基板处理方法和基板处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种基板处理方法和基板处理装置。该基板处理装置具备流体喷出部及与其连接的供给线路；流体排出部及与其连接的排出线路；以及流动控制机构，其设置于供给线路和排出线路中的至少一方，对在处理容器内从流体喷出部朝向流体排出部流动的处理流体的流动进行控制，该基板处理方法包括流通工序，在该流通工序中，使处理流体以该处理流体沿基板的表面流动的方式从流体喷出部向流体排出部流动，流通工序包括使处理流体在处理容器内分别以第一及第二流通模式流动的第一及第二流通阶段，第一流通模式与第二流通模式下的沿基板的表面流动的处理流体的流动方向分布不同，第一流通模式与第二流通模式之间的切换由流动控制机构进行。制机构进行。制机构进行。

【技术实现步骤摘要】
基板处理方法和基板处理装置


[0001]本公开涉及一种基板处理方法和基板处理装置。

技术介绍

[0002]在针对半导体晶圆(下面称为晶圆)等基板的表面形成集成电路的层叠构造的半导体装置的制造工序中，进行药液清洗或湿法蚀刻等液处理。近年来，在通过这样的液处理来去除附着于晶圆的表面的液体等时，一直使用利用了超临界状态的处理流体的干燥方法(例如，参照专利文献1)。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2014
‑
101241号

