半导体装置包括：半导体芯片，其具有主面；第一导电层，其形成在上述半导体芯片的上述主面上，且与第一电位连接；第二导电层，其在上述主面的法线方向上与上述第一导电层对置，且与比上述第一电位高的第二电位连接；绝缘层，其形成于上述第一导电层与上述第二导电层之间；以及第一焊盘，其在从上述法线方向观察上述半导体芯片时的俯视时的第一方向上形成于远离与上述第二导电层对置的区域的区域，且与上述第一导电层电连接。第一导电层电连接。第一导电层电连接。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置以及半导体模块
[0001]本公开涉及半导体装置以及具备半导体装置的半导体模块。
技术介绍
[0002]例如，专利文献1公开了一种集成电路，具备：电源；恒流源，其由电源供电，且具有与感温二极管的阳极连接的输出端子；PWM比较器，其具有非反转输入端子以及反转输入端子，在非反转输入端子施加有感温二极管的阳极的电压，在反转输入端子施加有载波生成电路的输出的载波信号(三角波信号)；以及作为绝缘机构的光耦合器，其与PWM比较器的输出端子连接，用于使高电压系统与低电压系统绝缘并且使信号从其一方向另一方传递。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2011－7580号公报
技术实现思路
[0006]用于解决课题的方案
[0007]本公开的一个实施方式的半导体装置包括：半导体芯片，其具有主面；第一导电层，其形成在上述半导体芯片的上述主面上，且与第一电位连接；第二导电层，其在上述主面的法线方向上与上述第一导电层对置，且与比上述第一电位高的第二电位连接；绝缘层，其形成于上述第一导电层与上述第二导电层之间；以及第一焊盘，其在从上述法线方向观察上述半导体芯片时的俯视时的第一方向上，形成于远离与上述第二导电层对置的区域的区域，且与上述第一导电层电连接。
附图说明
[0008]图1是表示本公开的一个实施方式的半导体模块的俯视图。
[0009]图2是用于说明图1的半导体模块的动作的图。
[0010]图3是图2的说明所使用的电压波形图。
[0011]图4是本公开的一个实施方式的半导体装置的示意性的俯视图。
[0012]图5是表示在图4的半导体装置中形成有低电位线圈的层的俯视图。
[0013]图6是表示在图4的半导体装置中形成有高电位线圈的层的俯视图。
[0014]图7是图6的高电位线圈的主要部分放大图。
[0015]图8是图6的高电位线圈的主要部分放大图。
[0016]图9是图4的半导体装置的示意性的剖视图。
[0017]图10是用于说明图4的半导体装置的效果的图。
[0018]图11是本公开的其它实施方式的半导体装置的示意性的俯视图。
[0019]图12是本公开的其它实施方式的半导体装置的示意性的俯视图。
[0020]图13是本公开的其它实施方式的半导体装置的示意性的俯视图。
[0021]图14是本公开的其它实施方式的半导体装置的示意性的俯视图。
[0022]图15是本公开的其它实施方式的半导体装置的示意性的剖视图。
[0023]图16是本公开的其它实施方式的半导体装置的示意性的剖视图。
[0024]图17是本公开的其它实施方式的半导体装置的示意性的剖视图。
[0025]图18是本公开的其它实施方式的半导体装置的示意性的剖视图。
[0026]图19是本公开的其它实施方式的半导体装置的示意性的剖视图。
具体实施方式
[0027]＜本公开的实施方式＞
[0028]首先，列举本公开的实施方式进行说明。
[0029]本公开的一个实施方式的半导体装置包括：半导体芯片，其具有主面；第一导电层，其形成于上述半导体芯片的上述主面上，且与第一电位连接；第二导电层，其在上述主面的法线方向上与上述第一导电层对置，且与比上述第一电位高的第二电位连接；绝缘层，其形成于上述第一导电层与上述第二导电层之间；以及第一焊盘，其在从上述法线方向观察上述半导体芯片时的在俯视时的第一方向上，形成于远离与上述第二导电层对置的区域的区域，且与上述第一导电层电连接。
[0030]根据该结构，与相对低的电位(第一电位)连接的第一焊盘在俯视时的第一方向上，远离相对于与相对高的电位(第二电位)连接的第二导电层的对置区域。由此，与在该对置区域形成有第一焊盘的情况相比，能够使第二导电层与第一焊盘之间的沿面距离增加。其结果，能够在第二导电层以及第一焊盘之间的区域抑制沿面放电的发生，因此能够抑制第二导电层以及第一焊盘之间的绝缘层的破坏、劣化。
[0031]本公开的一个实施方式的半导体装置优选，包含第二焊盘，该第二焊盘在上述俯视时的与上述第一方向交叉的第二方向上相对于上述第二导电层排列，具有比上述第一方向上的上述第二导电层的宽度小的宽度，且与上述第二导电层电连接。
[0032]在本公开的一个实施方式的半导体装置中，优选，在上述俯视时，上述半导体芯片形成为具有互为对角关系的第一角部以及第二角部、和互为对角关系的第三角部以及第四角部的四边形状，上述第二导电层偏于上述第一角部地设有一个，上述第一焊盘偏于上述第二角部地设置。
