等离子体处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供能够屏蔽包含地磁在内的环境磁场和来自其它装置的磁场的等离子体处理装置。等离子体处理装置包括：壁为多层结构的等离子体处理容器，其中，多层结构包含由具有高于铝的磁导率的材料构成的层；送入送出口，其设置在等离子体处理容器的壁，对等离子体处理容器内送入送出基片；和配置在等离子体处理容器内的基片支承部。器内的基片支承部。器内的基片支承部。

【技术实现步骤摘要】
等离子体处理装置


[0001]本专利技术涉及一种等离子体处理装置。

技术介绍

[0002]提案有一种技术，其在基片处理装置中，在处理腔室的外侧设置磁屏蔽，以降低外部磁场的影响而使等离子体的均匀性提高(专利文献1)。此外，作为磁屏蔽，提案有使用以坡莫合金等为代表的磁导性物质的方式(专利文献2)。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2004
‑
022988号公报
[0006]专利文献2：日本特开2005
‑
249658号公报

技术实现思路

[0007]专利技术要解决的技术问题
[0008]本专利技术提供能够屏蔽包含地磁在内的环境磁场和来自其它装置的磁场的等离子体处理装置。
[0009]用于解决技术问题的技术方案
[0010]本专利技术的一方式的等离子体处理装置包括：壁为多层结构的等离子体处理容器，其中，多层结构包含由具有高于铝的磁导率的材料构成的层；送入送出口，其设置在等离子体处理容器的壁，对等离子体处理容器内送入送出基片；和配置在等离子体处理容器内的基片支承部。
[0011]专利技术效果
[0012]依照本专利技术，能够屏蔽包含地磁在内的环境磁场和来自其它装置的磁场。
附图说明
[0013]图1是表示本专利技术的一个实施方式的等离子体处理装置的一个例子的图。
[0014]图2是示意性地表示本实施方式的屏蔽部件的结构的一个例子的图。
[0015]图3是示意性地表示本实施方式的屏蔽部件的结构的一个例子的图。
[0016]图4是示意性地表示本实施方式的屏蔽部件的结构的一个例子的图。
[0017]图5是示意性地表示本实施方式的屏蔽部件的结构的一个例子的图。
[0018]图6是示意性地表示本实施方式的屏蔽部件的结构的一个例子的图。
[0019]图7是示意性地表示本实施方式的屏蔽部件的结构的一个例子的图。
[0020]图8是表示本实施方式的磁屏蔽用遮盖件的一个例子的图。
[0021]附图标记说明
[0022]1 等离子体处理装置
[0023]10 等离子体处理腔室
[0024]10a 侧壁
[0025]11 基片支承部
[0026]20 气体供给部
[0027]31 RF电源
[0028]31a 第一RF生成部
[0029]31b 第二RF生成部
[0030]40 排气系统
[0031]101 屏蔽部件
[0032]102、105、109、121、125、127 屏蔽层
[0033]103 送入送出口
[0034]104 开闭件
[0035]108 挡板
[0036]120 母材
[0037]122、126 保护膜
[0038]123 阳极氧化覆膜
[0039]124、129 覆盖层
[0040]128 烧结体
[0041]140 遮盖件
[0042]W 基片。
具体实施方式
[0043]以下，基于附图，对公开的等离子体处理装置的实施方式详细地进行说明。另外，公开的技术并不由以下的实施方式限定。
[0044]近年来，随着半导体器件向微小化发展，越来越不能忽视地磁对等离子体的影响。此外，在具有多个等离子体处理装置的基片处理系统中，存在由于相邻的其它等离子体处理装置产生的磁场的影响，而等离子体发生不均的情况。对此，考虑利用磁屏蔽覆盖等离子体处理装置，但是很难利用磁屏蔽覆盖基片的送入送出口。此外，在利用磁屏蔽覆盖整个基片处理系统的情况下，很难屏蔽其它等离子体处理装置产生的磁场。因此，人们期望一种屏蔽包含地磁在内的环境磁场和来自其它装置的磁场的技术。
[0045][等离子体处理装置的结构][0046]以下，对作为等离子体处理装置1的一个例子的电容耦合等离子体处理装置的结构例进行说明。图1是表示本专利技术的一个实施方式的等离子体处理装置的一个例子的图。如图1所示，电容耦合等离子体处理装置1包括等离子体处理腔室10、气体供给部20、电源30和排气系统40。此外，等离子体处理装置1包含基片支承部11和气体导入部。气体导入部构成为能够向等离子体处理腔室10内导入至少一个处理气体。气体导入部包含喷淋头13。基片支承部11配置在等离子体处理腔室10内。喷淋头13配置在基片支承部11的上方。在一个实施方式中，喷淋头13构成等离子体处理腔室10的顶部(ceiling)的至少一部分。等离子体处理腔室10具有由喷淋头13、等离子体处理腔室10的侧壁10a和基片支承部11规定的等离子体处理空间10s。侧壁10a接地。喷淋头13和基片支承部11与等离子体处理腔室10的壳体电
