检查方法和检查系统技术方案

本发明专利技术提供检查方法和检查系统，其能够对关于等离子体蚀刻后的基片的、包含基片上的图案尺寸在内的多个检查项目进行检查。具有摄像装置的蚀刻系统中的基片的检查方法包括：步骤(A)，其利用上述摄像装置拍摄等离子体蚀刻后的基片而获取图像数据；以及步骤(B)，其基于等离子体蚀刻后的基片的图像数据，计算等离子体蚀刻后的基片上的图案尺寸、等离子体蚀刻后的基片上的缺陷信息、基片上的膜的厚度和基片的外观信息中的至少任一者。外观信息中的至少任一者。外观信息中的至少任一者。

【技术实现步骤摘要】
检查方法和检查系统


[0001]本专利技术涉及检查方法和检查系统。

技术介绍

[0002]在专利文献1中公开了包括涂敷显影装置和蚀刻装置的系统。该系统包括检查显影线宽和蚀刻线宽的线宽检查装置、测量抗蚀剂膜的厚度的膜厚测量单元以及检查显影后的表面缺陷和蚀刻后的表面缺陷的缺陷检查装置。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2002
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190446号公报

技术实现思路

[0006]专利技术要解决的技术问题
[0007]本专利技术涉及的技术对关于等离子体蚀刻后的基片的、包含基片上的图案尺寸在内的多个检查项目以高生产率进行检查。
[0008]用于解决技术问题的技术方案
[0009]本专利技术的一方式提供一种具有摄像装置的蚀刻系统中的基片的检查方法，其包括：步骤(A)，其利用上述摄像装置拍摄等离子体蚀刻后的基片而获取图像数据；以及步骤(B)，其基于等离子体蚀刻后的基片的图像数据，计算等离子体蚀刻后的基片上的图案尺寸、等离子体蚀刻后的基片上的缺陷信息、基片上的膜的厚度和基片的外观信息中的至少任一者。
[0010]专利技术效果
[0011]依照本专利技术，能够对关于等离子体蚀刻后的基片的、包含基片上的图案尺寸在内的多个检查项目以高生产率进行检查。
附图说明
[0012]图1是示意性地表示本实施方式的蚀刻系统的概略结构的图。
[0013]图2是表示摄像模块的概略结构的横剖视图。
[0014]图3是表示摄像模块的概略结构的纵剖视图。
[0015]图4是与蚀刻系统中的检查有关的检查用控制装置和主控制装置的功能框图。
[0016]图5是用于说明使用蚀刻系统进行的、包含晶片的检查的晶片处理的一个例子的流程图。
[0017]附图标记说明
[0018]1ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
蚀刻系统
[0019]IM
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摄像模块
[0020]PM1～PM12
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等离子体蚀刻模块
[0021]W
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晶片。
具体实施方式
[0022]在半导体器件等的制造工艺中，对半导体晶片(以下，称为“晶片”。)等基片进行使用等离子体的蚀刻处理即等离子体蚀刻。
[0023]该等离子体蚀刻的处理结果影响到之后对基片进行的处理，或影响到半导体器件的性能。因此，检查等离子体蚀刻这一处理后的基片状态是非常重要的。作为等离子体蚀刻这一处理后的基片的检查项目，通常基片上的图案尺寸(线宽或孔径等)是重要的，但其它检查项目例如膜厚及缺陷、外观等也是重要的。但是，若对每个检查项目设置不同的装置进行检查，则生产率降低。
[0024]因此，本专利技术的技术能够关于等离子体蚀刻后的基片的、包含基片上的图案尺寸在内的多个检查项目以高生产率进行检查。
[0025]以下，参照附图，对本实施方式的检查方法和蚀刻系统进行说明。此外，在本说明书及附图中，对实质上具有相同的功能结构的要素标注相同的附图标记，从而省略重复说明。
[0026]＜蚀刻系统＞
[0027]图1是示意性地表示本实施方式的蚀刻系统的概略结构的图。
[0028]图1的蚀刻系统1对作为基片的晶片W进行等离子体蚀刻。蚀刻系统1包括真空输送模块TM1、TM2、作为蚀刻装置的等离子体蚀刻模块(以下，省略为蚀刻模块。)PM1～PM12、装载锁定模块LL1、LL2、大气输送模块AM、检查用的摄像模块IM等。
[0029]真空输送模块TM1、TM2分别具有由俯视时呈大致多边形状(图例中，大致四边形状)的外壳构成的减压输送室11、12。
[0030]减压输送室11在相对的两个侧面连接有蚀刻模块PM1～PM6。在减压输送室11的其它相对的两个侧面中的一个侧面连接有装载锁定模块LL1、LL2，在另一个侧面连接有用于与真空输送模块TM2的减压输送室12连接的路径(未图示)。
[0031]减压输送室12在相对的两个侧面连接有蚀刻模块PM7～PM12。在减压输送室12的其它相对的两个侧面中的一个侧面连接有用于与真空输送模块TM1的减压输送室11连接的路径(未图示)。
