等离子体处理方法及等离子体处理装置制造方法及图纸

一种等离子体处理方法及等离子体处理装置,其抑制因迁移导致的静电卡盘的吸附力的降低。该等离子体处理方法具有:(a)载置工序,其将基板载置于在等离子体处理腔室内配置的第一温度的静电卡盘；(b)静电吸附工序,其将上述基板静电吸附于上述静电卡盘；(c)供给开始工序,其在上述基板与上述静电卡盘之间开始导热气体的供给；(d)检测工序,其检测上述导热气体的流量或上述基板与上述静电卡盘之间的压力；(e)判定工序,其判定上述流量或上述压力是否超过规定的阈值；(f)升温工序,其基于上述判定的结果,使上述静电卡盘升温至比上述第一温度高的第二温度；以及(g)生成工序,其在上述等离子体处理腔室内生成等离子体。子体处理腔室内生成等离子体。子体处理腔室内生成等离子体。

【技术实现步骤摘要】
等离子体处理方法及等离子体处理装置


[0001]本专利技术涉及等离子体处理方法及等离子体处理装置。

技术介绍

[0002]静电卡盘在高温的环境下,若等离子体处理期间变长,则产生以下现象:产生电荷自构成静电卡盘的介电膜向电介体的迁移(migration),从而静电卡盘的吸附力降低(例如,参照专利文献1)。
[0003]<现有技术文献>
[0004]<专利文献>
[0005]专利文献1:日本国特开2018
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206935号公报