绝缘。
[0047]等离子体处理腔室10在侧壁10a的内侧具有屏蔽部件101。屏蔽部件101的上部向水平方向内侧延伸，与喷淋头13的周缘部接触。屏蔽部件101为多层结构，其在内部包含由具有高于铝的磁导率的材料构成的屏蔽层102。此外，在侧壁10a，设置有用于送入送出基片W的送入送出口103。在送入送出口103，设置有用于对送入送出口103进行开闭的开闭件104。
[0048]开闭件104与屏蔽部件101同样为多层结构，其在内部包含由具有高于铝的磁导率的材料构成的屏蔽层105。开闭件104由升降部件106和驱动机构107上下驱动，对送入送出口103进行开闭。即，在开闭件104关闭的状态下，从基片支承部11的周缘部至屏蔽部件101和开闭件104的水平方向的距离大致相同。即，从等离子体处理空间10s至磁屏蔽的距离均匀。由此，能够在等离子体处理腔室10的全周均匀地进行包含地磁在内的环境磁场的屏蔽，也能够消除由在等离子体处理空间10s生成的磁场被磁屏蔽阻隔而引起的不均。此外，等离子体处理空间10s成为受到包含地磁在内的环境磁场及其它装置的影响的水平方向的磁力线被屏蔽的状态。另外，即使是对等离子体处理腔室10的开口部进行开闭的其它机构，例如闸门等，也能够采用与开闭件104同样的多层结构。
[0049]在等离子体处理腔室10的底部，以包围基片支承部11的方式，配置有具有多个通气孔的环状的挡板108。挡板108防止等离子体从等离子体处理空间10s向气体排出口10e泄漏。此外，挡板108与屏蔽部件101和开闭件104同样为多层结构，其在内部包含由具有高于铝的磁导率的材料构成的屏蔽层109。
[0050]基片支承部11包含主体部111和环状组件112。主体部111具有用于支承基片(晶片)W的中央区域(基片支承面)111a和用于支承环状组件112的环状区域(环支承面)111b。主体部111的环状区域111b在俯视时包围主体部111的中央区域111a。基片W配置在主体部111的中央区域111a上，环状组件112以包围主体部111的中央区域111a上的基片W的方式配置在主体部111的环状区域111b本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：壁为多层结构的等离子体处理容器，其中，所述多层结构包含由具有高于铝的磁导率的材料构成的层；送入送出口，其设置在所述等离子体处理容器的所述壁，对所述等离子体处理容器内送入送出基片；和配置在所述等离子体处理容器内的基片支承部。2.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：在所述送入送出口具有开闭件，所述开闭件为所述多层结构且对所述送入送出口进行开闭。3.如权利要求1或2所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述多层结构还包括由含铝材料构成的层。4.如权利要求1或2所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述多层结构还包括由氧化物的烧结体构成的层。5.如权利要求1～4中的任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述多层结构还在暴露于等离子体的表面形成有具有耐等离子体性的层。6.如权利要求1～5中的任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述多层结构还在不暴露于等离子体的表面形成有具有耐等离子体性的层。7.如权利要求5或6所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述具有耐等离子体性的层为氧化膜。8.如权利要求5～7中的任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述具有耐等离子体性的层为含硅膜。9.如权利要求5～8中的任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述具有耐等离子体性的层为含有III族元...

【专利技术属性】
技术研发人员：阪根亮太，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：