本发明提供使维护步骤中的液滴释放头的清洁性能提高的液滴释放装置和液滴释放方法。液滴释放装置向工件释放功能液的液滴来进行描绘，并包括：向上述工件释放液滴的液滴释放头；处理液供给部，其向上述液滴释放头供给作为上述功能液的溶剂的第一清洗液或醇...

本发明提供对于在等离子体处理中向RF电极部供给的RF电功率，能够抑制低频侧的RF电功率的损失的基片支承体、基片支承体组件和等离子体处理装置。本发明的基片支承体用于支承基片，其特征在于，包括：基片吸附部，其包括用于保持所述基片的吸附电极；...

本公开涉及一种基板处理装置，使利用了适于EUV光刻的抗蚀剂材料的基板中的曝光时的感光度在面内均匀。基板处理装置(1)具有：光源(42)，在对利用EUV光刻用抗蚀剂材料形成了抗蚀剂膜的基板进行曝光处理前该光源(42)向该基板照射包括真空紫...

本发明提供一种测定方法和测定装置。测定方法包括工序(a)、工序(b)、工序(c)以及工序(d)。在工序(a)中，使用受光元件，按每个不同的曝光时间测定从在等离子体处理装置内生成的等离子体检测出的光的每个波长的发光强度。在工序(b)中，针...

本公开提供一种基板处理装置和防雾件的清洗方法。基板处理装置具备：保持部，其保持基板；驱动部，其驱动保持部以使保持部旋转；内侧杯体，其以从保持于保持部的基板的外侧包围基板的方式设置于保持部；防雾件，其以使保持部和内侧杯体位于该防雾件的内部...

本发明提供一种蚀刻方法和等离子体处理装置，能够形成具有优异的耐蚀刻性的含钨沉积物。蚀刻方法包括以下工序：工序(a)，准备基板，所述基板包括包含硅和氮的第一区域以及包含硅和氧的第二区域；工序(b)，使用从包含碳和氢中的至少一方、氟以及钨的...

本发明提供能够更可靠地防止在下表面附着有液体的基片被投入到干燥处理部的基片处理装置。本发明的基片处理装置包括：基片输送部，其用于输送上表面被处理液润湿的状态的基片；和干燥处理部，其用于使被所述处理液润湿的状态的所述基片干燥，所述干燥处理...

本发明提供能够缩短测量时间的检查装置和检查方法。检查装置包括：电功率供给部，其对多个被检查体施加规定的输出电压；切换部，其对要测量电流的上述被检查体进行切换；测量部，其测量由上述切换部选择的上述被检查体的电流；和控制上述切换部的控制部，...

本发明的目的在于提供一种提高半导体器件的特性的半导体器件的制造方法。半导体器件的制造方法包括：利用由Cl类气体构成的第一处理气体形成的等离子体，对氧化物半导体的上层的导电体层进行蚀刻的步骤；和利用由Ar气体构成的第二处理气体形成的等离子...

本发明提供一种能够高效且稳定地实施基片的蚀刻处理的基片处理装置。本发明的一个方式的基片处理装置包括处理槽和控制部。处理槽使由多个基片构成的基片批次浸渍于处理液中进行蚀刻处理。控制部控制各部。另外，控制部包括修正部，该修正部基于通过蚀刻处...

本发明提供一种基板处理装置和基板处理方法，能够抑制微粒的增加。基板处理装置具备罐、循环线路、分支线路、处理部、排出部、供给部及控制部。所述控制部具有第一判定部、第一补充控制部、计算部及第二补充控制部。所述第一判定部判定所述罐内的所述处理...

一种成膜装置，其提高膜的面内分布的控制性,具有:处理容器；气体供给管,其在上述处理容器内在铅直方向延伸配置,并且具有多个气孔；以及晶舟,其构成为在上述处理容器内在铅直方向容纳基板，该基板包括多个产品基板,该成膜装置通过自上述多个气孔供给...

可以使用光来监测在衬底上涂覆液体。通过将光引导至衬底上的一个点，当液体经过该点时，一些光会被反射，而一些光会被散射。监测这种行为可以指示衬底是否已被液体成功涂覆，并且识别缺陷。此外，可以监测涂覆时间以进行过程调整。程调整。程调整。

本发明提供一种喷嘴单元、液处理装置以及液处理方法，能够提高基板面内的温度分布的均匀性。在喷嘴单元(43)中，从温度调整气体喷嘴(46)的沿第一方向(Y轴方向)延伸的喷出口(52)在第一方向上辐射状地喷出温度调整气体(G1)。因此，来自温...

本公开涉及等离子体处理方法和等离子体处理装置。等离子体处理方法由等离子体处理装置进行，等离子体处理装置具备：基台；基板支承部，其具有支承基板的基板支承面；加热器，其能够调整基板支承面的温度；温度传感器，其测定基板支承面的温度；电力调整部...

本发明提供提高生产率的成膜装置和成膜方法。成膜装置对基板进行ALD成膜，具备处理腔室，其具有：旋转滚筒，将基板保持于与旋转轴线平行的保持侧面；主体部，收纳旋转滚筒，具有：多个处理室，与保持侧面相对，具有与旋转轴线平行的方向成为长度方向的...

本发明提供能够抑制导热气体供给孔的异常放电的等离子体处理装置和基片支承部。等离子体处理装置包括等离子体处理容器和基片支承部，该基片支承部配置在等离子体处理容器内且在基座的上部具有支承面，基片支承部包括：从基座侧向支承面供给导热气体的导热...

液供给机构具有：喷嘴，其对基板喷出处理液；供给流路，其向所述喷嘴供给所述处理液；阀，其对所述供给流路中的流动进行调整；以及缓冲部，其在从所述阀朝向所述喷嘴的中途将所述处理液暂时积存在该缓冲部的内部空间中。述处理液暂时积存在该缓冲部的内部...

本发明提供有利于抑制颗粒混入到要提供给基片的处理液中的技术。基片液处理装置包括：供给容器，处理液经由引导管线被供给到供给容器的内侧；对供给容器的内侧加压的加压装置；喷出被供给来的处理液的喷出嘴；供给管线，其与供给容器和喷出嘴连接，没有设...

本公开提供一种等离子体处理方法以及等离子体处理装置，该等离子体处理方法包含：在基板支承部上配置基板的工序；向腔室内供给用于处理基板的处理气体的工序；向上部电极或者基板支承部供给高频而在腔室内生成处理气体的等离子体的工序；在供给高频期间，...