[0033]在本公开的一个实施方式的半导体装置中，优选，在上述俯视时，上述半导体芯片形成为具有互为对边关系的第一边以及第二边、和互为对边关系的第三边以及第四边的四边形状，上述第二导电层偏于上述第一边以及上述第二边的每个地各设有一个，上述第一焊盘在相互对置的一对上述第二导电层之间的区域中至少偏于上述第三边以及上述第四边的一方地设置。
[0034]在本公开的一个实施方式的半导体装置中，优选上述第一导电层包含第一线圈，上述第二导电层包含第二线圈。
[0035]在本公开的一个实施方式的半导体装置中，优选上述第二线圈具有比上述第一线圈大的厚度。
[0036]在本公开的一个实施方式的半导体装置中，优选上述第二线圈具有比上述第二线圈的间距大的厚度。
[0037]在本公开的一个实施方式的半导体装置中，优选上述第二线圈包含形成上述第二线圈的最外周且具有第一宽度的第一部分、以及形成比上述第一部分更靠内侧的线圈部分且具有比上述第一宽度小的第二宽度的第二部分。
[0038]在本公开的一个实施方式的半导体装置中，优选上述第一部分与上述第二部分的最外周的部分的距离比上述第二部分的间距大。
[0039]在本公开的一个实施方式的半导体装置中，优选上述第一线圈由AlCu构成，上述第二线圈由Cu构成。
[0040]本公开的一个实施方式的半导体装置优选包含第一通电部件，该第一通电部件与上述第一线圈的内侧端部连接，以在上述第一线圈的下方横穿上述第一线圈的方式延伸，并与上述第一焊盘电连接。
[0041]在本公开的一个实施方式的半导体装置中，优选上述绝缘层包含有机绝缘层。
[0042]在本公开的一个实施方式的半导体装置中，优选上述有机绝缘层包含聚酰亚胺膜、酚醛树脂膜以及环氧树脂膜的至少一个。
[0043]在本公开的一个实施方式的半导体装置中，优选上述绝缘层包含层叠在第一无机绝缘层以及上述第一无机绝缘层上的第二无机绝缘层的层叠构造。
[0044]在本公开的一个实施方式的半导体装置中，优选上述第一无机绝缘层包含氮化硅膜，上述第二无机绝缘层包含氧化硅膜。
[0045]本公开的一个实施方式的半导体模块优选，包括：芯片焊盘；搭载在上述芯片焊盘上的上述半导体装置；对上本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体装置，其特征在于，包括：半导体芯片，其具有主面；第一导电层，其形成在上述半导体芯片的上述主面上，且与第一电位连接；第二导电层，其在上述主面的法线方向上与上述第一导电层对置，且与比上述第一电位高的第二电位连接；绝缘层，其形成于上述第一导电层与上述第二导电层之间；以及第一焊盘，其在从上述法线方向观察上述半导体芯片时的俯视时的第一方向上形成于远离与上述第二导电层对置的区域的区域，且与上述第一导电层电连接。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，包含第二焊盘，该第二焊盘在上述俯视时的与上述第一方向交叉的第二方向上相对于上述第二导电层排列，具有比上述第一方向上的上述第二导电层的宽度小的宽度，且与上述第二导电层电连接。3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，在上述俯视时，上述半导体芯片形成为具有互为对角关系的第一角部以及第二角部、和互为对角关系的第三角部以及第四角部的四边形状，上述第二导电层偏于上述第一角部地设有一个，上述第一焊盘偏于上述第二角部地设置。4.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，在上述俯视时，上述半导体芯片形成为具有互为对边关系的第一边以及第二边、和互为对边关系的第三边以及第四边的四边形状，上述第二导电层偏于上述第一边以及上述第二边的每个地各设有一个，上述第一焊盘在相互对置的一对上述第二导电层之间的区域中至少偏于上述第三边以及上述第四边的一方地设置。5.根据权利要求1～4任一项中所述的半导体装置，其特征在于，上述第一导电层包含第一线圈，上述第二导电层包含第二线圈。6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，上述第二线圈具有比上述第一线圈大的厚度。7.根据权利要求5或6所述的半导体装置，其特征在于，上述第二线圈具有比上述第一线圈的间距大的厚度。8.根据权利要求5～7任一项中所述的半导体装置，其特征在于，上述第二线圈包含形成上述第二线圈的最外周且具有第一宽度的...
【专利技术属性】
技术研发人员：田中文悟，
申请(专利权)人：罗姆股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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