。
2、本申请实施例提供一种气体注入装置，包括：气体传输部，所述气体传输部包括相互连通的进气端和出气端，其中，所述进气端设置有第一进气口和第二进气口，所述第一进气口的横截面面积大于所述第二进气口的横截面面积；所述出气端设置有多个出气口，所述多个出气口中的任意一个出气口的横截面面积小于所述第一进气口的横截面面积。
3、在一些实施例中，所述出气
4、在一些实施例中，所述第一进气口与所述多个第一出气口连通；以及所述第二进气口与所述多个第二出气口连通。
5、在一些实施例中，所述第一进气口的横截面积大于所述多个第一出气口的总横截面积。
6、在一些实施例中，所述第一进气口的横截面积与所述多个第一出气口中的任意一个第一出气口的横截面积比为7～144。
7、在一些实施例中，所述多个第一出气口成中心对称分布；和/或所述多个第二出气口等间距分布。
8、在一些实施例中，所述第二进气口为多个，多个所述第二进气口环绕所述第一进气口中心对称分布。
9、在一些实施例中，所述气体注入装置还包括固定部，所述固定部套接在所述气体传输部外侧面。
10、在一些实施例中，所述固定部朝向所述出气端的一侧设置有凹槽。
11、在一些实施例中，所述气体传输部的材料包括陶瓷。
12、在本申请实施例提供的气体注入装置可提高进入半导体刻蚀设备的刻蚀腔的气体分布的均匀性，从而提高等离子体在晶圆上部刻蚀速率的均一性，进而提升晶圆的良率。
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1.一种气体注入装置，用于半导体刻蚀设备，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的气体注入装置，其特征在于，所述出气端包括相交的第一表面和第二表面，所述多个出气口包括多个第一出气口和多个第二出气口，所述多个第一出气口位于所述第一表面，所述多个第二出气口位于所述第二表面。
3.根据权利要求2所述的气体注入装置，其特征在于，所述第一进气口与所述多个第一出气口连通；以及所述第二进气口与所述多个第二出气口连通。
4.根据权利要求3所述的气体注入装置，其特征在于，所述第一进气口的横截面积大于所述多个第一出气口的总横截面积。
5.根据权利要求4所述的气体注入装置，其特征在于，所述第一进气口的横截面积与所述多个第一出气口中的任意一个第一出气口的横截面积比为7～144。
6.根据权利要求2所述的气体注入装置，其特征在于，所述多个第一出气口成中心对称分布；和/或所述多个第二出气口等间距分布。
7.根据权利要求1所述的气体注入装置，其特征在于，所述第二进气口为多个，多个所述第二进气口环绕所述第一进气口中心对称分布。
<...【技术特征摘要】
1.一种气体注入装置，用于半导体刻蚀设备，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的气体注入装置，其特征在于，所述出气端包括相交的第一表面和第二表面，所述多个出气口包括多个第一出气口和多个第二出气口，所述多个第一出气口位于所述第一表面，所述多个第二出气口位于所述第二表面。
3.根据权利要求2所述的气体注入装置，其特征在于，所述第一进气口与所述多个第一出气口连通；以及所述第二进气口与所述多个第二出气口连通。
4.根据权利要求3所述的气体注入装置，其特征在于，所述第一进气口的横截面积大于所述多个第一出气口的总横截面积。
5.根据权利要求4所述的气体注入装置，其特征在于，所述第一...
【专利技术属性】
技术研发人员：卫德强，
申请(专利权)人：中芯北方集成电路制造北京有限公司，
类型：新型
国别省市：
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