本发明提供一种基片支承部和基片处理装置，能够提高基片支承部的温度控制效率。基片支承部包括：静电吸盘，其由陶瓷形成，通过静电吸附来保持被处理基片；支承所述静电吸盘的基座；和供热交换介质流动的流路，其中，所述流路的上表面由陶瓷形成。的上表面...

本公开提供一种蚀刻方法和等离子体处理装置，能够提高蚀刻选择比。蚀刻方法包括以下工序：准备基板，基板包括包含硅和氮的第一区域、以及包含硅和氧的第二区域；以及将第一区域和第二区域暴露于由包含碳、氟及钨的处理气体生成的等离子体中，由此在第一区...

本发明提供在基片上形成积液来对该基片进行液处理时，能够控制基片面内的温度分布的液处理装置和液处理方法。本发明的液处理装置为利用处理液对基片进行液处理的液处理装置，其特征在于，包括：用于保持所述基片并使所述基片旋转的基片保持部；和位于被所...

本发明提供能够防止在喷淋头的内部发生的异常放电的喷淋头和等离子体处理装置。本发明的喷淋头为用于向处理腔室的内部供给处理气体的喷淋头，其特征在于，包括：冷却板，其具有气体扩散室和从所述气体扩散室贯穿至所述冷却板的所述处理腔室侧的第1面的、...

本发明提供检查方法和检查系统，其能够对关于等离子体蚀刻后的基片的、包含基片上的图案尺寸在内的多个检查项目进行检查。具有摄像装置的蚀刻系统中的基片的检查方法包括：步骤(A)，其利用上述摄像装置拍摄等离子体蚀刻后的基片而获取图像数据；以及步...

本发明提供能够缩短处理液的更换所需时间的基片处理装置和液更换方法。本发明的一个方式的基片处理装置包括：利用以第一混合比包含药液和替换液的处理液对基片实施液处理的处理槽；使从上述处理槽内取出的上述处理液返回至上述处理槽内的循环流路；向上述...

本发明提供一种基片处理装置和静电吸盘。基片处理装置包括腔室、基片支承部和至少1个控制阀，所述基片支承部配置在所述腔室内，具有至少1个第1气体供给路径，所述基片支承部具有基座和配置在所述基座上的具有上表面的静电吸盘，所述上表面具有多个突起...

本发明提供能够控制开口的尺寸的等离子体处理方法、等离子体处理装置以及等离子体处理系统。本公开的等离子体处理方法包含以下工序：准备工序，准备具有(a)被蚀刻膜、(b)光致抗蚀剂膜和(c)第1膜的基板，该光致抗蚀剂膜形成于所述被蚀刻膜的上表...

本发明提供一种排气网的制造方法、等离子体处理装置和排气网。所述排气网是在从等离子体处理装置的处理容器排出气体时使该气体通过的排气网，该排气网的制造方法的特征在于，包括：步骤a，准备多个金属板；步骤b，在所述多个金属板分别形成由多个六边形...

本发明提供一种处理液供给装置、处理液供给方法以及存储介质。处理液供给装置具备：供给管路，其连接于喷出部；泵，其设置于供给管路，向喷出部加压输送处理液；第一开闭阀，其设置于供给管路中的泵的下游侧的位置；过滤器，其设置于供给管路中的泵与第一...

本发明提供能避免成膜装置的处理容器内的过升温的控制方法和控制装置。能在被收纳在管状部件内的基片上形成膜的成膜装置中的控制方法包括下述步骤：获取管状部件内的第1温度传感器测量的第1温度；基于获取的第1温度计算向配置在处理容器内的加热部输出...

提供一种能够对针对被处理物的热处理的设定温度进行调整的温度校正信息计算装置及方法、半导体制造装置、记录介质。半导体制造装置以接近根据累积在半导体制造装置的内壁上的累积膜厚而校正的设定温度的方式使用加热器对温度进行控制，并执行被处理物的成...

本公开涉及一种设定装置的工艺制程的方法和用于处理基板的装置，能够在设定用于处理基板的装置的工艺制程时简便地执行工艺制程的编辑。包括以下工序：一边对显示器的屏幕进行工艺制程的制程设定表的显示，一边受理制程设定表的设定值的编辑；将被受理设定...

本发明提供一种包括能够使用于等离子体处理的环组件适当地升降的升降销机构的等离子体处理装置。等离子体处理装置包括：等离子体处理腔室；在等离子体处理腔室内生成等离子体的等离子体生成部；和配置于等离子体处理腔室内的基片支承部，基片支承部包括：...

一种热效应元件,具有:容器,其包括第一壁部和与上述第一壁部相对的第二壁部；离子液体,其容纳于上述容器内；第一电极,其设于上述第一壁部的外表面；以及可动电极,其在上述离子液体中以可移动的方式设置。子液体中以可移动的方式设置。子液体中以可移...

成膜方法包括下述(A)～(B)。(A)向表面包含相邻的凹部和凸部的基板的所述凹部供给液体。(B)向所述基板表面供给使所述液体发生化学变化的处理气体，通过所述处理气体与所述液体的反应使所述液体从所述凹部向所述凸部的顶面移动，来选择性地在所...

清洗方法包括下述的步骤(A)～步骤(B)。步骤(A)，在杯状体的内部水平地保持基片，并且使所述基片以铅垂的旋转轴为中心在第一方向上旋转的状态下，从第一喷嘴向所述基片的上表面的中心部供给第一处理液，并且从第二喷嘴向所述基片的上表面的周缘部...

本发明提供一种蚀刻方法和蚀刻装置，使蚀刻后的含锗膜的形状成为期望的形状。所述蚀刻方法包括以下工序：将基板保存到处理容器内的工序，所述基板具备由是含锗膜的侧壁构成的凹部；蚀刻工序，向所述处理容器内供给包含第一含氟气体和第二含氟气体的蚀刻气...

本发明提供一种等离子体处理装置。在该等离子体处理装置中，边缘环以在等离子体处理腔室内包围基片支承器上的基片的方式配置。环形电极以包围边缘环的方式配置。第一偏置RF电源构成为能够对偏置电极供给第一偏置RF电功率。第一偏置RF电功率具有第一...

本公开涉及一种基板处理方法和基板处理装置，抑制蚀刻后的硅膜的表面粗糙度。实施以下工序：第一工序，向在表面形成有硅膜且被设为第一温度的基板供给包含含卤素气体和碱性气体的处理气体，使所述硅膜的表面改性而生成反应产物；以及第二工序，在所述第一...