本发明专利技术提供能够高效率地进行处理液供给装置的维护的处理液供给装置和处理液排出方法。处理液供给装置用于对向基片释放处理液的释放部供给处理液，包括：第一罐；第一管路；第二管路；设置在第二管路中的泵；设置在第二管路中的第一罐与泵之间的过滤器；排液管路；第一开闭阀；第二开闭阀；第三开闭阀；第四开闭阀；连接在第二管路中的第二开闭阀与过滤器之间的、用于供给气体的第一气体供给路径；第五开闭阀；和控制部，控制部能够并行地执行：第一控制，控制第一开闭阀和第二开闭阀，使得向第一罐填充处理液；和第二控制，控制第三开闭阀、第四开闭阀和第五开闭阀，使得利用来自第一气体供给路径的气体将第二管路内的处理液排出。体供给路径的气体将第二管路内的处理液排出。体供给路径的气体将第二管路内的处理液排出。
【技术实现步骤摘要】
处理液供给装置和处理液排出方法
[0001]本专利技术涉及处理液供给装置和处理液排出方法。
技术介绍
[0002]专利文献1公开了一种涂敷显影装置，其包括：用于释放处理液的喷嘴；用于向喷嘴供给处理液的处理液供给部；和控制器。上述处理液供给部包括：用于将处理液从罐引导至喷嘴的送液管；设置在送液管中的泵；和在送液管中设置在罐与泵之间的过滤器，其包括罐侧的第一空间、泵侧的第二空间和过滤材料。上述控制器能够执行：第一控制，控制处理液供给部使得利用泵使处理液从第一空间侧经由过滤材料向第二空间侧流动；和第二控制，在第一控制之后，控制处理液供给部使得利用泵使处理液从第二空间侧经由过滤材料向第一空间侧流动。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2018
‑
32688号公报
技术实现思路
[0006]专利技术要解决的技术问题
[0007]本专利技术的技术能够高效率地进行处理液供给装置的维护。
[0008]用于解决技术问题的手段
[0009]本专利技术的一个方式是用于对向基片释放处理液的释放部供给处理液的处理液供给装置，其包括：第一罐，其用于收纳来自处理液供给源的处理液；第一管路，其用于将处理液从所述处理液供给源引导至所述第一罐；第二管路，其用于将处理液从所述第一罐引导至所述释放部；设置在所述第二管路中的泵；设置在所述第二管路中的所述第一罐与所述泵之间的过滤器；与所述过滤器连接的排液管路；设置在所述第一管路中的第一开闭阀；设置在所述第二管路中的所述第一罐与所述过滤器之间的第二开闭阀；设置在所述第二管路中的所述过滤器与所述泵之间的第三开闭阀；设置在所述排液管路中的第四开闭阀；连接在所述第二管路中的所述第二开闭阀与所述过滤器之间的、用于供给气体的第一气体供给路径；设置在所述第一气体供给路径中的第五开闭阀；和控制部，所述控制部能够并行地执行：第一控制，控制所述第一开闭阀和所述第二开闭阀，使得向所述第一罐填充处理液；和第二控制，控制所述第三开闭阀、所述第四开闭阀和所述第五开闭阀，使得利用来自所述第一气体供给路径的气体将所述第二管路内的处理液排出。
[0010]专利技术效果
[0011]采用本专利技术，能够高效率地进行处理液供给装置的维护。
附图说明
[0012]图1是表示抗蚀剂涂敷装置的结构的概要的纵截面图。
[0013]图2是表示抗蚀剂涂敷装置的结构的概要的横截面图。
[0014]图3是表示本实施方式的液供给装置的结构的概要的说明图。
[0015]图4是表示释放动作时的液供给装置的状态的图。
[0016]图5是表示向泵补充抗蚀剂液时的液供给装置的状态的图。
[0017]图6是表示将第一罐内的抗蚀剂液排出时的液供给装置的状态的图。
[0018]图7是表示从第二管路内抽出抗蚀剂液时的液供给装置的状态的图。
[0019]图8是表示从第二管路内抽出抗蚀剂液时的液供给装置的状态的图。
[0020]图9是表示用抗蚀剂液填充第二管路时的液供给装置的状态的图。
[0021]图10是表示第一气体供给路径的另一个例子的图。
[0022]图11是表示本实施方式的液供给装置的结构的另一个例子的说明图。
[0023]附图标记说明
[0024]42释放喷嘴，100液供给装置，101第一罐，111第一管路，112第二管路，120泵，121过滤器，131第一排放管路，141第一气体供给路径，M控制部，V1第一开闭阀，V2第二开闭阀，V3第三开闭阀，V4第四开闭阀，V5第五开闭阀，W晶片。
具体实施方式
[0025]在半导体器件等的制造工艺中的光刻工序中，为了在半导体晶片(下面，称为“晶片”)等基片上形成规定的抗蚀剂图案，进行一系列的处理。在上述一系列的处理中，例如包括向基片上供给抗蚀剂液并形成抗蚀剂膜的抗蚀剂涂敷处理、对抗蚀剂膜进行曝光的曝光处理、向曝光后的抗蚀剂膜供给显影液进行显影的显影处理等。
[0026]抗蚀剂液和显影液等处理液向基片的释放，经由释放喷嘴进行。另外，处理液向释放喷嘴的供给，由处理液供给装置进行。处理液供给装置具有：罐，其用于收纳来自处理液供给源的处理液；和送液管路，其用于将处理液从罐引导至释放喷嘴。另外，在送液管路中设置有泵或过滤器。
