本发明要解决的技术问题是抑制异常放电的发生。本发明提供等离子体处理装置和异常放电抑制方法。腔室能够在其内部实施等离子体处理。载置台配置在腔室内，能够载置基片并且在基片的周围载置环组件。固定部设置在载置台，能够将基片和环组件中的至少一者固...

提供可抑制处理气体在处理气体供给区域间混合的基板处理装置，其具备：处理容器；旋转台，可旋转地设于处理容器内；加热器，设于旋转台的下方；划分构件，在旋转台与加热器之间相对于旋转台的下表面空开间隙地设置，划分设有旋转台的区域与设有加热器的区...

本发明提供一种对基板进行成膜的装置和对基板进行成膜的方法。配置到用于在真空气氛下向基板的表面供给反应气体而进行成膜处理的处理容器内的升降轴以从下表面支承着基板的载置台的状态以在上下方向上延伸的方式设置，穿过在处理容器设置的贯通口而与外部...

本发明提供静电吸盘及其制造方法、基板支承器及等离子体处理装置，能够抑制从静电吸盘产生微粒。对基板进行静电吸附的静电吸盘基板具备：吸盘主体，其由第一陶瓷粒子形成，并具有与被吸附于所述静电吸盘的基板相向的基板相向面；多个凸部，所述多个凸部形...

一种射频(RF)系统包括：RF电源，该RF电源被配置成用RF信号给负载供电；RF管，该RF管包括内导体和连接到接地的外导体，这些导体将该RF电源耦合到该负载；以及电流传感器，该电流传感器与携载该RF信号的该RF管的中心轴线对齐。传感器外...

本发明提供能够对输送物进行拍摄的基片处理装置和摄像方法。本发明的基片处理装置包括：用于收纳晶舟的室；设置在所述室内的、用于输送基片的移载机构；用于对所述晶舟的支柱和所述基片进行拍摄的第一摄像机；用于支承所述第一摄像机的支承部件，其插通在...

本发明提供一种等离子体处理装置和蚀刻方法。等离子体处理装置具有：包括下部电极、静电吸盘和边缘环的基片支承体；使边缘环在纵向移动的驱动装置；上部电极；生成源RF电源；偏置RF电源；与边缘环接触的至少1个导体；经由至少1个导体对边缘环施加负...

本发明提供能够在向边缘环供给的电偏置能量的周期内，使基片上的鞘套的上端位置与边缘环上的鞘套的上端位置之间的差距减小的等离子体处理装置和等离子体处理方法。在本发明的等离子体处理装置中，第一电偏置能量和第二电偏置能量分别被供给到基片和边缘环...

本发明提供能够提高等离子体密度的等离子体处理装置和成膜方法。等离子体处理装置在基片形成膜，并包括：设置于处理容器内的反应管；晶舟，其保持基片，并能够被送入和送出上述反应管内；等离子体生成部，其与上述反应管连通，从气体生成等离子体；气体供...

本发明提供收纳基板状传感器的收纳容器和基板状传感器的充电方法。一种收纳容器，其收纳基板状传感器，其中，该收纳容器具备：容器主体，其具有开口；支承部，其配置于所述容器主体内，支承所述基板状传感器；接触销，其配置于所述容器主体内，能够与所述...

本实用新型提供基板处理装置。针对基板处理装置提高生产率且省空间。以具备如下构件的方式构成装置：送入送出区块；处理站，在其与送入送出区块之间输送基板，其相对于送入送出区块设置于左右的一侧；中继区块，其相对于处理站设置于左右的一侧，在其与处...

本实用新型提供能够减少溶解液的使用量的气体处理装置和基片处理装置。气体处理装置包括管道、分隔板和液供给部。管道在内部具有供气体通过的流路。分隔板是将流路分隔为多个空间的分隔板，由能够透过气体且能够保持液体的多孔材料形成。液供给部对分隔板...

本发明提供有利于抑制颗粒对基片的附着的基片液处理装置和基片液处理方法。使液供给喷嘴沿着包含第一移动位置和第二移动位置的喷嘴移动路径移动，第一移动位置是从液供给喷嘴向基片的处理面中的位于周缘部的第一释放部位释放处理液的位置，第二移动位置是...

异物检查基板具备检查基板、照射器以及受光器。在所述检查基板贯通形成有供处理液通过的通过部。所述照射器用于对所述处理液照射检查光。所述受光器接受由于所述处理液中的异物在所述检查光中通过而产生的散射光、或者由于所述处理液中的异物在所述检查光...

本发明提供一种热处理系统、材料供给方法和热处理装置。为了能够自动地切换向热处理装置供给原料气体的多个材料容器，热处理系统具有：多个材料容器，其构成为能够贮存材料并使贮存的材料气化而生成原料气体；控制多个材料容器的温度的温度控制部；阀控制...

本公开提供提高处理量的等离子体处理方法、等离子体处理装置以及系统。本公开涉及的等离子体处理方法在等离子体处理装置中执行。该等离子体处理方法包含：准备包含含硅膜以及形成在含硅膜上的含碳膜的基板的工序；将基板的温度设定在为0℃以下的第一温度...

本发明提供一种基板处理方法和基板处理装置。该基板处理装置具备流体喷出部及与其连接的供给线路；流体排出部及与其连接的排出线路；以及流动控制机构，其设置于供给线路和排出线路中的至少一方，对在处理容器内从流体喷出部朝向流体排出部流动的处理流体...

本发明提供一种基板处理装置和基板处理方法。基板处理装置具备：处理槽，其用于将基板浸在含有硅酸化合物和磷酸的处理液中来对基板进行处理；液量传感器，其测定贮存于处理槽的处理液的贮存量；浓度传感器，其测定贮存于处理槽的处理液中的磷酸浓度；磷酸...

本发明提供一种基板处理系统和基板处理方法，能够缩短在基板处理系统中使用流量测定装置进行的气体的流量测定所花费的时间。基板处理系统具备包括多个腔室的腔室组、包括多个气体箱的气体箱组、流量测定装置、以及排气装置，所述流量测定装置包括测定器和...

本发明提供能够使装载区域中的氧浓度的管理的精度提高的热处理装置的控制方法和热处理装置的控制装置。热处理装置的控制方法为由热处理装置的控制装置进行的控制方法，所述热处理装置包括：加热炉，其能够对被处理体实施热处理；和装载区域，其能够在将保...