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东京毅力科创株式会社专利技术
东京毅力科创株式会社共有7373项专利
对准方法和检查装置制造方法及图纸
本发明提供能够将电极焊盘和探针以高精度进行对位的对准方法和检查装置。本发明的一个方式的对准方法为包括与多个芯片对应地设置的多个探针组的探针卡的对准方法,其特征在于:包括第一模式,对所述多个芯片中的各个芯片,基于与所述芯片对应地设置的所述...
外周涂敷方法、基片处理装置和存储介质制造方法及图纸
本发明提供外周涂敷方法、基片处理装置和存储介质,其能够抑制基片的外周涂敷中的缺陷。周缘涂敷方法包括:步骤(A),其对基片的周缘部供给紫外线固化型材料的涂敷液,形成比目标宽度宽的涂敷膜;步骤(B),其对比上述目标宽度宽的上述涂敷膜中的、具...
基板处理方法和基板处理装置制造方法及图纸
本发明提供一种基板处理方法和基板处理装置。基板处理方法具备:第一处理工序,向基板表面供给第一处理液并通过第一处理液的液膜覆盖基板表面;以及第二处理工序,向基板表面供给表面张力小于第一处理液的表面张力的第二处理液,并利用第二处理液来置换第...
喷淋头以及基板处理装置制造方法及图纸
本发明提供一种改善膜厚的面内分布的喷淋头和基板处理装置。该喷淋头包括:喷淋板;基座部件,其设有气体流路,用于固定上述喷淋板;多个气体供给部件,其配置于在上述喷淋板和上述基座部件之间形成的气体扩散空间内,并且与上述气体流路连接;以及整流板...
基片检查装置、基片检查方法和存储介质制造方法及图纸
本发明提供基片检查装置、基片检查方法和存储介质,其能够抑制启动时的劳力和时间的增加,并且高精度地进行基于基片的拍摄图像的缺陷。基片检查装置包括:定义与基片的基础状态对应的组,对各基片设定组的设定部;基于基片的拍摄图像和与基片所属的组对应...
气体处理装置和基片处理装置制造方法及图纸
本发明提供能够减少溶解液的使用量的气体处理装置和基片处理装置。气体处理装置包括管道、分隔板和液供给部。管道在内部具有供气体通过的流路。分隔板是将流路分隔为多个空间的分隔板,由能够透过气体且能够保持液体的多孔材料形成。液供给部对分隔板供给...
喷淋头及基板处理装置制造方法及图纸
提供一种用于改善膜厚的面内分布的喷淋头及基板处理装置。该喷淋头包括:喷淋板;基座部件,设置有气体流路,并对所述喷淋板进行固定;以及多个气体供给部件,布置在形成于所述喷淋板与所述基座部件之间的气体扩散空间中,并与所述气体流路连接,其中,所...
基片处理装置和基片处理装置的控制方法制造方法及图纸
本发明是能够减少溶解液的使用量的基片处理装置及其控制方法。基片处理装置包括多个处理部、排气管路、气体处理装置和控制部。多个处理部使用药品处理基片。排气管路供从多个处理部排出的气体流通。气体处理装置设置于排气管路,将在排气管路流通的气体中...
等离子体处理装置制造方法及图纸
本发明提供一种等离子体处理装置,其包括:等离子体处理腔室,其具有上壁部、侧壁部和下壁部,且在内部具有等离子体处理空间;以及磁屏蔽件,其设置于所述侧壁部的外侧的周围,且在上侧具有开口,当令通过所述上壁部的所述等离子体处理空间侧的内表面的中...
测量夹具以及处理方法技术
一种用于测量装置内的状态的测量夹具以及处理方法。该测量夹具包括:基板;背面摄像机,其设于上述基板的背面侧;以及控制部,其用于控制上述背面摄像机。于控制上述背面摄像机。于控制上述背面摄像机。
温度校正信息计算装置及方法、半导体制造装置、程序制造方法及图纸
本发明提供温度校正信息计算装置、半导体制造装置、程序和温度校正信息计算方法。半导体制造装置通过以根据在内壁累积的累积膜厚而校正了的设定温度对被处理体进行热处理来进行成膜,温度校正信息计算装置包括:模型存储部,其存储用于生成将累积膜厚与温...
蚀刻方法和蚀刻装置制造方法及图纸
在向基板供给蚀刻气体来对表面进行蚀刻的蚀刻方法中,实施以下工序:保护工序,向设置有含有氧的硅膜的所述基板供给胺气,来在所述含有氧的硅膜的表面形成用于防止被所述蚀刻气体蚀刻的保护膜以进行保护;以及第一蚀刻工序,向所述基板供给所述胺气以及作...
PVD装置制造方法及图纸
本发明涉及PVD装置。PVD装置具备:腔室、多个载置台、第一靶保持部、电力供给机构以及屏蔽件。多个载置台设置在腔室内,并分别能够在上表面载置至少一个基板。第一靶保持部能够保持靶,该靶暴露在腔室内的空间,并针对一个载置台设置至少一个。电力...
更换装置和更换方法制造方法及图纸
更换装置对在加工装置中使用的加工工具进行更换。所述加工装置包括:保持部,其用于保持处理体;加工机构,其以能够更换的方式安装对在所述保持部保持的所述处理体进行加工的加工工具;以及外罩,其容纳所述保持部和所述加工机构。所述更换装置包括更换机...
基片处理装置和基片处理方法制造方法及图纸
本发明的基片处理装置(1、1A~1C)包括处理槽(11)、第一喷嘴(30)、第二喷嘴(40、40B)和流量控制部(5)。处理槽(11)使多个基片(W)浸渍在处理液中而对其进行处理。第一喷嘴(30)在处理槽(11)的内部配置于比多个基片(...
半导体装置的制造方法、半导体制造装置和系统制造方法及图纸
本公开的一方式涉及的半导体装置的制造方法具有下述工序:在基板上涂布包含离子液体的液体材料以形成保护膜的工序;将形成有上述保护膜的上述基板进行大气输送的工序;以及从被大气输送的上述基板除去上述保护膜的工序。被大气输送的上述基板除去上述保护...
基板处理方法和基板处理装置制造方法及图纸
本发明提供一种基板处理方法和基板处理装置,能够抑制在基板上产生微粒。基板处理方法包括一边使基板旋转一边从药液供给部的喷嘴向基板的表面供给药液来对基板进行处理,所述基板处理方法包括:第一工序,检测在药液供给部的流路内的药液中产生的气泡;第...
信息处理装置、移载位置校正方法及基板处理装置制造方法及图纸
提供一种信息处理装置、移载位置校正方法及基板处理装置。该信息处理装置包括:搬送装置控制单元,根据教导数据对搬送装置的第一移动动作和第二移动动作进行控制,第一移动动作用于将被处理基板载置于能够对被处理基板进行载置的容器中,第二移动动作用于...
图像限制方法、图像限制程序、信息处理装置以及支援系统制造方法及图纸
本发明提供图像限制方法。图像限制方法具有:获取由拍摄部拍摄配置有监视对象物的空间得到的图像数据的工序;获取表示拍摄监视对象物时的空间内的拍摄部的拍摄位置的拍摄位置数据的工序;获取表示监视对象物的三维的形状的形状信息的工序;确定空间内的监...
等离子体处理装置和等离子体处理方法制造方法及图纸
本发明提供一种等离子体处理装置和等离子体处理方法,能够提高等离子体的生成中的高频电力的电力耦合效率。在公开的等离子体处理装置中,高频电源对高频电力进行调制,以使得第一期间的高频电力的水平比第二期间的高频电力的水平高。第二期间是与第一期间...
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