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一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：在第一区域和第二区域的基底上形成分立的多晶硅栅极层，第一区域的多晶硅栅极层包括底部栅极层和凸出于底部栅极层的顶部栅极层，顶部栅极层与底部栅极层围成凹槽，凹槽的侧壁上形成有研磨阻挡层；在多晶硅栅极层侧...
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