[0027]然而，在处理液供给装置的维护时(具体而言，在更换泵时、或改变处理液的种类时)，将处理液从送液管路排出以使送液管路内成为空的状态。以往，是向罐中送入气体，利用罐内的处理液将送液管路内的处理液挤出(压出)，在罐变空后也继续进行气体的送入，从而使送液管路成为空的状态。
[0028]但是，该方法中，为了用处理液对送液管路内进行再填充，需要在使送液管路成为空的状态之后进行向罐中补充处理液等，因此，在效率方面有改善的余地。
[0029]因此，本专利技术的技术能够高效率地进行处理液供给装置的维护。
[0030]下面，参照附图对本实施方式的处理液供给装置和处理液排出方法进行说明。此外，在本说明书和附图中，对于具有实质上相同的功能构成的要素，通过标注相同的附图标记来省略重复说明。
[0031]＜抗蚀剂涂敷装置＞
[0032]使用图1和图2，对具有本实施方式的处理液供给装置供给处理液的释放部的、作为基片处理装置的抗蚀剂涂敷装置进行说明。图1和图2分别是表示抗蚀剂涂敷装置的结构的概要的纵截面图和横截面图。
[0033]如图1所示，抗蚀剂涂敷装置1具有能够将内部封闭的处理容器10。在处理容器10
的侧面形成有作为基片的晶片W的送入送出口(未图示)，在送入送出口设置有开闭闸门(未图示)。
[0034]在处理容器10内的中央部设置有能够保持晶片W并使其旋转的旋转卡盘20。旋转卡盘20具有水平的上表面，在该上表面设置有例如用于吸引晶片W的吸引口(未图示)。通过从该吸引口的吸引，能够将晶片W吸附保持在旋转卡盘20上。
[0035]旋转卡盘20具有包括例如电动机等的卡盘驱动机构21，能够通过该卡盘驱动机构21以规定的速度旋转。另外，在卡盘驱动机构21中设置有气缸等升降驱动源，旋转卡盘20能够上下移动。
[0036]在旋转卡盘20的周围设置有用于承接并回收从晶片W飞散或落下的液体的杯状体30。在杯状体30的下表面连接有用于将回收的液体排出的排出管31和用于对杯状体30内的气氛进行排气的排气管32。
[0037]如图2所示，在杯状体30的X方向负方向(图2的下方向)侧，形成有沿着Y方向(图2的左右方向)延伸的轨道40。轨道40例如从杯状体30的Y方向负方向(图2的左方向)侧的外侧形成至Y方向正方向(图2的右方向)侧的外侧。在轨道40上安装有臂41。
[0038]在臂41上支承有作为释放部的释放喷嘴42，该释放喷嘴42用于释放作为处理液的抗蚀剂液。臂41通过喷嘴驱动部43可在轨道40上移动。从而，释放喷嘴42能够从设置在杯状体30的本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种处理液供给装置，其用于对向基片释放处理液的释放部供给处理液，所述处理液供给装置的特征在于，包括：第一罐，其用于收纳来自处理液供给源的处理液；第一管路，其用于将处理液从所述处理液供给源引导至所述第一罐；第二管路，其用于将处理液从所述第一罐引导至所述释放部；设置在所述第二管路中的泵；设置在所述第二管路中的所述第一罐与所述泵之间的过滤器；与所述过滤器连接的排液管路；设置在所述第一管路中的第一开闭阀；设置在所述第二管路中的所述第一罐与所述过滤器之间的第二开闭阀；设置在所述第二管路中的所述过滤器与所述泵之间的第三开闭阀；设置在所述排液管路中的第四开闭阀；连接在所述第二管路中的所述第二开闭阀与所述过滤器之间的、用于供给气体的第一气体供给路径；设置在所述第一气体供给路径中的第五开闭阀；和控制部，所述控制部能够并行地执行：第一控制，控制所述第一开闭阀和所述第二开闭阀，使得向所述第一罐填充处理液；和第二控制，控制所述第三开闭阀、所述第四开闭阀和所述第五开闭阀，使得利用来自所述第一气体供给路径的气体将所述第二管路内的处理液排出。2.如权利要求1所述的处理液供给装置，其特征在于：所述处理液供给源是贮存处理液的第二罐。3.如权利要求2所述的处理液供给装置，其特征在于，还包括：与所述第一罐连接的、用于向该第一罐供给气体的第二气体供给路径；和与所述第二罐连接的、用于向该第二罐供给气体的第三气体供给路径。4.如权利要求3所述的处理液供给装置，其特征在于：所述第一气体供给路径不与所述第三气体供给路径连接，而与所述第二气体供给路径连接。5.如权利要求1所述的处理液供给装置，其特征在于：所述控制部能够在执行作为所述第二控制的下述两个控制的期间继续执行所述第一控制，这两个控制是：控制所述第三开闭阀、所述第四开闭阀和所述第五开闭阀，使得利用来自所述第一气体供给路径的气体将所述第二管路内的...
【专利技术属性】
技术研发人员：中村知己，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：
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