技术实现思路

[0006]专利技术要解决的问题
[0007]本公开提供一种能够抑制微粒在基板上的附着的技术。
[0008]用于解决问题的方案
[0009]根据本公开的一个实施方式，提供一种用于使用超临界流体状态的处理流体来使表面附着有液体的基板干燥的基板处理方法，所述基板处理方法是使用基板处理装置执行的基板处理方法，该基板处理装置具备：处理容器；基板保持部，其在所述处理容器内以使所述基板的所述表面向上的方式将所述基板水平地保持；流体喷出部，其向所述处理容器内喷出处理流体；流体排出部，其使处理流体从所述处理容器排出；供给线路，其与所述流体喷出部连接，用于从供给超临界状态的处理流体的流体供给源向所述流体喷出部供给处理流体；排出线路，其与所述流体排出部连接；以及流动控制机构，其设置于所述供给线路和所述排出线路中的至少一方，对在所述处理容器内从所述流体喷出部朝向所述流体排出部流动的处理流体的流动进行控制，所述基板处理方法包括流通工序，在该流通工序中，使处理流体以该处理流体沿被所述基板保持部保持的所述基板的表面流动的方式从所述流体喷出部向所述流体排出部流动，所述流通工序包括使处理流体在所述处理容器内以第一流通模式流动的第一流通阶段、以及使处理流体在所述处理容器内以第二流通模式流动的第二流通阶段，在从所述基板的表面的法线方向观察时，所述第一流通模式与所述第二流通模式下的在所述处理容器内沿所述基板的表面流动的处理流体的流动方向分布不同，所述第一流通模式与所述第二流通模式之间的切换由过所述流动控制机构进行。
[0010]专利技术的效果
[0011]根据本公开，能够抑制微粒在基板上的附着。
附图说明
[0012]图1是示出基板处理装置的一个实施方式所涉及的超临界干燥装置的处理单元的
结构的一例的概要纵剖视图。
[0013]图2是图1所示的处理单元的概要横剖视图。
[0014]图3是示出包括图1所示的处理单元的配管系统的一例的概要配管系统图。
[0015]图4A是用于说明图1的超临界干燥装置的动作的、示出升压工序的图。
[0016]图4B是用于说明图1的超临界干燥装置的动作的、示出流通工序的流通模式1的图。
[0017]图4C是用于说明图1的超临界干燥装置的动作的、示出流通工序的流通模式2的图。
[0018]图4D是用于说明图1的超临界干燥装置的动作的、示出流通工序的流通模式3的图。
[0019]图5是示出处理单元的第一变形实施方式的主要部分概要俯视图。
[0020]图6是示出处理单元的第二变形实施方式的概要纵剖视图。
[0021]图7是对图5的处理单元的流通工序中的处理流体的流动进行说明的简要立体图。
具体实施方式
[0022]参照附图来对作为基板处理装置的一个实施方式的超临界干燥装置进行说明。
[0023]超临界干燥装置能够用于进行超临界干燥处理，该超临界干燥处理是使用超临界状态的处理流体(例如，二氧化碳)来使表面形成有液体(例如，IPA(异丙醇))的液膜的基板W干燥的处理。基板W例如是半导体晶圆，但也可以是在半导体装置制造的
中使用的其它种类的基板(玻璃基板、陶瓷基板)等。超临界干燥技术不会对图案作用使得产生图案倒塌的表面张力，因此能够有利地用于对形成有细微且深宽比高的图案的基板进行干燥。
[0024]下面，为了易于说明方向和位置，设定XYZ直角坐标系，根据需要参照该坐标系来进行说明。此外，请注意，有时也将X方向称为前后方向(X正方向为前方)，将Y方向称为左右方向(Y正方向为左方)，将Z方向称为上下方向(Z正方向为上方)。
[0025]如图1和图2所示，超临界干燥装置具备处理单元10。在处理单元10的内部进行超临界干燥处理。处理单元10具有处理容器11和在处理容器11内保持基板W的基板保持托盘12(下面简称为“托盘12”)。
[0026]在一个实施方式中，托盘12具有将设置于处理容器11的侧壁的开口盖住的盖部13、以及与盖部13连结的沿水平方向延伸的基板保持部14。基板保持部14具有板15和设置于板15的上表面的多个支承销16。基板W在其表面(形成有器件或图案的面)向上的状态下以水平姿势载置于支承销16上。当将基板W载置到支承销16上时，在板15的上表面与基板W的下表面(背面)之间形成间隙17。
[0027]板15整体为例如长方形或正方形。板15的面积大于基板W，在基板W被载置到基板保持部14的规定位置时，当从正下方观察板15时，基板W被板15完全覆盖。
[0028]在板15形成有沿上下方向贯穿该板15的多个贯通孔18。多个贯通孔18起到使被供给到板15的下方的空间的处理流体流入板15的上方的空间的作用。多个贯通孔18中的一些贯通孔18还起到使用于在基板保持部14与处理单元10的外部的基板输送机构(未图示)之间进行基板W的交接的升降销(未图示)通过的作用，但在本说明书中省略对该点的说明。
[0029]托盘12(盖部13和基板保持部14的组装体)能够通过未图示的托盘移动机构在处理位置(图1和图2所示的关闭位置)与基板交接位置(未图示的打开位置)之间沿水平方向(X方向)移动。
[0030]在托盘12的处理位置，基板保持部14位于处理容器11的内部空间内，并且盖部13将处理容器11的侧壁的开口封闭。在托盘12的基板交接位置，基板保持部14移出到处理容器11之外，能够经由上述的未图示的升降销在基板保持部14与未图示的基板输送臂之间进行基板W的交接。
[0031]在托盘12位于处理位置时，处理容器11的内部空间被板15分割为在处理期间中存在基板W的板15的上方的上方空间11A和板15的下方的下方空间11B。但是，上方空间11A与下方空间11B并非完全分离。