技术实现思路

[0006]<本专利技术要解决的问题>
[0007]本专利技术提供一种能够抑制因迁移导致的静电卡盘的吸附力的降低的技术。
[0008]<用于解决问题的方法>
[0009]根据本专利技术的一个方式,提供一种等离子体处理方法,具有:(a)载置工序,其将基板载置于在等离子体处理腔室内配置的第一温度的静电卡盘；(b)静电吸附工序,其将上述基板静电吸附于上述静电卡盘；(c)供给开始工序,其在上述基板与上述静电卡盘之间开始导热气体的供给；(d)检测工序,其检测上述导热气体的流量或上述基板与上述静电卡盘之间的压力；(e)判定工序,其判定上述流量或上述压力是否超过规定的阈值；(f)升温工序,其基于上述判定的结果,使上述静电卡盘升温至比上述第一温度高的第二温度；以及(g)生成工序,其在上述等离子体处理腔室内生成等离子体。
[0010]<专利技术的效果>
[0011]根据一个侧面,能够抑制因迁移导致的静电卡盘的吸附力的降低。
附图说明
[0012]图1是示出实施方式的等离子体处理系统的一个例子的图。
[0013]图2是示出实施方式的等离子体处理装置的一个例子的剖视示意图。
[0014]图3是示出实施方式的流量监视器的一个例子的图。
[0015]图4是用于说明因迁移导致的静电卡盘的吸附力的降低的图。
[0016]图5是用于说明因迁移导致的电荷的移动的图。
[0017]图6是示出第一实施方式的等离子体处理方法的一个例子的流程图。
[0018]图7是示出第一实施方式的等离子体处理方法的一个例子的时间图。
[0019]图8是示出等离子体处理方法中的He气体的泄露检查的结果的一个例子的图。
[0020]图9是示出第二实施方式的等离子体处理方法的一个例子的流程图。
[0021]图10是示出第二实施方式的等离子体处理方法的一个例子的时间图。
具体实施方式
[0022]以下,参照附图对用于实施本专利技术的方式进行说明。在各附图中,对于相同构成部分赋予相同附图标记,有时省略重复的说明。
[0023][等离子体处理系统][0024]在一个实施方式中,图1所示等离子体处理系统包括等离子体处理装置1以及控制部2。等离子体处理装置5包括等离子体处理腔室10、基板支承部11以及等离子体生成部12。等离子体处理腔室10具有等离子体处理空间。另外,等离子体处理腔室10具有用于将至少一种处理气体供给至等离子体处理空间的至少一个气体供给口、以及用于自等离子体处理空间将气体排出的至少一个气体排出口。气体供给口与后述气体供给部20连接,气体排出口与后述排气系统40连接。基板支承部11配置于等离子体处理空间内,其具有用于支承基板的基板支承面。
[0025]等离子体生成部12构成为自供给至等离子体处理空间内的至少一种处理气体生成等离子体。在等离子体处理空间中形成的等离子体可以为电容耦合等离子体(CCP；Capacitively Coupled Plasma)、电感耦合等离子体(ICP；Inductively Coupled Plasma)、ECR等离子体(Electron
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Cyclotron
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resonance plasma)、螺旋波等离子体(HWP:Helicon Wave Plasma)、或者表面波等离子体(SWP:Surface Wave Plasma)等。另外,可以使用包括AC(Alternating Current)等离子体生成部以及DC(Direct Current)等离子体生成部的、各种类型的等离子体生成部。在一个实施方式中,在AC等离子体生成部中使用的AC信号(AC电力)具有100kHz～10GHz的范围内的频率。因此,AC信号包括RF(Radio Frequency)信号以及微波信号。在一个实施方式种,RF信号具有200kHz～150MHz的范围内的频率。
[0026]控制部2用于处理使等离子体处理装置1执行本专利技术种描述的各种工序的计算机可执行的命令。控制部2可以构成为控制等离子体处理装置1的各要素,从而执行在此描述的各种工序。在一个实施方式中,控制部2的一部分或者全部可以包含于等离子体处理装置1中。控制部2例如可以包括计算机2a。计算机2a例如可以包括处理部(CPU:Central Processing Unit)2a1、存储部2a2、以及通信接口2a3。处理部2a1可以构成为基于在存储部2a2中存储的程序及方案进行各种控制动作。存储部2a2可以包括RAM(Random Access Memory)、ROM(Read Only Memory)、HDD(Hard Disk Drive)、SSD(Solid State Drive)、或者这些的组合。通信接口2a3可以通过LAN(Local Area Network)等的通信线路在与等离子体处理装置5之间进行通信。
[0027]接下来,参照图2对于作为等离子体处理装置1的一个例子的电容耦合式的等离子体处理装置的构成例进行说明。等离子体处理装置1包括等离子体处理腔室10、气体供给部20、电源30以及排气系统40。另外、等离子体处理装置1包括基板支承部11以及气体导入部。气体导入部构成为将至少一种处理气体导入等离子体处理腔室10内。气体导入部包括喷头13。基板支承部11配置于等离子体处理腔室10内。喷头13配置于基板支承部11的上方。在一个实施方式中,喷头13构成等离子体处理腔室10的顶部(ceiling)的至少一部分。等离子体处理腔室10具有由喷头13、等离子体处理腔室10的侧壁10a以及基板支承部11界定的等离子体处理空间10s。侧壁10a接地。喷头13以及基板支承部11与等离子体处理腔室10壳体电绝缘。
[0028]基板支承部11包括主体部111以及环组件112。主体部111具有用于支承基板(晶圆)W的中央区域(基板支承面)111a、以及用于支承环组件112的环状区域(环支承面)111b。主体部111的环状区域111b在俯视下包围主体部111的中央区域111a。基板W配置于主体部111的中央区域111a之上,环组件112以包围主体部111的中央区域111a之上的基板W的方式配置于主体部111的环状区域111b之上。在一个本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种等离子体处理方法,具有:(a)载置工序,其将基板载置于在等离子体处理腔室内配置的第一温度的静电卡盘；(b)静电吸附工序,其将上述基板静电吸附于上述静电卡盘；(c)供给开始工序,其在上述基板与上述静电卡盘之间开始导热气体的供给；(d)检测工序,其检测上述导热气体的流量或上述基板与上述静电卡盘之间的压力；(e)判定工序,其判定上述流量或上述压力是否超过规定的阈值；(f)升温工序,其基于上述判定的结果,使上述静电卡盘升温至比上述第一温度高的第二温度；以及(g)生成工序,其在上述等离子体处理腔室内生成等离子体。2.根据权利要求1所述的等离子体处理方法,其中,上述(f)的工序中,连续升温至比上述第一温度高的第二温度。3.根据权利要求1所述的等离子体处理方法,其中,上述(f)的工序中,阶梯式升温至比上述第一温度高的第二温度。4.根据权利要求1至3中任一项所述的等离子体处理方法,其中,在上述静电卡盘到达上述第二温度后经过规定的期间后,在上述等离子体处理腔室内生成等离子体。5.根据权利要求1至4中任一项所述的等离子体处理方法,其中,在将上述基板吸附于上述静电卡盘的工序之前,将高频电力施加于在上述等离子体处理腔室内配置的电极,在判断上述流量或上述压力是否超过规定的阈值的工序之后,停止上述高频电力的施加。6.根据权利要求5所述的等离子体处理方法,其中,上述高频电力是等离子体生成用的源RF信号及比上述源RF信号的频率低的频率的偏压RF信号的至少任一者。7.根据权利要求1至6中任一...

【专利技术属性】
技术研发人员：平冈将，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：