本发明提供抑制上部电极处的异常放电的上部电极和等离子体处理装置。所公开的上部电极在电容耦合型的等离子体处理装置中构成喷淋头。上部电极包括第一部件和第二部件。第一部件由导电体形成。第一部件提供多个第一孔。多个第一孔贯通第一部件。第二部件包...

缩短直到取得蚀刻质量的检查结果为止的时间。蚀刻处理系统包括：预测部，通过将预测对象的基板的图像数据输入到通过使用学习用数据进行学习而得到的学习完成模型，从而对预测对象的基板的蚀刻质量进行预测，所述学习用数据通过将由布置在基板的输送路径上...

本发明提供基片支承座、等离子体处理装置和环的更换方法，能够利用共用的升降机构来更换基片支承座所具有的两种环。基片支承座包括：基片载置部；第一环，其以包围上述基片载置部的方式设置；第二环，其以包围上述第一环并且俯视时不与该第一环重叠的方式...

本发明提供一种溶剂蒸气供给装置和溶剂蒸气供给方法。溶剂蒸气供给装置向在所述溶剂蒸气的气氛下对形成有至少包含两种聚合物的嵌段共聚物的膜的基板进行加热的基板处理装置供给溶剂蒸气，来使所述嵌段共聚物相分离，所述溶剂蒸气供给装置具备：溶剂贮存部...

本公开提供一种等离子体处理方法和等离子体处理系统。用于抑制蚀刻的形状异常。提供一种在具有腔室的等离子体处理装置中执行的等离子体处理方法。该方法包括以下工序：工序(a)，将具有含硅膜和含硅膜上的掩模膜的基板提供到腔室内的基板支承部上；工序...

本公开涉及一种剥离系统和剥离方法，实现一系列的剥离处理的高效化。基于本公开的一个方式的剥离系统具备载置部、去除装置以及搬送装置。载置部用于载置能够收容第一基板与第二基板隔着分离层接合而成的重合基板的第一盒、能够收容第一基板的第二盒以及能...

本发明提供能够高效率地进行处理液供给装置的维护的处理液供给装置和处理液排出方法。处理液供给装置用于对向基片释放处理液的释放部供给处理液，包括：第一罐；第一管路；第二管路；设置在第二管路中的泵；设置在第二管路中的第一罐与泵之间的过滤器；排...

一种周缘去除装置和周缘去除方法。对基板进行处理，所述基板处理装置具有：基板保持部，其保持将第一基板的表面与第二基板的表面接合而成的重合基板中的所述第二基板；周缘改性部，其针对被所述基板保持部保持的所述第一基板的内部，沿着作为去除对象的周...

本发明提供一种在被处理体有区域选择性地控制性良好地成膜的技术。一实施方式的方法包括在收纳有被处理体的处理容器内生成第1气体的等离子体，经被处理体的开口对被处理体的被蚀刻层各向异性地进行蚀刻的步骤，在该步骤之后还包括反复实施包括下述步骤的...

本发明提供能够抑制系统的占有面积的增加、并且能够进行真空输送腔室的维护的处理基片的系统及其维护方法。本发明的处理基片的系统包括：大气输送室；真空输送腔室；设置有真空处理腔室的处理模块；和负载锁定腔室，真空输送腔室和负载锁定腔室配置在操作...

本发明要解决的技术问题是，在对周缘部的膜进行液处理时达到期望的处理性能。基片处理装置包括：基片保持部；用于使基片保持部绕旋转轴线旋转的旋转驱动部；和用于向设定在基片周缘部的着液点释放处理液的释放部。释放部包括能够释放相同的处理液的多个喷...

一种使输送精度提高的基板输送装置及基板输送方法。该基板输送装置包括:瓷砖形状单元,其设于输送室,具有线圈和霍尔元件；输送单元,其具有永磁体,并且在上述瓷砖形状单元之上移动而输送基板；温度传感器,其对上述瓷砖形状单元中的温度进行检测；以及...

一种制造半导体器件的方法，该方法包括形成垂直访问晶体管，形成垂直访问晶体管包括：在衬底上沿第一方向形成位线；在位线中的每个位线上方形成多晶硅柱体作为牺牲柱体；在多晶硅柱体的侧表面上形成栅极氧化物；在多晶硅柱体上沿第二方向形成字线，其中栅...

一种方法，在具备对基板实施期望的处理的至少一个处理部以及对所述处理部搬送基板的搬送部的处理系统中将要连续处理的多个基板从所述搬送部搬送到所述处理部，在所述方法中，预先对多个所述基板各分别分配用于任意地变更针对该基板的处理时间的调整值，所...

提供抑制内部泄漏的粉体输送装置、气体供给装置及粉体除去方法。该粉体输送装置包括：粉体输送配管，将粉体原料供给源与气化器连接；第一阀，设置在所述粉体输送配管的所述粉体原料供给源一侧；第二阀，设置在所述粉体输送配管的所述气化器一侧；缓冲容器...

本发明所公开的蚀刻方法包括在等离子体处理装置的腔室内的表面上形成含有碳的保护膜的工序(a)。蚀刻方法还包括利用在腔室内从包含氟化氢气体及氢氟烃气体的蚀刻气体生成的等离子体对基板的蚀刻膜进行蚀刻的工序(b)。基板包括作为含硅膜的蚀刻膜及含...

一种臭氧供给系统、基板处理装置以及臭氧供给方法,其能够使臭氧产生器中的臭氧的生成稳定化。该臭氧供给系统具有供给气体的供给路径和设于上述供给路径而使用自上述供给路径的上游侧供给的氧气生成臭氧,并且将包括该臭氧的臭氧含有气体送出至下游侧的臭...

本发明的目的在于抑制将应作为操作对象的半导体制造装置搞错。本发明提供一种半导体制造装置，其具有：执行指示接受部，其接受对半导体制造装置进行的规定处理的执行指示，其中，所述规定处理是关于所述半导体制造装置的运转控制的处理；识别信息接受部，...

磨削装置具备保持盘、壳体、工具驱动部、喷嘴、传感器和传感器罩。所述保持盘保持基板。所述壳体收纳所述保持盘。所述工具驱动部驱动在所述壳体的内部按压于所述基板的磨削工具。所述喷嘴在所述壳体的内部向所述基板供给磨削液。所述传感器位于所述壳体的...

本公开提供一种基板搬送装置和基板搬送方法，在使用基板搬送模块进行基板以外的搬送物的搬送的情况下也能够进行准确的动作控制。基板搬送装置的控制部调节设置于基板搬送室的底面部的第一磁体的磁力，通过具备第二磁体的基板搬送模块来进行基板的搬送，参...