【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体制造设备领域，特别涉及一种升温装置。
技术介绍
1、随着半导体
的不断更新以及集成电路制造尺寸的逐渐缩小，工艺制程对蚀刻工艺设备的要求也越来越高。在蚀刻设备的工艺过程中，反应腔上电极的温度控制直接影响着晶圆工艺加工的质量，所以反应腔上电极需要在晶圆加工前进行预热，以保证反应腔上电极温度在一定的范围内。
2、而常规的蚀刻设备反应腔上电极的温度预热方式会使反应腔上电极的温度区间过大，影响产品品质，同时还会出现上电极温度低于工艺条件要求，还继续进行晶圆加工的问题。
技术实现思路
1、本申请要解决的技术问题是提供一种对蚀刻设备的上电极进行升温的装置，以提高晶圆加工的质量。
2、为了解决上述技术问题，本申请提供了一种升温装置，用于对蚀刻设备的上电极进行升温，包括：进气管道，所述进气管道的管径向出气方向逐渐减小；出气管道，所述出气管道的管径向所述出气方向逐渐增大，且所述出气管道与所述进气管道的管径最小处形成辅助气体通道，且所述辅助气体通道和所述出气管道、所述进气管道相通；加热装置，与所述出气管道的出口相邻，用于对所述出气管道输出的气体进行加热，并向所述上电极输送加热后的气体。
3、在本申请的一些实施例中，所述进气管道和所述出气管道的轴线位于同一条直线上，且所述进气管道的管径最小处窄于所述出气管道的管径最小处。
4、在本申请的一些实施例中，所述出气管道邻近所述进气管道一端的管口倒设圆角。
5、在本申请的一些实施例中
6、在本申请的一些实施例中，所述出气管道的外侧设有圆环槽，且所述圆环槽和所述辅助气体管道相通。
7、在本申请的一些实施例中，所述辅助气体管道的管径为5mm～15mm，所述进气管道进口处的管径为35mm～45mm，所述出气管道邻近所述进气管道一端的管径为20mm～30mm，所述出气管道出口处的管径为25mm～35mm，所述辅助气体通道的宽度为5mm～10mm。
8、在本申请的一些实施例中，所述加热装置包括加热柱体。
9、在本申请的一些实施例中，所述加热柱体的侧壁设有沿所述加热柱体周向分布的导热片，且相邻所述导热片形成加热流道。
10、在本申请的一些实施例中，所述加热柱体的侧壁套设有导热组件，所述导热组件包括导热套筒和沿所述导热套筒周向分布的导热片，且相邻所述导热片形成加热流道。
11、在本申请的一些实施例中，所述加热柱体的长度为80mm～120mm，直径为10mm～20mm；所述导热片的长度为80mm～120mm。
12、在本申请的一些实施例中，所述升温装置还包括：壳体，所述进气管道、所述出气管道及所述加热装置均安装于所述壳体中。
13、与现有技术相比，本申请技术方案的升温装置具有如下有益效果：
14、在本申请技术方案的升温装置中，进气管道的管径向出气方向逐渐减小，出气管道的管径向出气方向逐渐增大，且在出气管道与进气管道的管径最小处形成有和出气管道、进气管道相通的辅助气体通道，进气管道、出气管道及辅助气体通道的这种结构及相对位置关系，能够使辅助气体通过辅助气体通道进入时形成低压区域，进而带动外界空气进入进气管道，并向出气管道中流动，通过加热装置对出气管道输出的气体进行加热，并将加热后的气体输向蚀刻设备的上电极，从而实现对上电极的升温操作，由此可以有效解决上电极的温度区间过大而影响产品品质以及在上电极温度低于工艺条件要求时还继续进行晶圆加工的问题，从而提高晶圆加工的质量。
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1.一种升温装置，用于对蚀刻设备的上电极进行升温，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的升温装置，其特征在于，所述进气管道和所述出气管道的轴线位于同一条直线上，且所述进气管道的管径最小处窄于所述出气管道的管径最小处。
3.根据权利要求1所述的升温装置，其特征在于，所述出气管道邻近所述进气管道一端的管口倒设圆角。
4.根据权利要求1所述的升温装置，其特征在于，所述进气管道通过安装部套设于所述出气管道上，所述安装部的侧壁还贯穿的设有辅助气体管道，且所述辅助气体管道和所述辅助气体通道相通。
5.根据权利要求4所述的升温装置，其特征在于，所述出气管道的外侧设有圆环槽，且所述圆环槽和所述辅助气体管道相通。
6.根据权利要求4所述的升温装置，其特征在于，所述辅助气体管道的管径为5mm～15mm，所述进气管道进口处的管径为35mm～45mm，所述出气管道邻近所述进气管道一端的管径为20mm～30mm，所述出气管道出口处的管径为25mm～35mm，所述辅助气体通道的宽度为5mm～10mm。
7.根据权利要求1所述的升温
8.根据权利要求7所述的升温装置，其特征在于，所述加热柱体的侧壁设有沿所述加热柱体周向分布的导热片，且相邻所述导热片形成加热流道。
9.根据权利要求7所述的升温装置，其特征在于，所述加热柱体的侧壁套设有导热组件，所述导热组件包括导热套筒和沿所述导热套筒周向分布的导热片，且相邻所述导热片形成加热流道。
10.根据权利要求8或9所述的升温装置，其特征在于，所述加热柱体的长度为80mm～120mm，直径为10mm～20mm；所述导热片的长度为80mm～120mm。
11.根据权利要求1所述的升温装置，其特征在于，还包括：壳体，所述进气管道、所述出气管道及所述加热装置均安装于所述壳体中。
...【技术特征摘要】
1.一种升温装置，用于对蚀刻设备的上电极进行升温，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的升温装置，其特征在于，所述进气管道和所述出气管道的轴线位于同一条直线上，且所述进气管道的管径最小处窄于所述出气管道的管径最小处。
3.根据权利要求1所述的升温装置，其特征在于，所述出气管道邻近所述进气管道一端的管口倒设圆角。
4.根据权利要求1所述的升温装置，其特征在于，所述进气管道通过安装部套设于所述出气管道上，所述安装部的侧壁还贯穿的设有辅助气体管道，且所述辅助气体管道和所述辅助气体通道相通。
5.根据权利要求4所述的升温装置，其特征在于，所述出气管道的外侧设有圆环槽，且所述圆环槽和所述辅助气体管道相通。
6.根据权利要求4所述的升温装置，其特征在于，所述辅助气体管道的管径为5mm～15mm，所述进气管道进口处的管径为35mm～45mm，所述出气管道邻近所述进气管道一端的...
【专利技术属性】
技术研发人员：卫德强，梁邦辉，
申请(专利权)人：中芯北方集成电路制造北京有限公司，
类型：新型
国别省市：
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