蚀刻方法及等离子体处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术所公开的蚀刻方法包括在等离子体处理装置的腔室内的表面上形成含有碳的保护膜的工序(a)。蚀刻方法还包括利用在腔室内从包含氟化氢气体及氢氟烃气体的蚀刻气体生成的等离子体对基板的蚀刻膜进行蚀刻的工序(b)。基板包括作为含硅膜的蚀刻膜及含有碳且设置于该蚀刻膜上的掩模。设置于该蚀刻膜上的掩模。设置于该蚀刻膜上的掩模。

【技术实现步骤摘要】
蚀刻方法及等离子体处理装置


[0001]本专利技术的示例性实施方式涉及一种蚀刻方法及等离子体处理装置。

技术介绍

[0002]等离子体处理装置用于蚀刻之类的等离子体处理。等离子体处理装置具备腔室。腔室内的表面暴露于等离子体处理中所使用的反应物种，并通过该反应物种进行削减。为了保护腔室内的表面免受反应物种的影响，使用在对基板进行等离子体处理之前在腔室内的表面上形成保护膜的技术。在下述专利文献1～3中公开有这种技术。
[0003]专利文献1：日本特开2016
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76625号公报
[0004]专利文献2：日本特开2009
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188257号公报
[0005]专利文献3：美国专利第6071573号说明书

技术实现思路

[0006]专利技术要解决的技术课题
[0007]本专利技术提供一种保护腔室内的表面免受反应物种的影响的技术。
[0008]用于解决技术课题的手段
[0009]在一示例性实施方式中，提供一种蚀刻方法。蚀刻方法包括在等离子体处理装置的腔室内的表本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种蚀刻方法，其包括：(a)在等离子体处理装置的腔室内的表面上形成含有碳的保护膜的工序；及(b)利用在所述腔室内从包含氟化氢气体及氢氟烃气体的蚀刻气体生成的等离子体对基板的蚀刻膜进行蚀刻的工序，所述基板包括作为含硅膜的所述蚀刻膜及含有碳且设置于该蚀刻膜上的掩模。2.根据权利要求1所述的蚀刻方法，其中，所述保护膜通过使用了含碳气体的化学气相沉积、分子层沉积或溅射沉积而形成。3.根据权利要求1或2所述的蚀刻方法，其中，所述保护膜为包括两个以上的不同的膜的层叠膜。4.根据权利要求3所述的蚀刻方法，其中，所述保护膜包括含有硅的第1膜及含有碳且形成于该第1膜上的第2膜。5.根据权利要求1或2所述的蚀刻方法，其中，所述保护膜具有根据在其厚度方向上距所述腔室内的所述表面的距离而增加的碳的含量。6.根据权利要求5所述的蚀刻方法，其中，在所述(a)中，所述保护膜使用成膜气体而形成，在所述(a)中，所述成膜气体中的含碳气体的流量相对于该成膜气体的总流量的比例经时增加。7.一种蚀刻方法，其包括：(a)在等离子体处理装置的腔室内的表面上形成保护膜的工序；及(b)利用在所述腔室内从包含氟化氢气体及含氢气体的蚀刻气体生成的等离子体对基板的蚀刻膜进行蚀刻的工序，所述基板包括所述蚀刻膜及设置于该蚀刻膜上的掩模，所述保护膜由与所述掩模的材料相同种类的材料形成。8.根据权利要求7所述的蚀刻方法，其中，所述含氢气体包含选自由H2、CH4、C2H2、C4H2F6、CH2F2、CH3F、CHF3、H2O、HCl、HBr及HI组成的组中的至少一种。9.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：加古隆，永井龙，田中康基，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：