本发明提供能够提高对处理气体的耐腐蚀性的喷淋头、电极组件、气体供给组件、基片处理装置和基片处理系统。在一个例示性实施方式中，提供一种喷淋头，其为等离子体处理用的喷淋头，其特征在于：包括主体部，该主体部具有第一面、与第一面相反的一侧的第二...

本发明提供能够减小用于维持温度差较大的热介质的温度的能量损耗的温度控制装置和基板处理装置。温度控制装置具有：第1罐，其积存第1热介质；第2罐，其积存温度与第1热介质的温度不同的第2热介质；以及第1连通管，其连接第1罐内的液面的高度的上限...

本发明提供能够容易地维持处理液中包含的蒸发成分的浓度的基片处理方法和基片处理装置。本发明的基片处理方法是通过使基片浸渍在含有蒸发成分的处理液中而对上述基片进行处理的基片处理方法，包括定期补充步骤、测量步骤和反馈补充步骤。定期补充步骤以第...

一种评价装置,具有:存储部,其将以将处理前的对象物的形状信息输入形状模拟器的情况下的输出接近在规定的处理条件下对处理前的对象物进行处理的情况下的处理后的对象物的形状信息的方式计算的形状模拟器的模拟参数与表示被视为与处理前的对象物相同的形...

第1输送装置(22)和第2输送装置(32)在常压气氛下输送第1基板(W1)和第2基板(W2)。第3输送装置(34)在减压气氛下输送第1基板(W1)和第2基板(W2)。加载互锁室(31d)具有能够收纳第1基板(W1)和第2基板(W2)的收...

所公开的等离子体处理装置具备腔室、静电卡盘、第1供电线、及第2供电线。静电卡盘包括在其上搭载基板的第1区域及在其上搭载边缘环的第2区域。第1区域包括第1电极。第2区域包括第2电极。第1供电线将产生施加到第1电极的电压的脉冲的偏置电源和第...

本发明提供一种接合系统和表面改性方法，能够提高重合基板的接合质量。本公开的一个方式的接合系统具备表面改性装置和接合装置。表面改性装置通过处理气体的等离子体对基板的与其它基板进行接合的接合面进行改性。接合装置通过分子间力将被表面改性装置改...

本发明涉及杯、液处理装置以及液处理方法。抑制从基板飞散的处理液在该杯的内周面向该基板弹回。一种杯，其包围基板以对该基板进行液处理，其中，该杯构成为包括：第1槽，其在所述杯的内周面在纵向上伸长地设置；多个第2槽，其以各自的一端与所述第1槽...

本发明提供一种蚀刻方法和蚀刻装置，能够在存在氮化钛、以及钼或钨的基板上抑制钼或钨中的孔蚀的产生并蚀刻氮化钛膜。蚀刻方法包括以下步骤：准备存在氮化钛、以及钼或钨的基板；以及向基板供给含有ClF3气体和N2气体的处理气体，来蚀刻氮化钛。在蚀...

本发明提供控制清洁的方法和等离子体处理装置，其根据等离子体处理装置的腔室内的表面的状态来控制清洁。本发明公开的方法包括利用在等离子体处理装置的腔室内生成的等离子体对基片进行处理的步骤。基片配置在设置于腔室内的基片支承部上且被载置于基片支...

一种对第一基板与第二基板接合而成的重合基板进行处理的装置，具有：保持构件，其保持所述重合基板；去除构件，其通过插入到所述第一基板与所述第二基板之间，来至少将所述第一基板的周缘部从所述第二基板剥离；升降机构，其调节所述去除构件相对于保持构...

本公开涉及一种清洁方法和等离子体处理装置，适当地去除在等离子体蚀刻中附着于基板的斜面部和背面的反应产物。基板的清洁方法包括以下工序：向基板支承体提供具备含有硅的Low

本发明提供能够使多个液处理模块之间的液处理的温度偏差降低的基片处理装置和基片处理方法。本发明的一个方式的基片处理装置包括多个液处理模块。多个液处理模块在水平方向和垂直方向中的至少一个方向上排列配置，用于向基片供给处理液来进行液处理。液处...

提供一种热处理装置及热处理方法，其能够降低面间的温度不均。该热处理装置包括：筒状的处理容器；加热部，对所述处理容器进行加热；以及冷却部，对所述处理容器进行冷却，其中，所述冷却部具有：多个喷出孔，在所述处理容器的长度方向上隔开间隔地设置，...

本发明涉及接合装置和接合方法。提供一种提高基板彼此的接合精度的技术。接合装置包括第1保持部、第2保持部、第1干涉仪、壳体、气体供给部和气流控制盖。第1保持部对第1基板进行吸附保持。第2保持部对第2基板进行吸附保持。第1干涉仪通过向第2保...

本发明涉及接合方法和接合装置。提供一种在将包含玻璃基板和树脂层的第1基板与第2基板接合之前降低第1基板的翘曲并提高第1基板与第2基板之间的接合精度的技术。接合方法具有下述步骤(A)～(C)。(A)利用第1保持部吸附保持包含玻璃基板和树脂...

本发明提供温度控制方法和温度控制装置，其能够在处理基片时，抑制基片处理性能变动。等离子体处理装置的腔室的温度控制方法包括：步骤(a)，向上述腔室的内部提供基片；步骤(b)，测量上述腔室的内部构成部件的处理开始前温度；步骤(c)，基于测量...

本发明提供能够屏蔽包含地磁在内的环境磁场和来自其它装置的磁场的等离子体处理装置。等离子体处理装置包括：壁为多层结构的等离子体处理容器，其中，多层结构包含由具有高于铝的磁导率的材料构成的层；送入送出口，其设置在等离子体处理容器的壁，对等离...

装置构成为具备：共用搬送机构，其共用于搬送路径中的相互分离的第一区间和第二区间的搬送，向多个中继模块中的包含于第一区间的第一中继模块和包含于第二区间的第二中继模块分别搬送基板；以及决定部，其基于分别从第一中继模块和第二中继模块向所述搬送...

一种加工衬底的方法，该方法包括：穿过衬底形成沟道，在该沟道的侧壁上沉积多晶硅层，以及用氧化剂氧化该多晶硅的未覆盖表面。该氧化剂导致形成氧化层，该氧化层在该多晶硅的未覆盖表面上具有均匀的厚度。该方法包括用去除剂从该沟道去除该氧化层，并重复...