本发明涉及基板处理装置。提供一种在使基板自转、公转的基板处理装置中能够抑制处理气体向收纳使基板自转的马达的收纳箱内侵入的技术。本公开的一技术方案的基板处理装置具有：处理容器；旋转台，其以能够旋转的方式设于所述处理容器内；载置台，其在离开...

一种方法包括：获得第一晶圆键合配方和晶圆键合工艺模型，该模型包括指示要键合到第二晶圆的第一晶圆的物理参数的输入并且被配置成基于该第一晶圆的物理参数来输出晶圆键合配方；获得该第一晶圆的测量结果以获得该第一晶圆的物理参数；该模型根据该第一晶...

本发明提供抑制特征数据的缺少而对多波长的时间序列数据进行压缩并进行图像化的数据处理装置、数据处理系统、数据处理方法以及数据处理程序。数据处理装置具有：预处理部，通过使用规定的基准数据对多波长的时间序列数据进行归一化，来生成归一化数据；提...

本公开提供一种基板处理装置和基板处理方法，能够与处理张数无关地抑制在基板附着微粒。本公开的一个方式的基板处理装置具有：处理槽，其用于贮存处理液，基板浸在该处理液中；干燥槽，其配置于所述处理槽的上方，用于使所述基板干燥；气体供给部，其向所...

一种等离子体处理方法及等离子体处理装置,其抑制因迁移导致的静电卡盘的吸附力的降低。该等离子体处理方法具有:(a)载置工序,其将基板载置于在等离子体处理腔室内配置的第一温度的静电卡盘；(b)静电吸附工序,其将上述基板静电吸附于上述静电卡盘...

本发明提供原料供给装置、基片处理系统和剩余量估算方法，实现一种能够高精度地估算原料容器内的原料剩余量的技术。原料供给装置包括：收纳有固体或液体原料的原料容器；与原料容器连接、供载气流通的上游路径；与原料容器连接、供包含从原料产生的原料气...

本发明涉及信息处理方法以及信息处理装置。信息处理方法获取在对基板的周期处理中测定出的时间序列数据组。信息处理方法针对获取到的时间序列数据组所包含的每个时间序列数据，计算周期处理的各周期的统计值。信息处理方法生成基于计算出的统计值的统计数...

本实用新型提供一种基片处理装置，其包括：能够在多个位置抓持基片的周缘来保持该基片的保持部；使保持部旋转的旋转部；和控制保持部和旋转部的控制部。保持部包括：旋转盘，利用旋转部能够使旋转盘旋转；第一抓持部和第二抓持部，其与旋转盘一起旋转，并...

本实用新型提供一种基片处理装置(1)，其包括基片旋转部(20)和杯状体。基片旋转部(20)保持基片并使其旋转。杯状体呈环状地覆盖被保持在基片旋转部(20)的基片的周围。另外，杯状体具有杯状体基部(53)、第一部件(55)和第二部件(56...

本实用新型提供一种基片处理装置，其包括保持基片并使其旋转的基片旋转部、外侧杯状体、内侧杯状体、环状排液部和排气通路。外侧杯状体呈环状地覆盖被保持在基片旋转部的基片的周围。内侧杯状体配置在外侧杯状体的内侧，并且配置在基片的下方。环状排液部...

本发明涉及等离子体喷镀装置。提供一种能够抑制粉末附着于喷嘴而提高生产率的技术。等离子体喷镀装置包括：喷嘴主体，其具有能够供气体和粉末流通的呈直线状延伸的通路；以及第1电极，其以能够装卸的方式设于喷嘴主体的前端，具有与通路连通并能够喷出气...

本发明提供能够容易地维护基片处理装置的内壁部件的技术。本发明的基片处理装置包括腔室、基片支承器、支承部件、内壁部件、接触部件和致动器。基片支承器设置在腔室内。支承部件设置在基片支承器的上方。内壁部件包括能够配置在基片支承器的上方且支承部...

本发明提供能够在支承基片的基片支承体组件中提高高温区域中的温度控制性的基片支承体组件和等离子体处理装置。基片支承体组件包括：基座，在该基座中形成有温度调节介质用的流路；用于支承基片的基片支承体，其具有设置在基座上的电极板和设置在电极板上...

本发明提供能够使存在于处理后的基片的表面的杂质减少的基片处理装置和基片处理方法。基片处理装置包括具有用于送出送入基片的开口的处理容器；封闭开口的可动的盖体；使盖体在封闭开口的封闭位置与开放开口的开放位置之间移动的盖体移动机构；在处理容器...

本发明提供一种抑制喷淋头的多个气孔中的气体的解离的等离子体处理装置，其包括腔室、基片支承部、上部电极和至少一个电源。腔室在其内部提供处理空间。基片支承部设置于腔室内。上部电极构成从处理空间上方对处理空间导入气体的喷淋头。上部电极包括第一...

基于本公开的接合装置(41、41A、41B)用于将基板之间进行接合，所述接合装置具备第一保持部(110)、第二保持部(120)、移动部(130)、壳体(100)、干涉仪(160、170)、第一气体供给部(140、140B)以及第二气体供...

本发明提供液处理装置、液供给机构、液处理方法和计算机存储介质。对基片上供给处理液来对基片进行液处理的液处理装置包括：保持基片的基片保持部；对被上述基片保持部保持的基片释放处理液的释放嘴；供给处理液的处理液供给源；处理液供给管，其连接于上...

实施方式所涉及的液处理装置具备贮存罐、第一循环线路以及第二循环线路。贮存罐贮存处理液。第一循环线路用于使从贮存罐送出的处理液通过第一过滤器后返回到贮存罐。第二循环线路与第一循环线路连接，第二循环线路用于使处理液通过第二过滤器后返回到贮存...

一种基板处理系统，对基板进行处理，所述基板处理系统具有：磨削部，其对所述基板的加工面进行磨削；厚度测定部，其对所述基板的厚度进行测定；以及控制部，其控制所述厚度测定部的动作，其中，所述厚度测定部具备：接触式测定机构，其以与所述基板的所述...

本发明提供一种处理被处理体的方法，其在被处理体上的图案形成中抑制高精度的最小线宽的偏差。利用与ALD法同样的方法反复执行第一步骤的膜形成处理中形成的膜的膜厚根据形成该膜的面的温度而不同，基于上述情况，为了降低晶片的表面中沟槽的偏差，在按...