【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术总体上涉及等离子体加工，并且在具体实施例中涉及用于利用射频(rf)源和双极dc偏置信号波形进行等离子体加工的系统和方法。
技术介绍
1、通常，集成电路(ic)是通过在衬底上依次沉积和图案化电介质层、导电层和半导体层以形成全部集成在一个单片结构中的由金属线和通孔连接的电子部件的网络来制造的。得益于光刻和比如全环绕栅极场效应晶体管(gaafet)和3d nand存储器等三维(3d)器件的进步，部件密度大约每两年翻一番，从而降低了ic的每功能成本。比如等离子体增强原子层沉积(peald)、高纵横比接触(harc)刻蚀和选择性沉积等的等离子体工艺经常用于制造具有纳米级特征的3d器件，因此，对等离子体技术在广泛范围的指标(比如边缘轮廓、粗糙度、各向异性、均匀性、保形性和选择性沉积的选择性)上提供原子级控制提出了挑战。等离子体工艺指标取决于等离子体的性质，比如离子能量和离子角分布、离子和自由基密度以及自由基与离子通量比。等离子体的性质以及表面上和深沟槽中的化学环境受到在加工期间用于维持等离子体的rf信号的影响。因此，rf信号波形生成的进一步创新将有利于等离子体加工的精度和控制。
技术实现思路
1、一种用于等离子体加工的方法包括：在等离子体加工室中维持等离子体，该等离子体加工室包括第一射频(rf)电极和第二rf电极，其中，维持该等离子体包括：将rf源信号耦合到该第一rf电极；以及将偏置信号耦合在该第一rf电极与该第二rf电极之间，该偏置信号具有双极dc(b-dc)波形，该b-dc波形包
2、一种用于等离子体加工的系统包括：等离子体加工室，该等离子体加工室包括：第一射频(rf)电极；第二rf电极；以及衬底固持器，该衬底固持器被配置为将半导体衬底固持在该等离子体加工室中；处理器；非暂态存储器，该非暂态存储器存储要在该处理器中执行的程序，该程序包括：用于将rf源信号耦合到该第一rf电极的指令；以及用于将偏置信号耦合在该第一rf电极与该第二rf电极之间的指令，该偏置信号具有双极dc(b-dc)波形，该b-dc波形包括多个b-dc脉冲，这些b-dc脉冲中的每一个包括：负偏置持续时间，在此期间该脉冲相对于参考电势具有负极性；正偏置持续时间，在此期间该脉冲相对于该参考电势具有正极性；以及中性偏置持续时间，在此期间该脉冲相对于该参考电势具有中性极性。
3、一种用于等离子体加工的方法包括：在等离子体加工室中维持等离子体，该等离子体加工室包括第一射频(rf)电极和第二rf电极，其中，维持该等离子体包括：将rf源信号耦合到该第一rf电极；以及将偏置信号耦合在该第一rf电极与该第二rf电极之间，该偏置信号具有双极dc(b-dc)波形，该b-dc波形是第一单极dc(u-dc)波形与第二单极dc波形之差，该第一u-dc波形的极性与该第二u-dc波形的极性相同，并且其中，耦合该偏置信号包括：将第一u-dc信号耦合到该第一rf电极，该第一u-dc信号具有该第一u-dc波形，该第一u-dc波形包括第一多个u-dc脉冲，其中，该第一多个u-dc脉冲中的每一个包括：第一u-dc脉冲宽度，在此期间该脉冲相对于参考电势具有第一偏置极性；以及第一u-dc脉冲分隔时间，在此期间该脉冲具有基本上等于该参考电势的中性偏置极性；将第二u-dc信号耦合到该第二rf电极，该第二u-dc信号具有该第二u-dc波形，该第二u-dc波形包括第二多个u-dc脉冲，其中，该第二多个u-dc脉冲中的每一个包括：第二u-dc脉冲宽度，在此期间该脉冲相对于该参考电势具有该第一偏置极性；第二u-dc脉冲分隔时间，在此期间该脉冲具有基本上等于该参考电势的中性偏置极性；以及将该第一u-dc信号与该第二u-dc信号同步，其中，该同步是将该第一u-dc信号的u-dc脉冲相对于该第二u-dc信号的u-dc脉冲延迟恒定的u-dc延迟时间。
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1.一种用于等离子体加工的方法，该方法包括：
2.如权利要求1所述的方法，进一步包括将该等离子体加工室的多个壁的导电部分耦合到该参考电势。
3.如权利要求1所述的方法，进一步包括：
4.如权利要求1所述的方法，进一步包括：
5.如权利要求1所述的方法，其中，该RF源信号具有连续波(CW)RF波形，并且该偏置信号具有连续B-DC波形，该连续B-DC波形包括连续B-DC脉冲串。
6.如权利要求1所述的方法，其中，这些B-DC脉冲中的每一个具有相对于该参考电势具有该中性极性的单个脉冲段，该脉冲段被定义为该中性偏置持续时间，该中性偏置持续时间在时间上是连续的。
7.如权利要求1所述的方法，其中，该中性偏置持续时间被分成第一中性偏置脉冲段和第二中性偏置脉冲段，该第一中性偏置脉冲段将该负偏置持续时间的结束与下一正偏置持续时间的开始分隔开，该第二中性偏置脉冲段将该正偏置持续时间的结束与下一负偏置持续时间的开始分隔开。
8.如权利要求1所述的方法，其中，该偏置信号具有包括B-DC突发脉冲串的B-DC突发波形，其中
9.如权利要求8所述的方法，其中，该RF源信号具有连续波(CW)RF波形。
10.如权利要求8所述的方法，
11.如权利要求10所述的方法，
12.如权利要求10所述的方法，
13.如权利要求10所述的方法，
14.一种用于等离子体加工的系统，该系统包括：
15.如权利要求14所述的系统，进一步包括：
16.如权利要求15所述的系统，其中，该系统的配置包括：
17.如权利要求15所述的系统，其中，该系统的配置包括：
18.一种用于等离子体加工的方法，该方法包括：
19.如权利要求18所述的方法，进一步包括将该等离子体加工室的一个壁的导电部分耦合到该参考电势。
20.如权利要求18所述的方法，其中，该第一偏置极性是相对于该参考电势的正偏置极性。
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种用于等离子体加工的方法，该方法包括：
2.如权利要求1所述的方法，进一步包括将该等离子体加工室的多个壁的导电部分耦合到该参考电势。
3.如权利要求1所述的方法，进一步包括：
4.如权利要求1所述的方法，进一步包括：
5.如权利要求1所述的方法，其中，该rf源信号具有连续波(cw)rf波形，并且该偏置信号具有连续b-dc波形，该连续b-dc波形包括连续b-dc脉冲串。
6.如权利要求1所述的方法，其中，这些b-dc脉冲中的每一个具有相对于该参考电势具有该中性极性的单个脉冲段，该脉冲段被定义为该中性偏置持续时间，该中性偏置持续时间在时间上是连续的。
7.如权利要求1所述的方法，其中，该中性偏置持续时间被分成第一中性偏置脉冲段和第二中性偏置脉冲段，该第一中性偏置脉冲段将该负偏置持续时间的结束与下一正偏置持续时间的开始分隔开，该第二中性偏置脉冲段将该正偏置持续时间的结束与下一负偏置持续时间的开始分隔开。
8.如权利要求1所述的方法，其中，该偏置信号具有包括b-dc突发脉冲串的b-dc突发波形，其中，这些b-dc突发脉冲中的...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈志英，巴顿·莱恩，韩蕴，彼得·文特泽克，阿洛科·兰詹，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：
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