[0032]即，在图示的实施方式中，上方空间11A与下方空间11B通过上述的贯通孔18、或者通过设置于板15与盖部13的连接部的附近的长孔19(其也为贯通孔)连通。上方空间11A与下方空间11B还通过板15的周缘部与处理容器11的内壁面之间的间隙连通。上述的间隙、贯通孔18及长孔19等也能够称为用于使上方空间11A与下方空间11B连通的连通路。
[0033]如果如上述那样将处理容器11的内部空间分割为上方空间11A和下方空间11B，并且设置有用于使上方空间11A与下方本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基板处理方法，用于使用超临界流体状态的处理流体来使表面附着有液体的基板干燥，所述基板处理方法是使用基板处理装置执行的基板处理方法，该基板处理装置具备：处理容器；基板保持部，其在所述处理容器内以使所述基板的所述表面向上的方式将所述基板水平地保持；流体喷出部，其向所述处理容器内喷出处理流体；流体排出部，其使处理流体从所述处理容器排出；供给线路，其与所述流体喷出部连接，用于从供给超临界状态的处理流体的流体供给源向所述流体喷出部供给处理流体；排出线路，其与所述流体排出部连接；以及流动控制机构，其设置于所述供给线路和所述排出线路中的至少一方，对在所述处理容器内从所述流体喷出部朝向所述流体排出部流动的处理流体的流动进行控制，所述基板处理方法包括流通工序，在该流通工序中，使处理流体以该处理流体沿被所述基板保持部保持的所述基板的表面流动的方式从所述流体喷出部向所述流体排出部流动，所述流通工序包括使处理流体在所述处理容器内以第一流通模式流动的第一流通阶段、以及使处理流体在所述处理容器内以第二流通模式流动的第二流通阶段，在从所述基板的表面的法线方向观察时，所述第一流通模式与所述第二流通模式下的在所述处理容器内沿所述基板的表面流动的处理流体的流动方向分布不同，所述第一流通模式与所述第二流通模式之间的切换由所述流动控制机构进行。2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，交替地重复所述第一流通阶段与所述第二流通阶段。3.根据权利要求1或2所述的基板处理方法，其特征在于，从所述基板的表面的法线方向观察时，所述第一流通模式下的处理流体的流动与所述第二流通模式下的处理流体的流动交叉。4.根据权利要求3所述的基板处理方法，其特征在于，从所述基板的表面的法线方向观察时，所述第一流通模式下的流动方向分布与所述第二流通模式下的流动方向分布以通过所述基板的中心的直线为对称轴呈镜面对称。5.根据权利要求1或2所述的基板处理方法，其特征在于，所述流体喷出部具备喷嘴体，该喷嘴体在其第一端与第二端之间具有沿水平方向隔开间隔地配置的多个喷出口，所述供给线路具备与所述喷嘴体的所述第一端及所述第二端连接的第一子供给线路及第二子供给线路，在所述第一子供给线路和所述第二子供给线路分别设置有供给流动控制设备，所述供给流动控制设备构成所述流动控制机构的至少一部分，使用所述供给流动控制设备来使所述第一流通模式下从所述第一子供给线路向所述喷嘴体供给的处理流体的供给流量比从所述第二子供给线路向所述喷嘴体供给的处理流体的供给流量大，使所述第二流通模式下从所述第一子供给线路向所述喷嘴体供给的处理流体的供给流量比从所述第二子供给线路向所述喷嘴体供给的处理流体的供给流量小。
6.根据权利要求5所述的基板处理方法，其特征在于，分别设置于所述第一子供给线路和所述第二子供给线路的所述供给流动控制设备是开闭阀，在所述第一流通模式下，所述第一子供给线路的开闭阀打开并且所述第二子供给线路的开闭阀关闭，在所述第二流通模式下，所述第一子供给线路的开闭阀关闭并且所述第二子供给线路的开闭阀打开。7.根据权利要求5所述的基板处理方法，其特征在于，分别设置于所述第一子供给线路和所述第二子供给线路的所述供给流动控制设备是可变开度阀，在所述第一流通模式下，使所述第一子供给线路的可变开度阀的开度比所述第二子供给线路的可变开度阀的开度大，在所述第二流通模式下，使所述第一子供给线路的可变开度阀的开度比所述第二子供给线路的可变开度阀的开度小。8.根据权利要求1或2所述的基板处理方法，其特征在于，所述流体排出部具备歧管，该歧管在其第一端与第二端之间具有沿水平方向隔开间隔地配置的多个排出口，所述排出线路具备与所述歧管的所述第一端及所述第二端连接的第一子排出线路及第二子排出线路，在所述第一子排出线路和所述第二子排出线路分别设置有排出流动控制设备，所述排出流动控制设备构成所述流动控制机构的至少一部分，使用所述排出流动控制设备来使所述第一流通模式下经由所述歧管向所述第一子排出线路排出的处理流体的排出流量比经由所述歧管向所述第二子排出线路排出的处理流体的排出流量小，使所述第二流通模式下经由所述歧管向所述第一子排出线路排出的处理流体的排出流量比经由所述歧管向所述第二子排出线路排出的处理流体的排出流量大。9.根据权利要求8所述的基板处理方法，其特征在于，分别设置于所述第一子排出线路和所述第二子排出线路的所述排出流动控制设备是开闭阀，在所述第一流通模式下，所述第一子排出线路的开闭阀关闭并且所述第二子排出线路的开闭阀打开，在所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：井上纱绫，田中晓，下村伸一郎，井原亨，枇杷聪，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：