【技术实现步骤摘要】
本公开涉及基板处理装置和基板处理方法。
技术介绍
1、在将集成电路的层叠结构形成于基板的表面的半导体装置的制造工序中，进行化学溶液清洗、湿式蚀刻等液处理。液处理中附着于基板的表面的液体等例如利用使用了超临界状态的处理流体的干燥方法来去除(例如，参照专利文献1)。
2、现有技术文献
3、专利文献
4、专利文献1：日本特开2013－012538号公报
技术实现思路
1、专利技术要解决的问题
2、本公开提供一种能够抑制基板的图案倒塌的技术。
3、用于解决问题的方案
4、本公开的一技术方案为一种基板处理装置，其使用超临界状态的处理流体使附着有液体的基板干燥，其中，该基板处理装置具有：处理容器，其在内部收纳所述基板；保持部，其将所述基板以水平姿势保持在所述处理容器内的保持位置；以及流体供给部，其向所述处理容器内供给所述处理流体，所述流体供给部具有第1方向变更构件，该第1方向变更构件将自被所述保持部保持的所述基板的径向外侧供给的所述处理流体的流动向不会碰撞到所述基板的径向外端的方向变更。
5、专利技术的效果
6、根据本公开，能够抑制基板的图案倒塌。
【技术保护点】
1.一种基板处理装置，其使用超临界状态的处理流体使附着有液体的基板干燥，其中，
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，
3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中，
4.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，
5.根据权利要求4所述的基板处理装置，其中，
6.根据权利要求4所述的基板处理装置，其中，
7.根据权利要求4所述的基板处理装置，其中，
8.根据权利要求7所述的基板处理装置，其中，
9.根据权利要求7所述的基板处理装置，其中，
10.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，
11.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，
12.根据权利要求1～11中任一项所述的基板处理装置，其中，
13.根据权利要求12所述的基板处理装置，其中，
14.根据权利要求12所述的基板处理装置，其中，
15.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，
16.根据权利要求15所述的基板处理装置，其中，
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