[0032]减压输送室11、12分别在被维持为减压气氛的内部配置有构成为能够输送晶片W的真空输送机构TR1、TR2。真空输送机构TR1、TR2具有在输送时保持晶片W的输送臂AR1～AR4。输送臂AR1～AR4构成为能够转动、伸缩、升降。
[0033]真空输送机构TR1例如使用输送臂AR1、AR2，在装载锁定模块LL1、LL2、蚀刻模块PM1～PM6和路径(未图示)之间输送晶片W。
[0034]另外，真空输送机构TR2例如使用输送臂AR3、AR4，在蚀刻模块PM7～PM12和路径(未图示)之间输送晶片W。
[0035]蚀刻模块PM1～PM12分别对晶片W进行等离子体蚀刻。此外，蚀刻模块PM1～PM12分别经由闸门G1与真空输送模块TM1、TM2连接。
[0036]装载锁定模块LL1、LL2被设置成经由闸门G2、G3将真空输送模块TM1与大气输送模块AM(具体而言，后述的装载模块LM)连结。装载锁定模块LL1、LL2构成为能够暂时保持晶片
W。此外，装载锁定模块LL1、LL2构成为能够将内部在大气压气氛和减压气氛之间切换。
[0037]大气输送模块AM具有设有后述的输送机构TR3的装载模块LM、能够载置前开式晶片传送盒(Front
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Opening Unified Pod)F的装载端口LP1～LP4。前开式晶片传送盒F是能够保管多个晶片W的容器。此外，大气输送模块AM还可以具有调节晶片W的水平方向的朝向的定向模块(未图示)等。
[0038]装载模块LM具有俯视时呈矩形的外壳，外壳的内部被维持为大气压气氛。在装载模块LM的构成外壳长边的一个侧面并排设置有多个(图例中为4个)装载端口LP1～LP4。在装载模块LM的构成外壳长边的另一个侧面并排设置有装载锁定模块LL1、LL2。
[0039]在装载模块LM的外壳的内部设置有构成为能够输送晶片W的输送机构TR3。输送机构TR3具有在输送时保持晶片W的输送臂AR5。输送臂AR5构成为能够沿着装载模块LM的外壳的长边方向移动，并且构成为能够转动、伸缩、升降。
[0040]输送机构TR3例如使用输送臂AR5，在装载端口LP1～LP4上的前开式晶片传送盒F、装载锁定模块LL1、LL2和检查用的摄像模块IM之间输送晶片W。
[0041]摄像模块IM例如与装载模块LM的构成外壳短边的一个侧面连接。摄像模块IM在用于检查晶片W时拍摄晶片W。关于摄像模块IM的具体结构，在后文说明。
[0042]另外，蚀刻系统1具有主控制装置CU1和检查用控制装置CU2。在一个实施方式中，检查用控制装置CU2进行用于本专利技术中说明的各种步骤中本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种具有摄像装置的蚀刻系统中的基片的检查方法，其特征在于，包括：步骤(A)，其利用所述摄像装置拍摄等离子体蚀刻后的基片而获取图像数据；以及步骤(B)，其基于等离子体蚀刻后的基片的图像数据，计算等离子体蚀刻后的基片上的图案尺寸、等离子体蚀刻后的基片上的缺陷信息、基片上的膜的厚度和基片的外观信息中的至少任一者。2.根据权利要求1所述的检查方法，其特征在于，包括：步骤(C)，其利用所述摄像装置拍摄等离子体蚀刻前的基片而获取图像数据；以及步骤(D)，其基于等离子体蚀刻前的基片的图像数据，计算等离子体蚀刻前的基片上的图案尺寸、等离子体蚀刻前的基片上的缺陷信息、基片上的膜的厚度和基片的外观信息中的至少任一者。3.根据权利要求2所述的检查方法，其特征在于：包括判断是否需要等离子体蚀刻前的基片检查的步骤，在判断为需要等离子体蚀刻前的基片检查的情况下，进行所述步骤(C)和所述步骤(D)。4.根据权利要求2或3所述的检查方法，其特征在于：校正所述步骤(D)中使用的所述等离子体蚀刻前的基片的图像数据。5.根据权利要求2～4中任一项所述的检查方法，其特征在于：所述步骤(D)还计算等离子体蚀刻前的基片上的图案的三维形状。6.根据权利要求1～5中任一项所述的检查方法，其特征在于：包括基于所述步骤(B)中获取到的等离子体蚀刻后的信息，来判断等离子体蚀刻的结果的步骤。7.根据权利要求1～6中任一项所述的检查方法，其特征在于：校正所述步骤(B)中使用的所述等离子体蚀刻后的基片的图像数据。8.根据权利要求1～7中任一项所述的检查方法，其特征在于：所述步骤(B)还计算等离子体蚀刻后的基片上的图案的三维形状。9.根据权利要求1～8中任一项所述的检查方法，其特征在于：自动地进行如下步骤：对检查用基片的所述步骤(A)；和步骤(E)，其基于等离子体蚀刻后的所述检查用基片的图像数据来进行检查。10.根据权利要求9所述的检查方法，其特征在于：包括如下步骤：基于预先指定的频率、维护的实施状况和对产品基片的等离子体蚀刻...

【专利技术属性】
技术研发人员：秋元健司，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：